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公开(公告)号：CN112331770A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202010147423.1
申请日：2020-03-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在一些实施例中，本发明涉及一种金属‑绝缘体‑金属(MIM)器件。金属‑绝缘体‑金属器件包含衬底，以及堆叠在衬底上方的第一电极和第二电极。介电层布置于第一电极与第二电极之间。此外，金属‑绝缘体‑金属器件包含安置于衬底上方且通过第一电极与介电层分离的钛吸气层。钛吸气层具有比介电层更高的吸氢能力。
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公开(公告)号：CN106816438B
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201611092388.8
申请日：2016-11-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 李陈毅 , 黄士芬 , 王培伦 , 何大椿 , 钟于彰 , 穆罕默德·阿尔-夏欧卡 , 亚历克斯·卡尔尼茨基
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 本发明的一些实施例提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：第一晶体管，被配置为包括第一阈值电压水平。该第一晶体管包括栅极结构。该栅极结构包括：包括第一导电类型的第一部件。第二晶体管被配置为包括与第一阈值电压水平不同的第二阈值电压水平。该第二晶体管包括栅极结构。该栅极结构包括：包括第一导电类型的第二部件。至少一个额外部件设置在第二部件上方。该至少一个额外部件包括与第一导电类型相反的第二导电类型。连接第一晶体管和第二晶体管以通过第一阈值电压水平和第二阈值电压水平之间的期望电压差确定至少一个额外部件的数量。本发明还提供了另一种半导体器件和一种制造半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN110967379A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201910885185.1
申请日：2019-09-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01N27/00 , G01N27/22 , H01L41/113 , H01L41/22
Abstract: 在一些实施例中，提供一种压电式生物传感器。所述压电式生物传感器包括半导体衬底。第一电极设置在半导体衬底之上。压电结构设置在第一电极上。第二电极设置在压电结构上。感测储库设置在压电结构之上且暴露到周围环境，其中感测储库被配置成收集包括多个生物实体的流体。
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公开(公告)号：CN108226247A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201710843787.1
申请日：2017-09-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01N27/327
Abstract: 本发明实施例提供一种半导体装置，所述半导体装置包括具有嵌入于所述半导体装置内的片上参考电极的生物传感器。在一些实施例中，一对源极/漏极区安置于装置衬底内且由沟道区分离。隔离层安置于所述装置衬底上方。感测井自所述隔离层的上表面安置而上覆所述沟道区。生物感测膜沿所述隔离层的所述上表面安置且沿所述感测井的侧壁及下表面延伸。参考电极垂直安置于所述生物感测膜与所述隔离层之间。
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公开(公告)号：CN112350612B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN201911081771.7
申请日：2019-11-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本揭露涉及一种用于恢复或防止压电装置的劣化装置性能的方法及其系统。用于恢复压电装置的劣化装置性能的方法包括在运行模式中藉由对压电装置施加大于或等于第一振幅的一或多个电压脉冲以在第一时间段内操作压电装置，和在第一时间段的期间确定压电装置的性能参数具有已与参考值偏离大于预定阈值的第一值。在第二时间段的期间，方法更包括向压电装置施加包括正电压偏压和负电压偏压的双极性半波。在第三时间段的期间，方法更包括在运行模式中操作压电装置，其中性能参数具有第二值。第二值与参考值之间的绝对差小于第一值与参考值之间的绝对差。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116553469A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202210977196.4
申请日：2022-08-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开涉及混合超声换能器系统。本公开涉及一种集成芯片结构。该集成芯片结构包括设置在衬底上的电介质堆叠。集成芯片结构还包括一个或多个压电式微机械超声换能器(PMUT)和一个或多个电容式微机械超声换能器(CMUT)。一个或多个PMUT包括设置在所述电介质堆叠内、位于一个或多个PMUT腔之上的压电堆叠。一个或多个CMUT包括设置在所述电介质堆叠内并由一个或多个CMUT腔分隔开的电极。隔离室被布置在所述电介质堆叠内、横向位于所述一个或多个PMUT和所述一个或多个CMUT之间。所述隔离室在竖直方向上延伸经过所述一个或多个PMUT和所述一个或多个CMUT两者的至少一部分。
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公开(公告)号：CN107046061B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201611180557.3
申请日：2016-12-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/40 , H01L21/336
Abstract: 本发明的实施例公开了一种半导体结构。半导体结构包括：衬底；在衬底上方形成的栅极结构；在栅极结构的任一侧上在衬底中形成的源极区和漏极区，源极区和漏极区均具有第一导电类型；以及在栅极结构和漏极区之间的衬底上方形成的场板；其中场板连接到衬底的源极区或块状电极。本发明的实施例还公开了用于制造半导体结构的相关方法。
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公开(公告)号：CN113053877A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202011563976.1
申请日：2020-12-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/08 , H01L21/822 , H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: 本公开的各种实施例涉及一种包含邻接沟槽电容器的柱结构的集成电路(IC)。衬底具有定义沟槽的多个侧壁。沟槽延伸到衬底的前侧表面中。沟槽电容器包含多个电容器电极层和多个电容器介电层，多个电容器电极层和多个电容器介电层分别衬于沟槽且定义衬底内的空腔。柱结构设置于衬底内。柱结构具有第一宽度和小于第一宽度的第二宽度。第一宽度与衬底的前侧表面对准，且第二宽度与设置在前侧表面之下的第一点对准。
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公开(公告)号：CN109307701B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201711281901.2
申请日：2017-12-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01N27/414
Abstract: bioFET器件包括具有第一表面和与第一表面相对、平行的第二表面的半导体衬底以及半导体衬底上的多个bioFET传感器。每个bioFET传感器均包括形成在半导体衬底的第一表面上的栅极以及形成在栅极下面的半导体衬底内和半导体衬底中的源极/漏极(S/D)区域之间的沟道区域。沟道区域包括半导体衬底的第二表面的部分。隔离层设置在半导体衬底的第二表面上。隔离层具有位于多个bioFET传感器的多于一个bioFET传感器的沟道区域上方的开口。界面层设置在开口中的多于一个bioFET传感器的沟道区域上。本发明的实施例涉及BioFET器件的制造方法和传感器阵列。
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公开(公告)号：CN112683755A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202010870002.1
申请日：2020-08-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01N15/14 , G01N33/487 , G01N33/543 , G01N27/327 , G01N33/574 , G01N33/58
Abstract: 公开了具有bioFET传感器、生物指纹传感器和温度传感器的阵列的半导体器件的结构以及制造该半导体器件的方法。用于制造半导体器件的方法包括：在半导体衬底的第一侧上形成栅电极，在半导体衬底内的源极区域和漏极区域之间形成沟道区域，以及在半导体衬底的第二侧上形成压电传感器区域。第二侧基本平行于第一侧并且与第一侧相对。该方法还包括在压电传感器区域的形成期间在第二侧上形成温度感测电极，在沟道区域上形成感测阱，以及将捕获试剂结合在感测阱上。
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