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公开(公告)号：CN105019029A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201510376782.3
申请日：2015-06-30
Applicant: 中国地质大学(北京)
Abstract: 本发明涉及一种高纯度、高产率制备WS2层片状纳米结构的方法，属于材料制备技术领域。本发明采用真空加热炉，以三氧化钨粉和硫粉作为蒸发源，在真空环境中通过分离式加热蒸发的方法，在载气带动下，高产率一步合成得到高纯度、高密度的WS2层片状纳米结构。该方法具有设备和工艺简单、材料合成与生长条件严格可控、产品收率高、成本低廉等优点。所获得的WS2层片状纳米结构，厚度在50-250nm之间，直径在20-40μm之间，产物纯度高，纳米结构直径和厚度均匀，形貌可控，可望在固体润滑剂、润滑油添加剂、半导体器件以及新能源材料领域获得广泛应用。
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