-
公开(公告)号:CN101851510A
公开(公告)日:2010-10-06
申请号:CN201010186604.1
申请日:2010-05-26
Applicant: 厦门大学
IPC: C09K11/80
Abstract: 用共沉淀法制备稀土铈离子掺杂钇铝石榴石荧光粉的方法,涉及一种荧光粉。将氧化钇粉末用过量浓硫酸将其溶解,再与硝酸铈和硝酸铝溶液混合配成金属离子溶液,Y3+∶Ce3+∶Al3+=2.94∶0.06∶5;将金属离子溶液加到沉淀剂中,得共沉淀物;将共沉淀物清洗,抽滤,烘干,得前驱体;将前驱体预烧,得预烧粉末;将预烧粉末煅烧,得稀土铈离子掺杂钇铝石榴石荧光粉。使用的共沉淀法是在离子状态下进行混合,可比机械混合法更均匀,并且减小掺入杂质的机会,使精确控制化学计算较为容易,颗粒度可根据反应条件控制。优选沉淀剂等,通过共沉淀法,在1100℃时就可形成纯的YAG相,比传统高温固相反应法低约500℃。
-
公开(公告)号:CN102358620B
公开(公告)日:2013-04-17
申请号:CN201110278875.4
申请日:2011-09-16
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种金属硅中除硼的方法,涉及一种金属硅除硼方法。提供一种造渣与酸洗工艺相结合,使其满足太阳能级多晶硅要求的金属硅中除硼的方法。将造渣剂与金属硅混合后碾压成球形硅料,再装入熔炼炉,在氩气氛围下进行造渣处理;将造渣处理后的硅料粉碎、研磨、过筛,得到硅粉;将所得硅粉加入到盐酸和氢氟酸的混合液中浸泡;将所得硅粉加入到硝酸和双氧水的混合液中浸泡;将所得硅粉加入到氢氟酸和有机胺的混合液中浸泡,冲洗、抽滤,得到冲洗干净的硅粉;将所得到的硅粉进行喷雾干燥,得到低硼的冶金硅粉。工艺简单、质量稳定、成本低,便于产业化推广。
-
公开(公告)号:CN102139878B
公开(公告)日:2013-02-06
申请号:CN201110040914.7
申请日:2011-02-18
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种采用含钛化合物去除工业硅中硼杂质的方法。属于冶金领域,提供一种采用含钛化合物去除工业硅中硼杂质的方法。包括以下步骤:将工业硅与造渣剂混合,放入石墨坩埚中,置于熔炼炉中预热至1400~1600℃;依次用机械泵、罗茨泵对熔炼炉抽真空,加热至1500~1700℃,控制中频电源频率为80~120kW;进行通气搅拌并造渣,造渣充分后的硅液浇入模具中,凝固后的硅料切除杂质得除硼后的硅料。本发明中的造渣剂效果良好,分配比可达到5以上,对比单纯的Ca系造渣剂有显著提高。显著降低了工业硅中硼含量,具有广阔的应用前景。
-
公开(公告)号:CN102101671B
公开(公告)日:2012-11-14
申请号:CN201110000994.3
申请日:2011-01-05
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种采用含镁化合物去除工业硅中硼磷杂质的方法,涉及一种工业硅。利用中频感应炉将造渣剂和硅料熔化,使硅料中的B和P形成氧化物进入渣相中从而达到提纯目的。确定了达到氧化除硼最大效率的成分配比,并同时给定了工业生产过程中的渣硅比、中频熔炼功率、反应温度、反应时间、搅拌速度等工艺参数的合适范围,形成一套低成本又可工业量产的太阳能级多晶硅生产工艺。具有渣剂多次使用、可连续化生产和操作简单等优点。可以将工业硅中的B含量从8ppmw降低到0.1~0.5ppmw,P含量从15ppmw降低到1~3ppmw。
-
公开(公告)号:CN102154638B
公开(公告)日:2012-09-12
申请号:CN201110069200.9
申请日:2011-03-21
Applicant: 厦门大学
IPC: C23C22/63
Abstract: 一种黄铜零件发黑液及其制备方法与应用,涉及一种黄铜零件的表面处理工艺,提供一种发黑稳定、发黑时间短、发黑膜耐磨且黑色纯正、光亮性好、生产成本低的黄铜零件发黑液及其制备方法与应用。包括:配制发黑液,浸蚀液和活化液;将除油后的黄铜零件浸蚀,再进行活化,活化后的黄铜零件置于发黑液中发黑,取出后用蒸馏水清洗,干燥;清油中封闭,晾干,即得发黑后的黄铜零件。解决了传统铜氨氧化着黑液存在的发黑液不稳定,氨水易挥发致污染环境,发黑膜疏松,膜层不坚固耐磨、颜色不纯正等问题,研制出一种常温快速发黑的发黑液。该发黑剂具有发黑时间短、发黑膜耐磨且黑色纯正、生产成本低等优异性,具有广阔的推广和应用前景。
-
公开(公告)号:CN102358620A
公开(公告)日:2012-02-22
申请号:CN201110278875.4
申请日:2011-09-16
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种金属硅中除硼的方法,涉及一种金属硅除硼方法。提供一种造渣与酸洗工艺相结合,使其满足太阳能级多晶硅要求的金属硅中除硼的方法。将造渣剂与金属硅混合后碾压成球形硅料,再装入熔炼炉,在氩气氛围下进行造渣处理;将造渣处理后的硅料粉碎、研磨、过筛,得到硅粉;将所得硅粉加入到盐酸和氢氟酸的混合液中浸泡;将所得硅粉加入到硝酸和双氧水的混合液中浸泡;将所得硅粉加入到氢氟酸和有机胺的混合液中浸泡,冲洗、抽滤,得到冲洗干净的硅粉;将所得到的硅粉进行喷雾干燥,得到低硼的冶金硅粉。工艺简单、质量稳定、成本低,便于产业化推广。
-
公开(公告)号:CN101837980B
公开(公告)日:2011-12-14
申请号:CN201010177791.7
申请日:2010-05-20
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种采用硫化物去除工业硅中硼磷杂质的方法,涉及工业硅。将渣料预熔;将预熔后的渣料与工业硅混合后放入石墨坩埚,抽真空,当真空度小于500Pa时启动罗茨泵,使真空在5Pa以下,接着关闭真空阀,通过石墨通气棒向体系通入Ar气,使真空度维持在5000~10000Pa;启动中频感应电源加热,待熔化后将石墨通气棒降至硅液表面上方1~3cm预热后,通入Ar气,并将通气棒插入硅液,通气搅拌;测量熔液温度,通过调节中频频率使反应温度维持在1600~1800℃;造渣后将通气棒升离坩埚,将熔炼完成的熔液浇注入模具中,凝固,得硅锭,完成采用硫化物去除工业硅中硼磷杂质的工作。可操作性强,适合于产业化。
-
-
-
-
-
-