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公开(公告)号：CN100505346C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200680000584.6
申请日：2006-04-25
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明的氮化物半导体发光元件11产生包含紫外线区域的波长成分的光。该氮化物半导体发光元件11，具有包含InX1AlY1Ga1-X1-Y1N阱层13(1＞X1＞0、1＞Y1＞0)及InX2AlY2Ga1-X2-Y2N阻挡层15(1＞X2＞0、1＞Y2＞0)的发光区域17。该InX1AlY1Ga1-X1-Y1N阱层13与该InX2AlY2Ga1-X2-Y2N阻挡层15之间的能隙差Eg1为2.4×10-20J以上、4.8×10-20J以下。
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