公开(公告)号：CN109904065A

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201910129433.X

申请日：2019-02-21

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 欧欣 ,  黄凯 ,  赵晓蒙 ,  李文琴 ,  鄢有泉 ,  李忠旭 ,  王曦

IPC: H01L21/18 ,  H01L29/06 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种异质结构的制备方法，包括如下步骤：提供第一衬底，具有离子注入面；自离子注入面进行离子注入，以形成缺陷层；提供第二衬底，具有键合面，将键合面与离子注入面进行键合，得到初始键合结构；基于局部加热的方式对初始键合结构进行加热处理，以沿缺陷层剥离部分第一衬底，以在第二衬底上形成一衬底薄膜，得到包括第二衬底及衬底薄膜的异质结构。本发明基于局部加热的方式实现最终异质结构的制备，局部加热退火工艺可以降低键合结构中的热应力，提高制备过程中异质键合结构的稳定性，从而降低异质键合结构在退火剥离过程中的整体热应力和翘曲，本发明制备的单晶功能薄膜可以用于制备高性能的声学、光学和电学器件及各类传感器件等。