可充锂离子电池聚合物电解质及其制备方法

    公开(公告)号:CN1529385A

    公开(公告)日:2004-09-15

    申请号:CN200310107849.0

    申请日:2003-10-10

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明是一种可充锂离子电池聚合物电解质及其制备方法。现有技术存在包液不稳定、机械性能差等不足。聚合物电解质替代液态电解质应用于锂离子电池有利于制备安全、质轻、高能量密度及形状各异的电池。本发明通过紫外光辐射引发聚合制备了凝胶态无机-有机杂化聚合物电解质,此类聚合物电解质室温下无定形,电导率高,热性能和机械性能稳定。紫外光固化方法一步成型,工艺简单、效率高、无污染。无机-有机杂化聚合物的预聚体是通过烷氧基硅化合物溶胶-凝胶反应后再进行端基改造制备的。室温离子电导率达到8.4×10-3Scm-1,接近液态电解质的电导率。

    凝胶态锂离子聚合物电解质材料及电池的制备方法

    公开(公告)号:CN1152086C

    公开(公告)日:2004-06-02

    申请号:CN01113005.9

    申请日:2001-05-25

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明是一种锂离子电池的电解质材料及其电池的制备方法。现有技术中的锂离子电池存在易漏液、腐蚀及燃烧等危险;即使是新一代产品,也存在方法复杂、制备工艺要求高等不足。本发明以丙烯酸酯系列衍生物为单体和交联剂,在热引发剂引发下,通过热化学交联方法使液态锂离子电解质溶液与丙烯酸酯聚合物形成凝胶态锂离子聚合物电解质材料。该方法用于制造丙烯酸酯类聚合物锂离子电池。

    环氧树脂-丙烯酸树脂复合水分散体系的制备方法

    公开(公告)号:CN1117109C

    公开(公告)日:2003-08-06

    申请号:CN99127205.6

    申请日:1999-12-30

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属化工技术领域,是一种环氧树脂-丙烯酸树脂复合水分散体系的制备方法。其主要步骤为将环氧树脂与部分乙烯基芳香族化合物、丙烯酸烷基酯等进行预乳化后,通入氮气,搅拌升温,然后加入引发剂、pH缓冲剂等。然后再将余下部分有关组份进行预乳化后再滴加入体系中,经保温、冷却处理即可。本发明方法简便,操作容易,不需要使用有机溶剂,有利于保护环境和工人健康。所制备的体系性能优异,既可用于涂料,也可用于胶粘剂和封装材料等。

    一种有机硅改性核壳结构丙烯酸酯胶乳及其制备方法

    公开(公告)号:CN1251843A

    公开(公告)日:2000-05-03

    申请号:CN99119980.4

    申请日:1999-11-09

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属化工技术领域,涉及一种具有核壳结构的有机硅改性丙烯酸酯胶乳及其制备方法。丙烯酸酯胶乳由乙烯基烷氧基硅烷单体作为改性剂,与甲基丙烯酸烷基酯、丙烯酸烷基酯、丙烯酸羟烷基酯和烯基芳族化合物等单体通过种子乳液聚合方式进行共聚获得。产品稳定性好,可放置一年以上,并可明显提高涂膜的硬度、拉伸强度、耐水性、附着力及耐擦洗性,广泛用于外墙涂料、防水涂料和玻璃装璜涂料等。

    一种二次离子质谱定量分析方法

    公开(公告)号:CN1030231C

    公开(公告)日:1995-11-08

    申请号:CN91107523.2

    申请日:1991-11-06

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明涉及一种固体材料中元素含量的无标样定量分析方法。以往用SIMS方法定量分析固体材料需用消耗性标样、耗资昂贵。本发明将SIMS法与ISS法有机地结合,测得待测样品的ISS深度剖析谱和SIMS谱,经计算即可得到精度较高的定量分析结果。本发明既利用了ISS方法能定量的特点又保留了SIMS方法高精度的优点,首创了SIMS无标样定量分析的方法。

    一种单晶材料的抗弯曲强度机械测量装置

    公开(公告)号:CN85201254U

    公开(公告)日:1986-06-25

    申请号:CN85201254

    申请日:1985-04-01

    Applicant: 复旦大学

    Inventor: 顾孝义 宗祥福

    Abstract: 该装置是针对各向异性的晶体材料需进行抗弯曲强度测量而提出来的。该装置包括一个特殊设计的样品架,一套由下而上连续加载测力机构和位移传感器。它可以通过调节样品架上24个螺钉位置,使单晶片与样品架呈多点式接触,以适应(100)、(111)等晶向材料的抗弯曲强度测量。测量不用切割样品,并能用于φ33φ125毫米各种圆片材料的直接测量。该装置是半导体器件工艺过程中,控制投片质量的理想检测工具。

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