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公开(公告)号：CN103390625B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201210519818.5
申请日：2012-12-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了用于BSI图像传感器的背面结构和方法。在实施例中，提供衬底，该衬底具有传感器阵列区和外围区并且具有正面和背面；在背面上方形成底部抗反射涂层(BARC)至第一厚度，其位于传感器阵列区和外围区上方；在BARC上方形成第一介电层；形成金属覆盖物；从传感器阵列区上方选择性去除金属覆盖物；从传感器阵列区上方选择性去除第一介电层，其中，在选择性去除第一介电层的过程中还去除一部分第一厚度的BARC并且保留第一厚度BARC的剩余物；在BARC的剩余物上方和金属覆盖物上方形成第二介电层；以及在第二介电层上方形成钝化层。
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公开(公告)号：CN102270648B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201010528295.1
申请日：2010-10-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14685 , H01L27/1462 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14689
Abstract: 本发明公开了一种包含图像感测元件的装置及图像感测元件的制造方法，该装置包括：一基底，具有一前侧及一背侧；一第一光线感测元件及一第二光线感测元件，设置于该基底之中，该第一及第二光线感测元件用以检测透过该背侧进入该基底的光波；以及一抗反射涂布层，具有一第一折射系数，且设置于该基底的该背侧上，该抗反射涂布层具有一第一脊状结构及一第二脊状结构，分别设置于该第一光线感测元件及第二光线感测元件之上；其中该第一脊状结构及第二脊状结构由一物质所分离，该物质具有一第二折射系数，该第二折射系数小于该第一折射系数。本发明能够缩减光学干扰并增进量子效率。
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公开(公告)号：CN102769021A
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201110241590.3
申请日：2011-08-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L31/0352
CPC classification number: H01L27/1464 , H01L27/14623 , H01L27/14636
Abstract: 提供了一种图像传感器件。该图像传感器件包括具有正面和背面的基板，该背面相对于正面。该基板具有像素区域和外围区域。该图像传感器件包括设置在基板的像素区域中的多个辐射感应区域。每个辐射感应区域都能够通过操作感测出通过背面投射到辐射感应区域的辐射。该图像传感器件包括设置在外围区域中的参考像素。该图像传感器件包括连接到基板的正面的互连结构。该互连结构包括多个互连层。该图像传感器件包括形成在基板的背面上方的薄膜。该薄膜使得基板受到张应力。该图像传感器件包括设置在薄膜上方的辐射阻挡器件。本发明还提供了一种带有经过改进的应力免疫的背面照明图像传感器。
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公开(公告)号：CN112117289B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202010546967.5
申请日：2020-06-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请的各个实施例针对包括波长可调窄带滤色器的图像传感器以及用于形成图像传感器的方法。在一些实施例中，图像传感器包括衬底、第一光电探测器、第二光电探测器和滤色器。第一光电探测器和第二光电探测器相邻地位于衬底中。滤色器位于第一光电探测器和第二光电探测器上面，并且包括第一分布式布拉格反射器(DBR)、第二DBR以及位于第一DBR和第二DBR之间的中间层。中间层的厚度在第一光电探测器上面具有第一厚度值并且在第二光电探测器上面具有第二厚度值。在一些实施例中，滤色器限于单个中间层。在其它实施例中，滤色器还包括第二中间层，第二中间层限定嵌入第一中间层中的柱状结构并且具有与第一中间层不同的折射率。
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公开(公告)号：CN117199095A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311250755.2
申请日：2019-01-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L31/0232 , H01L31/103 , H01L23/552 , H01L23/58 , H01L23/64 , H01L23/66 , H01L25/04 , H01L25/16 , H01L21/50 , H03H7/09 , H03H7/12
Abstract: 在一些实施例中，本发明涉及三维集成芯片。该三维集成芯片包括第一集成芯片(IC)管芯和第二IC管芯。第一IC管芯具有第一图像传感器元件，该第一图像传感器元件配置为从第一波长范围内的电磁辐射产生电信号。第二IC管芯具有第二图像传感器元件，该第二图像传感器元件配置为从不同于第一波长范围的第二波长范围内的电磁辐射产生电信号。第一带通滤波器布置在第一IC管芯和第二IC管芯之间，并配置为反射第一波长范围内的电磁辐射。本发明的实施例还涉及用于堆叠传感器的带通滤波器。
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公开(公告)号：CN116564983A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310231796.0
申请日：2023-03-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明的各个实施例针对具有设置在半导体衬底内的光电探测器的图像传感器。介电结构设置在半导体衬底的第一侧上。隔离结构从介电结构延伸到半导体衬底的第一侧中。隔离结构横向地环绕光电探测器并且包括设置在半导体衬底的第一侧之上并且直接接触介电结构的侧壁的上部部分。隔离结构包括不同于介电结构的第二材料的第一材料。本发明的实施例还提供了形成图像传感器的方法。
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公开(公告)号：CN107293560B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN201710063231.0
申请日：2017-02-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明实施例涉及一种具有自动聚焦功能的图像传感器和相关方法。在一些实施例中，图像传感器具有彼此相邻地成行设置的第一和第二图像传感像素。第一和第二图像传感像素的每个分别具有左PD(相位检测)像素和右PD(相位检测)像素，左PD像素包括可操作地连接到左传输门的左光电二极管，右PD像素包括可操作地连接到右传输门的右光电二极管。第二图像传感像素的右传输门是第一图像传感像素的左传输门沿着第一和第二图像传感像素之间的边界线的镜像。第二图像传感像素的左传输门是第一图像传感像素的右传输门沿着边界线的镜像。本发明实施例涉及全PDAF(相位检测自动聚焦)CMOS图像传感器结构。
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公开(公告)号：CN105990383B
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201510673820.1
申请日：2015-10-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明的实施例提供了一种用于背照式(BSI)像素传感器的半导体结构。光电二极管布置在半导体衬底内。复合栅格包括：金属栅格和低折射率(低n)栅格。金属栅格包括位于半导体衬底上面并且对应于光电二极管中的一个的第一开口。低n栅格包括位于半导体衬底上面并且对应于光电二极管中的一个的第二开口。滤色器布置在相应的光电二极管的第一开口和第二开口中并且滤色器的折射率大于低n栅格的折射率。滤色器的上表面相对于复合栅格的上表面偏移。本发明也提供了一种用于制造BSI像素传感器的方法。本发明的实施例还涉及用于降低背照式图像传感器中的串扰的复合栅格结构。
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公开(公告)号：CN110600489A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910035872.4
申请日：2019-01-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 在一些实施例中，本发明实施例涉及图像传感器集成芯片及其形成方法。集成芯片具有布置在衬底的像素区内的图像感测元件。在位于衬底的第一侧内的沟槽中设置第一电介质。通过设置在像素区的相对侧上的第一侧壁限定沟槽。内部反射增强结构布置为沿着衬底的第一侧并且配置为将从衬底射出的辐射反射回衬底中。本发明实施例涉及半导体图像传感器。
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公开(公告)号：CN105990384B
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201510759939.0
申请日：2015-11-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14645 , H01L27/14621 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14685
Abstract: 本发明提供了一种用于背照式(BSI)像素传感器的半导体结构。光电二极管布置在半导体衬底内。金属栅格位于半导体衬底上面并且由金属栅格部分组成，金属栅格部分分别围绕光电二极管的外围，从而使得金属栅格内的第一开口分别位于光电二极管上面。低‑n栅格由低‑n栅格部分组成，低‑n栅格部分分别围绕光电二极管的相应的外围，从而使得低‑n栅格内的第二开口分别位于光电二极管上面。滤色镜布置在光电二极管的第一开口和第二开口中，并且滤色镜的折射率大于低‑n栅格的折射率。衬底隔离栅格延伸至半导体衬底中并且由隔离栅格部分组成，隔离栅格部分分别围绕光电二极管的外围。本发明还提供了一种用于制造BSI像素传感器的方法。
