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公开(公告)号：CN113753900A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202111177346.5
申请日：2021-10-09
Applicant: 北京科技大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 本发明提供了一种利用脉冲电流分离多晶硅中杂质元素的方法及多晶硅，涉及多晶硅净化技术领域，能够通过施加脉冲电流，仅依靠电场作用下元素在熔体中的溶解度降低来一次性去除硅熔体中的杂质元素；该方法通过向多晶硅熔体中施加脉冲电流降低多晶硅熔体的电阻率，进而降低杂质铁在多晶硅基体中的溶解度，促使多晶硅熔体中的杂质铁呈析出状态，并在重力作用下下沉至多晶硅熔体底部，实现杂质分离；在杂质分离且多晶硅熔体凝固后将多晶硅铸锭底部切除，得到高纯多晶硅铸锭。本发明提供的技术方案适用于多晶硅净化的过程中。
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