公开(公告)号：CN210578887U

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201921700381.9

申请日：2019-10-12

Applicant: 南京威派视半导体技术有限公司

Inventor： 马浩文

IPC: H04N5/359 ,  H04N5/361 ,  H04N5/378 ,  H04N5/355 ,  H04N5/374

Abstract: 本实用新型提供一种电压域全局曝光图像传感器的像素单元及其传感器。其中，像素单元包括光电转换单元、采样单元、复位单元和读取单元；光电转单元包括浮栅感光晶体管和第一源极跟随晶体管，采样单元包括采样晶体管，复位单元包括复位晶体管，读取单元包括第二源极跟随晶体管和读取选择晶体管，采样晶体管的源极与复位晶体管的漏极相连的节点构成浮置扩散节点。本实用新型使用浮置扩散节点作为采样信号存储节点，与光电荷积累区域隔离，不进行光电荷转移即可实现全局曝光功能，从而提高了像素单元的PLS性能，最终提高了图像质量。

公开(公告)号：CN214152900U

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN202023306228.3

申请日：2020-12-30

Applicant: 南京威派视半导体技术有限公司

Inventor： 马浩文 ,  沈凡翔 ,  王子豪 ,  王凯 ,  李张南 ,  顾郅扬 ,  胡心怡 ,  柴智 ,  陈辉 ,  常峻淞 ,  李龙飞

IPC: H01L27/146

Abstract: 本实用新型涉及一种复合介质栅横向收集光敏探测器，包括形成在同一P型半导体衬底正面的复合介质栅MOS电容和复合介质栅晶体管，还包括埋栅MOS电容，埋栅MOS电容位于P型半导体衬底背面且正对上方复合介质栅MOS电容的中心位置，复合介质栅MOS电容与复合介质栅晶体管在P型半导体衬底中通过浅槽隔离区隔开；复合介质栅晶体管在P型半导体衬底中还设有源极和漏极；埋栅MOS电容包括从P型半导体衬底的背面向上延伸至衬底内部的柱形深槽，柱形深槽中设有埋栅和绝缘介质埋层，埋栅从P型半导体衬底的底部界面沿柱形深槽的中心线向上延伸，绝缘介质埋层以均匀厚度包裹在埋栅的外周将埋栅与P型半导体衬底相隔离。本发明通过横向收集光电荷，光电荷收集效率高。

公开(公告)号：CN210578954U

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201921700892.0

申请日：2019-10-12

Applicant: 南京威派视半导体技术有限公司

Inventor： 马浩文

IPC: H04N9/04 ,  G01J3/28

Abstract: 本实用新型提供一种具有多通道窄带滤色片阵列的图像传感器。该图像传感器包括二维光敏像素阵列和多通道窄带滤色片阵列，滤色片阵列位于光敏像素阵列感光面的上方，且每一个光敏像素对应一个带宽的窄带滤色片；光敏像素阵列和滤色片阵列均由最小重复单元重复排列组成，最小重复单元分别由n*n个光敏像素或者窄带滤色片构成，其中n为大于2的正整数。本实用新型的图像传感器具有多通道窄带滤色片阵列，能够进行高光谱成像，可以同时获得光谱分辨率和空间分辨率，可以快速、高性能地获得光谱信息和空间信息，集成度高，成本低。