公开(公告)号：CN102482767A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201080038093.7

申请日：2010-08-26

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 高桥功 ,  广濑清慈 ,  仓桥和夫 ,  中嶋章文 ,  周伟铭

IPC: C23C14/34 ,  C22F1/08 ,  C22F1/00

CPC classification number: C22F1/08 ,  C23C14/3414

Abstract: 本发明涉及一种溅射靶用铜材料及其制造方法，该溅射靶用铜材料由纯度为99.99％以上的高纯度铜构成，进行溅射的面中的{111}面、{200}面、{220}面和{311}面的各自的X射线衍射的峰强度即I{111}、I{200}、I{220}和I{311}满足下式(1)，且晶粒的粒径为100～200μm。I{200}/(I{111}+I{200}+I{220}+I{311})≥0.4 …(1)。