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公开(公告)号：CN109216472A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810990583.5
申请日：2018-08-28
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网山西省电力公司晋城供电公司 , 国家电网有限公司
IPC: H01L29/868 , H01L21/324 , H01L21/265 , H01L21/329
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，提供一种快恢复二极管及其制备方法，其中快恢复二极管包括：第一导电类型的衬底；第二导电类型的半导体层，形成在衬底上，第二导电类型与第一导电类型相反；掺杂层，形成在衬底内且与衬底的导电类型相同，掺杂层是通过向衬底注入掺杂离子，并以预定温度退火得到的，预定温度小于500℃。该掺杂层同时兼备寿命阻挡以及寿命控制的作用，在反向阻断状态下，掺杂层能够降低其下方空间电荷区整体电场强度(即，掺杂层，与快恢复二极管的阴极之间的空间电荷区域)，减少了电子空穴对的分离能量，从而降低二极管反向阻断状态下的漏电流，降低了快恢复二极管的额定反向电压的损耗。
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公开(公告)号：CN119944861A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510030334.1
申请日：2025-01-08
Applicant: 国家电网有限公司华北分部 , 华北电力大学
Inventor： 李庆海 , 徐衍会 , 董烨 , 李雪松 , 李付强 , 孙宇航 , 罗亚洲 , 刘一民 , 张晶 , 梁明亮 , 季节 , 刘健 , 王超 , 李玟萱 , 高杨鹤 , 赵伟 , 徐鹏 , 潘艳 , 訾鹏 , 姜尚光 , 肖伟栋
IPC: H02J3/48 , H02J3/24 , H02J3/28 , H02J3/06 , G06F30/20 , G06F113/04 , G06F111/04
Abstract: 本发明公开了属于电力系统机组组合优化技术领域，特别涉及一种考虑频率约束与风‑储调频控制的机组组合优化方法，包括：构建系统频率安全约束；构建满足风储调频及所述系统频率安全约束的机组组合优化模型；基于所述机组组合优化模型实现考虑频率约束与风‑储调频控制的机组组合优化。通过频率最低点约束、控制各时段内的各电源出力，以提升各类电源调节能力，实现电网频率稳定，避免风电的随机性引发频率较大波动，同时风电的消纳率，促进绿色能源利用，并提升经济效益，从而推动电力系统的可持续发展。
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公开(公告)号：CN119671138A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411729117.3
申请日：2024-11-28
Applicant: 国家电网有限公司华北分部
IPC: G06Q10/0631 , G06Q50/06
Abstract: 本发明公开了一种基于多目标的输电通道容量规划方法，涉及电力决策规划技术领域，解决了现有技术中对于功率汇聚外送输电容量的规划大多是按照风电场的额定装机容量进行规划的问题。本发明首先采集构建及求解目标函数时所需的数据，包括市场电价。然后，以利润最大化为目标，构建目标函数，并设定了预算约束和发电容量约束两个约束条件，最后基于梯度上升法求解目标函数，得到最优的输电通道容量规划策略。总之，本发明基于利润最大化构建目标函数，当风电外送输电容量增加时，弃电量减少，送电量增加，但输电成本同样增加；当输送容量减少时，弃风电量增加，送电量减少，但相应的输电成本下降，因此必然会存在一个值使规划成本最优。
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公开(公告)号：CN119558738A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411646789.8
申请日：2024-11-18
Applicant: 国家电网有限公司华北分部 , 北京交通大学
IPC: G06Q10/067 , G06Q10/04 , G06Q50/06 , G06N3/006 , G06F17/11
Abstract: 本发明公开了一种基于改进蝙蝠算法的电力系统负荷模型参数辨识方法，涉及电力系统及其自动化领域，本申请对传统的蝙蝠算法进行了多环节优化，包括使用混沌映射对初值进行优化，以及将适应度共享、混合局部搜索策略应用于蝙蝠算法当中，有助于实现算法跳出局部最优解，解决全局寻优问题。其过程为：首先进行混沌映射遍历全部解空间，对解进行初始化，应用蝙蝠算法，在算法应用过程中计算各解的适应度，对解空间中峰值附近的解共享适应度，一定范围内存在的解越多，其适应度越低，在算法运行一定的循环次数后，使用单纯形法进行二次搜索。该方法解决了传统蝙蝠算法易限于局部最优解的问题，使得该负荷模型参数辨识方法具有更高的辨识精度。
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公开(公告)号：CN109860283B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN201910040864.9
申请日：2019-01-16
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网湖北省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L21/331
Abstract: 本发明提供了一种IGBT、IGBT背面的制作方法和装置，在N型硅片的背面采用离子注入方式形成场终止层，并对所述场终止层进行激光退火处理；在所述场终止层的底部形成P+集电极层，并依次对有源区的P+集电极层和整个背面的P+集电极层进行激光退火处理；在所述有源区的P+集电极层和整个背面的P+集电极层的底部分别形成背面金属层，不需要光刻程序，仅需要一次注入即可形成，简化了制作过程，大大提高了制作效率，降低了制作成本。且本发明通过不同激光退火条件实现有源区的P+集电极层和整个背面的P+集电极层激光退火，能够降低终端区P+注入效率，减小过渡区电场积累，提高IGBT可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115296319A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210740615.2
申请日：2022-06-27
Applicant: 清华大学 , 国家电网有限公司华北分部
Abstract: 本申请涉及电力系统技术领域，特别涉及一种电化学储能并网系统的相量动态建模方法及装置，其中，方法包括：获取全部模型参数，包括变流器参数、变流器控制环节参数、直流母线电容、电池参数和交流电网参数；将电化学储能装置等效为工频受控电流源，并根据全部模型参数求解受控源输出，构建电化学储能装置模型；将交流电网中的所有电气元件等效为工频阻抗和工频电压源，构建交流电网模型；联立电化学储能装置模型和交流电网模型，得到电化学储能并网系统模型。由此，解决了相关技术中建模仿真精度较差，且仿真效率较低，无法快速、准确的分析电化学储能并网系统的长时间尺度动态特性，从而降低了建模结果的精确度，无法满足动态建模需求等问题。
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公开(公告)号：CN109671771B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN201811379016.2
申请日：2018-11-19
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网湖北省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L21/265 , H01L29/06 , H01L29/40 , H01L21/331
Abstract: 本发明公开了一种IGBT芯片的背面结构、IGBT芯片结构及制备方法，背面结构包括：缓冲层和掺杂层，掺杂层为在缓冲层进行离子注入形成；终端区及过渡区的掺杂层通过一次高温退火处理；有源区的掺杂层通过两次高温退火处理，实现有源区与终端区的不同空穴注入效率，改善IGBT过渡区存在的电流集中问题，提高可靠性。与现有技术中采用光刻工艺在有源区和终端区背面分别注入不同剂量的掺杂离子来实现有源区与终端区背面集电极不同注入效率的处理方式相比，仅采用了退火工艺，省去了光刻工艺，节约了制造成本。另外在缓冲层注入惰性离子缺陷层，形成缺陷层，使IGBT背面集电极可以采用更高的掺杂浓度，IGBT背面与背面金属容易形成良好的欧姆接触，降低IGBT通态压降。
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公开(公告)号：CN114123216A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111216356.5
申请日：2021-10-19
Applicant: 国家电网有限公司华北分部 , 清华四川能源互联网研究院
Abstract: 本发明公开了一种新能源电力系统的经济负荷分配方法、系统及介质，方法包括：构建新能源电力系统的目标函数；根据预设的约束条件初始化种群；根据目标函数和每个粒子的位置分别计算每个粒子的适应值；根据每个粒子的适应值计算每个粒子的个体最优值以及种群的全局最优值；根据粒子群算法更新种群中每个粒子的速度和位置；对种群进行遗传算法的选择、交叉、变异操作得到新的种群，并更新交叉概率和变异概率；满足结束条件，输出全局最优值对应的粒子，将所述粒子的位置中每台发电机组的经济负荷参数作为最优分配结果。本发明根据新能源电力系统的实际情况进行规划，更加适应新能源电力系统的实际情况，能够达到最优经济负荷分配。
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公开(公告)号：CN113097287A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN201911333532.6
申请日：2019-12-23
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网山东省电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L21/331 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供一种IGBT芯片终端结构及IGBT芯片终端结构制作方法，在N型衬底(1)的正面内部形成P型场限环(2)和镇流电阻区(3)；在P型场限环(2)和镇流电阻区(3)正面形成氧化层；在氧化层的正面形成正面金属层(9)，并在N型衬底(1)的背面形成背面结构，镇流电阻区(3)能够避免空穴电流集中和动态闩锁的发生，从而避免IGBT芯片在关断过程中烧毁失效，同时降低终端结构对应背面的P型集电区(11)的掺杂浓度，降低在IGBT芯片关断过程中的空穴电流密度，进一步提高IGBT芯片的抗动态闩锁能力和过电流关断能力。本发明还通过减小场板台阶处的刻蚀角度实现电场强度的降低，提高IGBT芯片在阻断态时的可靠性。
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公开(公告)号：CN110246814B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN201910467609.2
申请日：2019-05-30
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网山西省电力公司晋城供电公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明公开了一种功率芯片预封装、封装方法及其结构、晶圆预封装结构，用于晶圆，晶圆上阵列排布有多个功率芯片，功率芯片的第一电极位于晶圆的第一表面，功率芯片的第二电极位于晶圆的第二表面，该预封装方法包括：将多个第一引出电极分别连接在功率芯片的第一电极上；利用封装材料填充各个第一引出电极之间的空间，形成包围第一引出电极的第一封装层；将多个第二引出电极分别连接在功率芯片的第二电极上；利用封装材料填充第二引出电极之间的空间，形成包围第二引出电极的第二封装层；对晶圆进行切割，形成预封装功率芯片。通过实施本发明，避免了功率芯片终端受到污染的可能，提高了功率芯片终端耐压的可靠性。
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