公开(公告)号：CN114637157A

公开(公告)日：2022-06-17

申请号：CN202210151484.4

申请日：2022-02-17

Applicant: 中国航空工业集团公司北京长城计量测试技术研究所

Inventor： 冯梁森 ,  李维 ,  李昱东 ,  刘雅丽 ,  李小宽

IPC: G02F1/35

Abstract: 本发明公开的一种混合集成的微腔光频梳芯片结构及其制备方法，属于集成光电器件制备和芯片化计量技术领域。本发明包括微腔光频梳芯片衬底、激光器、单边带调制器、强度调制器和微环谐振腔。本发明通过调节激光器芯片、单边带调制器芯片、强度调制器芯片和微环谐振腔芯片的衬底厚度，将所述激光器芯片的有源区、单边带调制器芯片的波导层、强度调制器芯片的波导层和微环谐振腔芯片的波导层设置在同一高度，且截面具有相同的尺寸。将所述激光器芯片、单边带调制器芯片、强度调制器芯片和微环谐振腔芯片通过键合的方式键合到所述混合集成的微腔光梳芯片的衬底上，实现混合集成的微腔光频梳芯片结构制备。本发明是光钟、测距系统等的重要组成部分。

公开(公告)号：CN114137659A

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN202111291758.1

申请日：2021-11-02

Applicant: 中国航空工业集团公司北京长城计量测试技术研究所

Inventor： 李昱东 ,  李维 ,  冯梁森 ,  尤建琦 ,  李小宽 ,  刘雅丽

IPC: G02B6/13 ,  G02B6/136

Abstract: 本发明提供一种微腔芯片及其制备方法，其中，微腔芯片的制备方法包括：准备晶圆衬底；在衬底上进行低折射率材料的下包层生长；在下包层中生长高折射率材料的第一芯层；在所述第一芯层中按照预定的版图进行波导结构和微腔结构中的一个的光刻刻蚀；在所述第一芯层上进行低折射率材料的第一上包层生长；使用化学机械抛光对晶圆进行平坦化；在所述第一上包层上进行控制耦合间距的低折射率材料的间隔包层生长；在所述间隔包层上生长高折射率材料的第二芯层；在所述第二芯层中按照预定的版图进行波导结构和微腔结构中的另一个的光刻刻蚀；在所述第二芯层上进行低折射率材料的第二上包层生长。本发明能够解决现有技术昂贵复杂并且引入额外噪声的问题。