一种光纤预制棒的成型装置及其成型方法

    公开(公告)号:CN114538767A

    公开(公告)日:2022-05-27

    申请号:CN202210326681.5

    申请日:2022-03-30

    Abstract: 本发明公开一种光纤预制棒的成型装置及其成型方法,包括转动机构、挤压机构和筒模,筒模呈两端开口的圆筒形结构,通过转动机构转动筒模获得中空的包层套管后,再用挤压机构将纤芯玻璃熔体由下往上反向挤入筒模内的包层套管中制备光纤预制棒,既继承了旋转浇注法的优点,可以获得纤芯直径均匀、界面理想的光纤预制棒,且采用纤芯玻璃熔体反向挤入包层套管的方式,代替纤芯玻璃熔体的浇注工艺,不仅解除了浇注工艺对包层套管口径的限制,纤芯直径设置的自由度较高,最细可达4mm,拓宽了纤芯/包层比例的可调范围,而且消除了浇注过程中因纤芯玻璃熔体垂直下流的冲击力而引入冲击气泡和界面条纹等不利影响,所得光纤预制棒的成品率高,无气泡条纹。

    一种宽谱带闪烁体及其X射线成像应用

    公开(公告)号:CN114507521A

    公开(公告)日:2022-05-17

    申请号:CN202210191035.2

    申请日:2022-02-25

    Abstract: 本发明属于无机发光材料领域。一种宽谱带闪烁体及其X射线成像应用,其中闪烁体为Lu2O2S:K+/Eu2+/Eu3+纳米晶,其制备方法依次包括如下步骤:将乙酸镥,乙酸钾,乙酸铕,油酸、油胺与十八烯混合反应得到粉末状纳米晶,在稀盐酸中超声后,与硫粉混合,在氮气混合气条件下,高温反应得到Lu2O2S:K+/Eu2+/Eu3+纳米晶产物。产物的特点是是同时包含Eu2+与Eu3+的特征跃迁,呈现宽谱带发光,能够实现低剂量X射线成像。

    一种高效近红外上转换纳米晶材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN113278420A

    公开(公告)日:2021-08-20

    申请号:CN202110532979.7

    申请日:2021-05-17

    Abstract: 本发明属于无机发光材料领域。一种高效近红外上转换纳米晶材料及其制备方法,分子式为BaGdF5:Na/Yb/Tm@CaLuF5:Yb。其制备方法依次包括如下步骤:先用碱土碳酸盐或稀土氧化物溶于三氟乙酸和去离子水中,通过溶解蒸干得到碱土和稀土的三氟乙酸盐前驱体;将三氟乙酸钡、三氟乙酸钆、三氟乙酸钠、三氟乙酸镱、三氟乙酸铥、油酸、油胺与十八烯加入到三口烧瓶中,除水后然后迅速升温至设定温度并保温,待反应结束后,用乙醇与环己烷混合液离心洗涤得到BaGdF5:Na/Yb/Tm核纳米晶;将三氟乙酸钙、三氟乙酸镥、三氟乙酸镱、油酸、油胺与十八烯加入到三口烧瓶中,除水后加入步骤核纳米晶,继续保温一段时间后迅速升温至设定温度并保温,待反应结束后,用乙醇与环己烷混合液离心洗涤,最后烘干后得到BaGdF5:Na/Yb/Tm@CaLuF5:Yb核壳纳米晶。该方法的优点是制备成本低、产量高,产物的特点是表现出980纳米激发条件下的高效率近红外上转换发射,量子效率可达1.8%。

    一种应用于激光照明的高显色指数荧光玻璃及其制备方法

    公开(公告)号:CN112110647A

    公开(公告)日:2020-12-22

    申请号:CN202011009845.9

    申请日:2020-09-23

    Abstract: 本发明公开了一种掺杂稀土Dy3+和Sm3+的碲酸盐荧光玻璃材料及其制备方法,由玻璃原料,YAG:Ce3+荧光粉和稀土氧化物组成,所述玻璃原料由TeO2,B2O3,ZnO,Na2O和粉G为aY2OA3G组:成Ce,3所+,述所荧述光稀土氧化物为Dy2O3和Sm2O3。本发明通过优化玻璃原料的种类和组分,降低熔融温度,提高荧光玻璃透明度,提高荧光玻璃的导热系数,改善荧光粉的发光效率,通过传统熔融淬火两步法工艺,简化制备工艺,提高生产效率,降低生产成本,还通过掺杂稀土来提高荧光玻璃的光学性能,此外,采用本方法制备的荧光玻璃材料透明度高,熔点低,安全环保,发光均匀,易加工,发光效率高,导热性好,抗激光辐照性能好,应用于激光照明领域,具有广阔的市场前景,有利于推广应用。

    一种层数可控的稀土铒掺杂二硫化钨薄膜材料制备方法

    公开(公告)号:CN109023251A

    公开(公告)日:2018-12-18

    申请号:CN201811121639.X

    申请日:2018-09-26

    CPC classification number: C23C14/352 C23C14/185 C23C14/5866

    Abstract: 本发明涉及一种稀土铒掺杂二维层状二硫化钨薄膜材料的制备方法,包括以下步骤:首先清洗衬底,通过磁控溅射高纯金属靶材制备铒钨的合金薄膜;接着将硫粉置于一温区,沉积有合金薄膜放置于二温区,将真空管式炉炉内抽真空,向真空管式炉通载气进行清洗;然后继续通气,一温区加热到120~200 oC,二温区加热到700~900 oC,生长十分钟以上;最后将一温区和二温区温度降至室温,得到铒掺杂二维层状二硫化钨薄膜。本发明调节溅射功率和时间,可以得到不同厚度、形貌和掺杂浓度的二维薄膜。本发明可以制得晶圆级、形貌均匀的二维晶体薄膜,光电性能优良,可以用于制备原子级超薄的光电子器件,用于发光器件、光电探测器等领域。

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