公开(公告)号：CN103193233B

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201310110863.X

申请日：2013-04-01

Applicant: 北京博大格林高科技有限公司 ,  北京大学

Inventor： 谢晓兵 ,  谷奎庆 ,  张斌 ,  徐大闯 ,  谢有畅

IPC: C01B33/033

Abstract: 本发明涉及一种通过钠还原四氟化硅法制备太阳能级多晶硅的装置和方法。该装置包括上下两室，上室为反应室，两室由通道相连接；上室内置石墨反应坩埚，石墨坩埚外围设有加热元件；石墨坩埚内底部呈倒锥形，中心开孔供液体物料坠入下室；该孔上覆盖一石墨双锥台，其上表面用于进行反应并阻挡液态钠直接坠入下室，该双锥台下锥的锥度与坩埚底部坡度相吻合，在该下锥的锥面上设有卸料通道，供液体物料汇流到石墨坩埚底部中心孔后坠入至下室的接收容器中。本发明利用氟化钠和硅的熔点差高效低成本地制得合格的太阳能级多晶硅，可以实现半连续的大规模工业生产。

公开(公告)号：CN103193233A

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201310110863.X

申请日：2013-04-01

Applicant: 北京博大格林高科技有限公司 ,  北京大学

Inventor： 谢晓兵 ,  谷奎庆 ,  张斌 ,  徐大闯 ,  谢有畅

IPC: C01B33/033

Abstract: 本发明涉及一种通过钠还原四氟化硅法制备太阳能级多晶硅的装置和方法。该装置包括上下两室，上室为反应室，两室由通道相连接；上室内置石墨反应坩埚，石墨坩埚外围设有加热元件；石墨坩埚内底部呈倒锥形，中心开孔供液体物料坠入下室；该孔上覆盖一石墨双锥台，其上表面用于进行反应并阻挡液态钠直接坠入下室，该双锥台下锥的锥度与坩埚底部坡度相吻合，在该下锥的锥面上设有卸料通道，供液体物料汇流到石墨坩埚底部中心孔后坠入至下室的接收容器中。本发明利用氟化钠和硅的熔点差高效低成本地制得合格的太阳能级多晶硅，可以实现半连续的大规模工业生产。

公开(公告)号：CN218793459U

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202223369241.2

申请日：2022-12-15

Applicant: 北京大学第三医院(北京大学第三临床医学院)

Inventor： 张斌 ,  韩永正

IPC: A61M16/04

Abstract: 本实用新型涉及一种可扩张的气管导管，属于医疗设备技术领域，解决了现有技术中的气管导管难以插入狭窄气道的问题。本实用新型的一种可扩张的气管导管，包括主管体、连接头和调节组件，主管体包括伸缩管和软管，连接头包括底柱和中间柱，调节组件包括伸缩架和控制杆；软管设于底柱和伸缩管之间，中间柱插入底柱的通孔内并能够在底柱的通孔内移动，控制杆连接中间柱；伸缩架包括中心架和转动杆，转动杆围绕中心架均匀分布，转动杆的一端转动连接中心架，另一端与伸缩管转动连接，中心架套设于控制杆上。本实用新型提供的可扩张的气管导管便于调节，灵活性高，操作简单。