公开(公告)号：CN113086943B

公开(公告)日：2022-05-24

申请号：CN202110353170.8

申请日：2021-03-31

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 陈泽基 ,  杨晋玲 ,  袁泉 ,  刘文立 ,  杨富华

IPC: B81C1/00 ,  B81C3/00 ,  B81B7/00 ,  B81B7/02

Abstract: 一种微纳射频器件及制备方法，方法包括：在SOI片上生长隔离层；图形化隔离层，以在SOI片上形成谐振单元、电极引线、信号屏蔽层及封装环；在谐振单元的侧壁生长微纳级间隔层；去除电极引线、信号屏蔽层及封装环表面的隔离层，在SOI表面生长一层导电层，对导电层图形化，保留电极引线、信号屏蔽层、封装环部分上的导电层，以及在谐振单元与电极引线之间形成输入电极及输出电极；去除谐振单元表面的隔离层及SOI片上正对谐振单元的绝缘层。该方法可在微纳射频器件谐振单元侧壁制备微纳级间隔层，进而实现微纳级电容间隙，突破微纳射频器件机电转换效率低、驱动电压高等技术瓶颈，且制备垂直引线结构，可实现低寄生、小尺寸封装。