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公开(公告)号：CN102583338A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210019847.5
申请日：2012-01-20
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明的课题是提供高质量石墨烯粉末及其的制备方法。解决的手段是，包括使有机物包覆绝缘衬底或催化剂衬底粉末并置于密封容器内；利用微波辅助加热密封容器使有机物分解得到生长于绝缘衬底或催化剂衬底的石墨烯；将所述生长于绝缘衬底或催化剂衬底的石墨烯分离得到石墨烯粉末。本发明可以在绝缘基底上直接生长高质量的石墨烯，并且通过超声等方法可以得到freestanding的高质量石墨烯粉体。与传统的用化学剥离法得到的石墨烯相比，本发明操作简单，成本低廉，可得到缺陷少、导电性好、质量高的石墨烯。
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公开(公告)号：CN102485647A
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN201010570879.5
申请日：2010-12-02
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C01B31/04
CPC classification number: Y02P20/134
Abstract: 本发明公开了一种硼掺杂石墨烯的制备方法。其特征在于利用活泼金属与低碳卤代烃、硼源反应，在特定反应条件下实现原位硼掺杂石墨烯。与化学汽相沉积和电弧放电法制备石墨烯相比，本发明操作简单，安全无毒，成本低廉，可得到缺陷少、导电性好、质量高的硼掺杂石墨烯。本发明制备得到的石墨烯可在光电器件如铜铟镓硒、碲化镉、染料敏化等太阳能电池，平板显示、超级电容器、场发射材料、锂离子电池等领域中有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN102408107A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201010291891.2
申请日：2010-09-26
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明公开了一种高质量石墨烯的制备方法。其特征在于利用活泼金属和低碳卤代烃或无水乙醇反应，在一定温度下通过一定时间生成新生态的碳，新生态的碳再重构成石墨烯，并最后经提纯步骤制得高质量石墨烯。与传统的用化学剥离法得到的石墨烯相比，本发明操作简单，成本低廉，可得到缺陷少、导电性好、质量高的石墨烯。本发明制备得到的石墨烯可在光电器件如铜铟镓硒、碲化镉、染料敏化等太阳能电池，平板显示、超级电容器、场发射材料、锂离子电池等领域中有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN110127652B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN201910408208.X
申请日：2019-05-15
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种氮掺杂碳材料及其制备方法和在超级电容器中的应用，该氮掺杂碳材料的制备方法包括：（1）以无水乙醇作为溶剂，加入锌盐、表面活性剂、吡咯、正硅酸乙酯和稀盐酸并混合，得到溶胶，所述锌盐为硝酸锌、和醋酸锌中的至少一种；（2）将所得溶胶静置规定时间后，再经干燥处理，得到凝胶；（3）将所得凝胶在700℃～1100℃下进行热处理后，再经刻蚀和清洗，得到所述氮掺杂碳材料。
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公开(公告)号：CN110127650A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910403912.6
申请日：2019-05-15
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种氮掺杂多孔碳材料及其制备方法和在超级电容器中的应用，该氮掺杂多孔碳材料的制备方法，包括：（1）以无水乙醇作为溶剂，加入镍盐、表面活性剂、氮源、酚醛树脂、正硅酸乙酯和稀盐酸并混合，得到溶胶，所述镍盐为硝酸镍、氯化镍和乙酸镍中的至少一种，所述氮源为双氰胺、氰胺、尿素和吡咯中的至少一种；（2）将所得溶胶静置规定时间后，再经干燥处理，得到凝胶；（3）将所得凝胶在700℃～1100℃下进行热处理后，再经刻蚀和清洗，得到所述氮掺杂多孔碳材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105702473B
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201410697163.X
申请日：2014-11-26
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 本发明涉及一种具有超高比电容的碳基电极材料及其复合电极材料，所述碳基电极材料的电容由双电层电容和法拉第赝电容两部分组成，所述双电层电容占所述碳基电极材料的电容的20～60%，所述碳基电极材料在1A/g的电流密度下比容量为400以上，体积比容量在300法拉每毫升以上，水基电解液的对称型器件的能量密度在20瓦时每公斤以上，体积能量密度在15瓦时每升以上。
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公开(公告)号：CN106033810A
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：CN201510111969.0
申请日：2015-03-13
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: H01M4/58 , H01M10/0525 , H01M4/36
CPC classification number: H01M4/366 , H01M4/5815 , H01M10/0525
Abstract: 本发明涉及一种MoS2/石墨烯复合材料及其制备方法，所述制备方法包括：1）称取MoS2、蠕虫石墨作为原料粉体；2）将原料粉体进行球磨处理，得到所述MoS2/石墨烯复合材料。本发明公开了一种MoS2/石墨烯复合材料的制备方法，利用球磨法制备MoS2/石墨烯复合材料，不仅方法简易、成本低廉、易于宏量制备，而且得到复合材料应用与锂离子电池负极时性能优异。
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公开(公告)号：CN105702473A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201410697163.X
申请日：2014-11-26
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 本发明涉及一种具有超高比电容的碳基电极材料及其复合电极材料，所述碳基电极材料的电容由双电层电容和法拉第赝电容两部分组成，所述双电层电容占所述碳基电极材料的电容的20～60%，所述碳基电极材料在1A/g的电流密度下比容量为400以上，体积比容量在300法拉每毫升以上，水基电解液的对称型器件的能量密度在20瓦时每公斤以上，体积能量密度在15瓦时每升以上。
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公开(公告)号：CN102074590B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201010541026.9
申请日：2010-11-11
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种CdTe薄膜太阳能电池结构中的背接触电极，依次包括透明导电玻璃层、窗口层、吸光层、阻挡层，其特征在于在阻插层背面制备石墨烯薄膜层作为背接触电极。所述的石墨烯层的厚度为0.1μm-1mm。所述的背接触电极制备是依次包括导电玻璃层、窗口层、吸光层、阻挡层的制备，其特征在于在石墨烯中加入粘合剂制备石墨烯浆，然后由石墨烯浆制备成石墨烯层本发明的优点在于，制作方法所采用工艺可与现行CdTe电池工艺兼容，为解决低成本、高性能、大规模的CdTe电池提供一种新的途径。
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公开(公告)号：CN102995119B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201110266167.9
申请日：2011-09-08
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明属于纳米材料领域，涉及一种新型的大尺寸六角形双层石墨烯单晶畴及其制备方法。所述制备方法包括采用金属单质及其多元合金作为催化剂，利用化学气相沉积法制备六角形石墨烯单晶畴。石墨烯单晶畴为双层结构，其质量优异，双层覆盖率90％以上。本发明工艺简单，过程易控制，适合于晶体管和光调制器等微纳米电子及光子器件领域。
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