成膜装置
    21.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107849690A

    公开(公告)日:2018-03-27

    申请号:CN201680045499.5

    申请日:2016-07-21

    Abstract: 本发明提供一种成膜装置,将成膜材料成膜于成膜对象物,该成膜装置具备:真空腔室,容纳所述成膜对象物并进行成膜处理;成膜部,在所述真空腔室内使所述成膜材料的粒子附着于所述成膜对象物;及负离子生成部,在所述真空腔室内生成负离子。

    成膜装置
    22.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104178735A

    公开(公告)日:2014-12-03

    申请号:CN201410160005.0

    申请日:2014-04-21

    Abstract: 本发明提供一种成膜装置,其能够实现在成膜对象物的成膜面内的膜质分布的均匀化。本发明的成膜装置,在真空腔室(10)内通过等离子束(P)对成膜材料(Ma)进行加热而使其蒸发,并且使成膜材料的蒸发粒子(Mb)附着于成膜对象物(11)上,其构成为具备以下:等离子源(7),在真空腔室(10)内生成等离子束;作为主阳极的主炉缸(17),被填充成为蒸发源的成膜材料,并且向成膜材料导入等离子束或者被导入等离子束;作为辅助阳极的环炉缸(6),配置于主炉缸的周围,并且引导等离子束;及蒸发方向调整部(21),以规定时间间隔改变从蒸发源蒸发的蒸发粒子的方向。

    成膜装置
    23.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104073766A

    公开(公告)日:2014-10-01

    申请号:CN201410079015.1

    申请日:2014-03-05

    Inventor: 酒见俊之

    Abstract: 本发明提供一种成膜装置,其能够降低因成膜对象物的位置产生的膜质的偏差。本发明的成膜装置(1)具备向真空腔室(10)内供给原料气体(在此为氧气)的原料气体供给部(30),并且具备对成膜对象物(11)局部地供给比原料气体活化的活化气体的活化气体供给部(40)。其中,通过成膜对象物(11)与沉积部(2)的位置关系,有时在成膜对象物(11)中的一部分中,与其他部分相比供给到膜中的氧变少。对于膜中的氧变少的部分,通过活化气体供给部(40)局部地供给氧的活化气体,从而能够弥补膜中的氧。因此,能够降低因成膜对象物(11)的位置产生的膜中的氧的偏差。综上,能够降低因成膜对象物(11)的位置产生的膜质的偏差。

    离子喷镀装置
    24.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1149303C

    公开(公告)日:2004-05-12

    申请号:CN97198505.7

    申请日:1997-09-26

    Abstract: 一种离子喷镀装置是在真空容器11内配设的炉床30a、30b的周围各自设有内带环状永久磁铁的辅炉床31a、31b。在相邻的2个等离子体枪1A和1B上所设的环状永久磁铁21a和21b的磁极取向、电磁线圈22a和22b的磁极取向、导向线圈24a和24b的磁极取向以及内藏在2个炉床内的2个环状永久磁铁的磁极取向互为反向。

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