单晶金刚石及其制造方法、包含单晶金刚石的工具和包含单晶金刚石的部件

    公开(公告)号:CN106574393A

    公开(公告)日:2017-04-19

    申请号:CN201580039728.8

    申请日:2015-07-22

    Abstract: 在单晶金刚石(20)的晶体生长主表面(20m)的X射线形貌照片中,晶体缺陷点(20dp)的组聚集而存在,各个晶体缺陷点(20dp)是到达所述晶体生长主表面(20m)的晶体缺陷线(20dq)的前端点,所述晶体缺陷线(20dq)表示其中存在晶体缺陷(20d)的线。此外,在所述单晶金刚石(20)中,平行存在多个晶体缺陷线状聚集区域(20r)。在所述多个晶体缺陷线状聚集区域(20r)中,晶体缺陷点(20dp)的组聚集并在相对于一个任意规定方向成30°以内的角的方向上以线状延伸。由此,提供一种单晶金刚石,所述单晶金刚石适合用于切削工具、抛光工具、光学部件、电子部件、半导体材料等。

    制造金刚石的方法、金刚石、金刚石复合基板、金刚石接合基板和工具

    公开(公告)号:CN114655953A

    公开(公告)日:2022-06-24

    申请号:CN202210130434.8

    申请日:2015-08-07

    Abstract: 本发明提供:一种制造金刚石的方法,所述方法能够在短时间内将所述金刚石与基板分离并且使得所述基板和所述金刚石各自的分离表面平坦;一种通过所述制造金刚石的方法获得的金刚石;和使用所述金刚石的金刚石复合基板、金刚石接合基板和工具。本发明的通过气相合成法制造金刚石的方法包括如下步骤:准备包含金刚石籽晶的基板;通过气相合成法在所述基板的主表面上形成光吸收层;通过气相合成法在所述光吸收层的主表面上生长金刚石层;和通过从所述金刚石层和所述基板中的至少一者的主表面施加光以使所述光吸收层吸收光并造成所述光吸收层破碎,从而将所述金刚石层与所述基板分离。

    含有固体碳的材料的加工体、其制造方法和其制造装置

    公开(公告)号:CN111032932A

    公开(公告)日:2020-04-17

    申请号:CN201880052808.0

    申请日:2018-08-13

    Abstract: 一种含有固体碳的材料的加工体的制造方法,所述方法包括:准备所述含有固体碳的材料的步骤,所述含有固体碳的材料由至少具有含有固体碳的表面的材料构成;形成气相流体的步骤,所述气相流体含有对所述固体碳具有活性的活性气体或活性等离子体中的至少一种;和通过将所述气相流体喷射到所述含有固体碳的材料的表面的至少一部分上来加工所述含有固体碳的材料的步骤。

    金刚石电子发射器及使用其的电子束源

    公开(公告)号:CN1813329A

    公开(公告)日:2006-08-02

    申请号:CN200480018499.3

    申请日:2004-09-15

    CPC classification number: H01J1/304 H01J1/308 H01J2237/06325 H01J2237/3175

    Abstract: 提供了一种比传统器件更小的、能够在更低电压下、更有效地进行操作的电子发射器件。该器件包括用于向阴极照射光线的光发射器件,其中至少阴极的电子发射面是由金刚石做成的。通过按照这种方式组成器件,可以使抽出电子的电压比传统器件降低很大余量,并因此获得能够以低电压进行操作的小器件。优选地,将光发射器件与阴极形成一个单元,同样优选地,光发射器件和电极是由金刚石做成的。此外,优选地,阴极的电子发射面是n-或p-型金刚石半导体。

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