基于钯/二氧化锡/硅异质结的紫外光探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN105244406A

    公开(公告)日:2016-01-13

    申请号:CN201510697347.0

    申请日:2015-10-23

    CPC classification number: Y02P70/521 H01L31/109 H01L31/18

    Abstract: 本发明具体提供了一种纳米二氧化锡薄膜和硅基底形成的p-n异型异质结材料,以钯为催化层的高性能紫外光探测器。首先利用溅射方法在硅衬底上生长二氧化锡薄膜;然后通过掩膜和溅射方法在薄膜表面制备比二氧化锡膜面积小的钯催化层。本发明利用钯膜的催化效应和二氧化锡/硅异质结的放大效应制备的钯/二氧化锡/硅异质结氢气紫外光探测器具有工艺简单,成本低廉,无需加热器,能在室温下工作,且具有耗能低,灵敏度高,响应、恢复时间短的特点,对紫外光具有良好的检测性能,具有重要的应用前景。

    一种基于Pd/SnO2/Si异质结的电阻式湿度传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN105223238A

    公开(公告)日:2016-01-06

    申请号:CN201510697349.X

    申请日:2015-10-23

    Abstract: 本发明具体提供了一种二氧化锡薄膜和覆盖二氧化硅层的硅衬底形成n-n同型异质结材料,以钯为催化层的高性能湿度传感器。首先利用溅射方法在二氧化硅覆盖的硅衬底上生长二氧化锡薄膜;然后通过掩膜和溅射方法在薄膜表面制备比二氧化锡膜面积小的钯催化层。本发明利用钯膜的催化效应和二氧化锡/硅异质结的放大效应制备的钯/二氧化锡/硅异质结湿度传感器具有工艺简单,成本低廉,无需加热器,能在室温下工作,且具有耗能低,灵敏度高,响应、恢复时间短的特点,对水蒸气具有良好的检测性能,具有重要的应用前景。

    氧化锌/硅p-n异质结紫外光探测器

    公开(公告)号:CN205790025U

    公开(公告)日:2016-12-07

    申请号:CN201620031853.6

    申请日:2016-01-14

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本实用新型提供了一种氧化锌/硅p-n异质结紫外光探测器,利用射频磁控溅射方法在硅衬底上生长氧化锌薄膜,然后通过掩膜和溅射方法在薄膜表面制备可透光的金属电极层。本实用新型利用氧化锌/硅异质结的放大效应制备的紫外光探测器具有耗能低、工艺简单、灵敏度高,响应、恢复时间短特点,对紫外光具有良好的检测性能,具有重要的应用前景。

    基于二氧化钛纳米棒阵列/硅异质结的紫外光探测器

    公开(公告)号:CN205542846U

    公开(公告)日:2016-08-31

    申请号:CN201620031129.3

    申请日:2016-01-14

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本实用新型具体提供了一种基于二氧化钛纳米棒阵列/硅异质结的紫外光探测器。首先利用溅射方法在n型硅基底上生长二氧化钛纳米点薄膜;然后通过水热法方法诱导种子层生成二氧化钛纳米棒阵列;最后通过磁控溅射法制备透光金属层电极薄膜。本实用新型利用二氧化钛纳米棒阵列/硅异质结的放大效应制备的二氧化钛纳米棒阵列/硅异质结紫外光探测器具有工艺简单,成本低廉,无需加热器,能在室温下工作,且具有耗能低,灵敏度高,响应、恢复时间短的特点,对紫外光具有良好的检测性能,具有重要的应用前景。

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