公开(公告)号：CN115945799A

公开(公告)日：2023-04-11

申请号：CN202211220832.5

申请日：2022-10-08

Applicant: 株式会社电装 ,  国立大学法人埼玉大学

Inventor： 巴赫曼·苏丹尼 ,  安田浩一朗 ,  高木亮汰 ,  河津知树 ,  傍岛骏介 ,  一色勇太朗 ,  野村飒大 ,  白井秀彰 ,  山田洋平 ,  池野顺一

IPC: B23K26/38 ,  B23K26/06 ,  B23K26/70 ,  B28D5/04

Abstract: 一种用于晶片的制造方法，包括：将激光束辐射到待切断该晶锭的计划切断表面上；以及利用该激光束的辐射，在该计划切断表面处形成多个改造部(31)，以从该改造部延伸裂纹，从而对晶片进行切割，其中，该激光束的能量密度超过改造阈值(Eth)。该能量密度满足以下条件中的至少一个：该能量密度的峰值(Ep)小于或等于44J/cm2；在与该能量密度达到该改造阈值Eth的最浅位置对应的部分处的该能量密度的上升率(α)大于或等于1000J/cm3；以及该能量密度超过该改造阈值的深度范围(W)小于或等于30μm。