一种金属卤化物在制备加速器束流探测器闪烁体中的应用

    公开(公告)号:CN114966809A

    公开(公告)日:2022-08-30

    申请号:CN202210545326.7

    申请日:2022-05-19

    Abstract: 本发明公开了一种金属卤化物在制备加速器束流探测器的闪烁体中的应用,所述闪烁体由金属卤化物单晶薄片或金属卤化物微晶制备得到;所述微晶是尺寸为5纳米~200微米的晶粒,其占闪烁体总质量的25%~95%;所述金属卤化物为钙钛矿、双钙钛矿或钙钛矿衍生物。具有高光产额、高发光效率、低成本、耐辐射的优势,从而可获得提高灵敏度、长使用寿命、低成本的加速器闪烁体束流探测器。

    一种X射线闪烁体的制备方法

    公开(公告)号:CN114890452A

    公开(公告)日:2022-08-12

    申请号:CN202210546112.1

    申请日:2022-05-19

    Abstract: 本发明属于材料技术领域,公开了一种X射线闪烁体的制备方法,该方法将材料利用机械法制备成金属卤化物粉末,然后将制得的金属卤化物粉末与载体混合,使用涂布机制备X射线闪烁体;金属卤化物粉末与载体的混合比例为金属卤化物粉末占薄膜总质量的25%‑95%。本发明实现的X射线闪烁体采用低温工艺制备,操作简单、可控性强、可重复性好,可具有很好的柔韧性,可根据测试需求任意变换形状,并且利于制备大面积X射线闪烁体,检测限低、灵敏度高、成像分辨率高,可实现大规模工业化生产。

    一种激发光强相关的绝对光致发光量子效率测量方法

    公开(公告)号:CN111982864A

    公开(公告)日:2020-11-24

    申请号:CN201910438390.3

    申请日:2019-05-24

    Inventor: 王建浦 邹伟

    Abstract: 本发明公开了一种激发光强相关的绝对光致发光量子效率测量方法,该方法包括以下步骤:步骤一:测量单一固定激发强度的绝对光致发光量子效率,步骤二:获得不同光强下的相对光致发光量子效率;步骤三:将步骤一中固定激发强度的绝对量子效率数值η与步骤二获得的相对光致发光量子效率比对,找到该激发强度下的相对光致发光量子效率R(x)并进行替换,其它激发强度下的相对光致发光量子效率也按该比例放大或缩小。本发明首先利用积分球测试系统测量单一固定激发强度的绝对PLQE,再与锁相测量系统获得的不同激发光强下的相对光致发光量子效率相互校准,能够快速并准确地测得材料在不同激发光强条件下的绝对光致发光量子效率。

    一种有效提升发光器件效率的钙钛矿膜层、器件和制备方法

    公开(公告)号:CN109980095B

    公开(公告)日:2020-06-09

    申请号:CN201711439127.3

    申请日:2017-12-27

    Abstract: 本发明公开了一种有效提升钙钛矿光电器件效率的钙钛矿膜层及器件和制备方法,所述钙钛矿膜层是由一层非连续、不规则分布的钙钛矿晶粒和嵌入在钙钛矿晶粒之间的低折射率有机绝缘层组成,其中,钙钛矿晶粒形成多个凸部,有机绝缘层形成在凸部之间的多个凹部。通过在钙钛矿前驱体溶液中添加过量的烷基铵盐和/或带有特定官能团的有机分子,在薄膜制备过程中自发形成钙钛矿晶粒和嵌入在钙钛矿晶粒之间有机绝缘层的凹凸结构,并且其可使上层电荷传输层和电极自发形成具有高低起伏的褶皱结构。这种通过简单溶液法形成的特殊钙钛矿薄膜结构可有效提高光收集效率,最终提升钙钛矿发光器件性能。

    钙钛矿材料多量子阱结构调控方法及其应用和器件

    公开(公告)号:CN108305948B

    公开(公告)日:2020-01-24

    申请号:CN201710019208.1

    申请日:2017-01-11

    Abstract: 本发明公开了一种基于薄膜后处理的钙钛矿材料多量子阱结构调控方法及其应用和器件,通过薄膜后处理工艺来调节钙钛矿材料多量子阱结构;选用的材料为可自组装形成多量子阱结构的钙钛矿材料,该材料由AX1、BX2和MX32按摩尔比a:b:c制备得到,其中A为R1‑Y+,R1‑为具有1~50个碳原子的脂族烃基、具有5~100个碳原子的脂环族烃基、具有6~100个碳原子的任取代的芳基或具有3~100个碳原子的任取代的杂环基,Y+为胺、含N杂环有机阳离子中的任意一种;B为甲胺、甲脒或金属离子;M为金属元素;X1X2X3为卤族元素;薄膜后处理条件为:加热退火、溶剂退火、真空干燥三者之一或其组合;通过多量子阱结构的调控可实现器件效率的优化。

    一种钙钛矿量子点薄膜及其制备方法和器件

    公开(公告)号:CN110534655A

    公开(公告)日:2019-12-03

    申请号:CN201810509341.X

    申请日:2018-05-24

    Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿量子点薄膜及其制备方法和器件,钙钛矿量子点薄膜的制备方法包括以下步骤:将AX、BX2和短链有机配体溶于溶剂中获得钙钛矿ABX3前驱体溶液,其中A为金属阳离子或烷基铵离子、B为二价金属阳离子、X为卤素阴离子;在旋涂过程中结合反溶剂法原位生长钙钛矿量子点薄膜,并进行加热退火。本发明的优点是在旋涂制备薄膜过程中原位生长钙钛矿量子点,薄膜成膜性好、荧光量子效率高、制备工艺简单、发光波长可调,并且可采用短链有机配体,使量子点薄膜的导电性提升,有利于制备出更高效、稳定的钙钛矿发光二极管。

    一种有效提升发光器件效率的钙钛矿膜层、器件和制备方法

    公开(公告)号:CN109980095A

    公开(公告)日:2019-07-05

    申请号:CN201711439127.3

    申请日:2017-12-27

    Abstract: 本发明公开了一种有效提升钙钛矿光电器件效率的钙钛矿膜层及器件和制备方法,所述钙钛矿膜层是由一层非连续、不规则分布的钙钛矿晶粒和嵌入在钙钛矿晶粒之间的低折射率有机绝缘层组成,其中,钙钛矿晶粒形成多个凸部,有机绝缘层形成在凸部之间的多个凹部。通过在钙钛矿前驱体溶液中添加过量的烷基铵盐和/或带有特定官能团的有机分子,在薄膜制备过程中自发形成钙钛矿晶粒和嵌入在钙钛矿晶粒之间有机绝缘层的凹凸结构,并且其可使上层电荷传输层和电极自发形成具有高低起伏的褶皱结构。这种通过简单溶液法形成的特殊钙钛矿薄膜结构可有效提高光收集效率,最终提升钙钛矿发光器件性能。

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