短路筒温度补偿矩形波导谐振腔

    公开(公告)号:CN101764278B

    公开(公告)日:2013-02-13

    申请号:CN201010106331.5

    申请日:2010-02-02

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 短路筒温度补偿矩形波导谐振腔涉及一种波导谐振腔,可以显著降低温度对谐振腔谐振频率的影响。该谐振腔由金属腔体(1)、短路筒(2)、支撑体(3)及一个或数个输入输出耦合装置(4)所组成,其中;短路筒(2)位于金属腔体(1)中,短路筒(2)的形状为长方体,支撑体(3)位于金属腔体(1)内的第一顶面腔壁(6)和短路筒(2)的底面(5)之间,短路筒(2)、金属腔体(1)的第二顶面腔壁(9)、金属腔体的宽面腔壁(8)及窄面腔壁(10)构成了电磁波的谐振空间(11);输入输出耦合装置(4)位于谐振空间(11)部分的金属腔体(1)的顶面腔壁(9)或宽面腔壁(8)或窄面腔壁(10)上。

    自温度补偿矩形波导谐振腔

    公开(公告)号:CN101710638B

    公开(公告)日:2012-07-04

    申请号:CN200910232560.9

    申请日:2009-12-07

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 自温度补偿矩形波导谐振腔涉及一种波导谐振腔,可以显著降低温度对谐振腔谐振频率的影响。其中;短路板(2)位于金属腔体(1)中,支撑体(3)的热膨胀系数大于金属腔体(1)的热膨胀系数,短路板(2)通过支撑体(3)和金属腔体(1)的一个顶面腔壁(5)相连,短路板(3)的形状与该顶面腔壁(5)相似,其大小略小于该顶面腔壁(5)的大小;短路板(2)、金属腔体(1)的另一顶面腔壁(8)、金属腔体的窄面腔壁(6)及宽面腔壁(7)构成了电磁波的谐振空间(9);输入输出耦合装置(4)位于谐振空间(9)内的金属腔体(1)的顶面腔壁(8)或窄面腔壁(6)或宽面腔壁(7)上。

    矩形过模波导H型模片高次模多模滤模器

    公开(公告)号:CN101764274A

    公开(公告)日:2010-06-30

    申请号:CN201010106348.0

    申请日:2010-02-02

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 矩形过模波导H型模片高次模多模滤模器涉及一种微波波导元件,可以在同样的频率上,在基本不影响主模通过的同时,滤掉矩形过模波导中的多种高次模。该矩形过模波导H型模片高次模多模滤模器包括矩形过模波导(1)和H形模片(2),其中:H型模片(2)位于矩形过模波导(1)的内部,其与矩形过模波导(1)的横截面平行;H型模片(2)为薄的导体片,其形状为H形H形模片(2)两边的高度等于矩形过模波导(1)内腔窄壁(3)的高度,H形模片(2)的宽度等于矩形过模波导(1)内腔宽壁(4)宽度,从而H型模片(2)连接矩形过模波导的上下两个内腔宽壁(4)和左右两个内腔窄壁(3)。

    矩形过模波导单级高次模多模滤模器

    公开(公告)号:CN101728603A

    公开(公告)日:2010-06-09

    申请号:CN201010106344.2

    申请日:2010-02-02

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 矩形过模波导单级高次模多模滤模器涉及一种微波波导元件,可以同时滤掉矩形过模波导中的多种高次模。该高次模滤模器包括矩形过模波导(1)和模片(2);其中:模片(2)为薄的导体片,其形状为矩形;模片(2)有两块,平行位于矩形过模波导(1)的内的同一横截面两侧,且与矩形过模波导(1)的横截面平行;这样的两块模片(2)构成一组平行模片;模片(2)在矩形过模波导(1)内的高度等于矩形过模波导(1)内腔窄壁(3)的高度;模片(2)的宽度小于矩形过模波导(1)内腔宽壁(4)宽度的一半。

    矩形过模波导H型模片紧凑型多级高次模多模滤模器

    公开(公告)号:CN101728602A

    公开(公告)日:2010-06-09

    申请号:CN201010106333.4

    申请日:2010-02-02

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 矩形过模波导H型模片紧凑型多级高次模多模滤模器涉及一种微波波导元件,其中:H型模片(2)位于矩形过模波导(1)的内部,其与矩形过模波导(1)的横截面平行;H型模片(2)为薄的导体片,其形状为H形;H形模片(2)两边的高度等于矩形过模波导(1)内腔窄壁(3)的高度,H形模片(2)的宽度等于矩形过模波导(1)内腔宽壁(4)宽度,从而H型模片(2)连接矩形过模波导的上下两个内腔宽壁(4)和左右两个内腔窄壁(3);在矩形过模波导(1)里有两个或两个以上所述的形状和尺寸都相同的H型模片(2),在矩形过模波导(1)内的相邻两个H型模片(2)之间的空间构成了一个谐振单元(5)。

    自温度补偿矩形波导谐振腔

    公开(公告)号:CN101710638A

    公开(公告)日:2010-05-19

    申请号:CN200910232560.9

    申请日:2009-12-07

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 自温度补偿矩形波导谐振腔涉及一种波导谐振腔,可以显著降低温度对谐振腔谐振频率的影响。其中;短路板(2)位于金属腔体(1)中,支撑体(3)的热膨胀系数大于金属腔体(1)的热膨胀系数,短路板(2)通过支撑体(3)和金属腔体(1)的一个顶面腔壁(5)相连,短路板(3)的形状与该顶面腔壁(5)相似,其大小略小于该顶面腔壁(5)的大小;短路板(2)、金属腔体(1)的另一顶面腔壁(8)、金属腔体的窄面腔壁(6)及宽面腔壁(7)构成了电磁波的谐振空间(9);输入输出耦合装置(4)位于谐振空间(9)内的金属腔体(1)的顶面腔壁(8)或窄面腔壁(6)或宽面腔壁(7)上。

    外差式毫米波的空间馈电传输方法及其焦面阵成像结构

    公开(公告)号:CN1158537C

    公开(公告)日:2004-07-21

    申请号:CN02138072.4

    申请日:2002-08-06

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明是外差式毫米波的空间馈电传输方法及焦面阵成像结构。方法:目标散射电磁波由成像镜聚焦到焦面阵,经焦面阵元天线收并经极化分离器送到阵元接收机混频器;本振信号照到另一阵面阵元天线后被送到阵元接收机混频器,本振信号照到焦面阵前经等振幅波束辐射器再照到空间功率分配器,由其把本振功率分成细波束后至阵元天线。结构包括成像镜和焦面阵,成像镜在焦面阵一侧,焦面阵由混频器及其两侧的本振信号接收天线阵和目标散射电磁波接收天线阵组成,在混频器两侧本振信号接收天线阵和目标散射电磁波接收天线阵的每对阵元与其间的混频器相接,混频器两侧设极化分离器,焦面阵的另一侧设空间功率分配器和等振幅波束辐射器。

    外差式毫米波的空间馈电传输方法及其焦面阵成像结构

    公开(公告)号:CN1395338A

    公开(公告)日:2003-02-05

    申请号:CN02138072.4

    申请日:2002-08-06

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明是外差式毫米波的空间馈电传输方法及焦面阵成像结构。方法:目标散射电磁波由成像镜聚焦到焦面阵,经焦面阵元天线收并经极化分离器送到阵元接收机混频器;本振信号照到另一阵面阵元天线后被送到阵元接收机混频器,本振信号照到焦面阵前经等振幅波束辐射器再照到空间功率分配器,由其把本振功率分成细波束后至阵元天线。结构包括成像镜和焦面阵,成像镜在焦面阵一侧,焦面阵由混频器及其两侧的本振信号接收天线阵和目标散射电磁波接收天线阵组成,在混频器两侧本振信号接收天线阵和目标散射电磁波接收天线阵的每对阵元与其间的混频器相接,混频器两侧设极化分离器,焦面阵的另一侧设空间功率分配器和等振幅波束辐射器。

    一种太赫兹基波混频模块
    29.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105007045B

    公开(公告)日:2018-05-04

    申请号:CN201510443633.4

    申请日:2015-07-24

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种太赫兹基波混频模块,包括金属上基座和金属下基座,金属上基座和金属下基座形成的腔体内设置本振输入端的匹配波导、芯片通道、射频输入端的匹配波导、中频输出电路和直流偏置电路;芯片通道的一端连接本振输入端匹配波导,另一端射频输入端的匹配波导,芯片通道内设置混频芯片,混频芯片粘接到金属上基座上,直流偏置电路上设置去耦电容,去耦电容为片上电容。本发明基于太赫兹集成电路微纳制备技术,具有结构紧凑、安装简便、集成度高的特点;本发明中射频及本振两路输入经由各自不同的通路完成信号传输,具有射频本振隔离性能好的特点;本发明具有混频损耗小的特点;同时具有成本低,一致性好,便于规模制造的特点。

    多芯片集成E波段接收模块
    30.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103152066B

    公开(公告)日:2015-10-07

    申请号:CN201310036833.9

    申请日:2013-01-30

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种多芯片集成E波段接收模块,包括金属上基座和金属下基座,金属上基座和金属下基座形成的腔体内分别设置中频低通滤波电路、本振电路以及下变频结构;中频输入端采用标准SMA接头,本振输入端为标准波导法兰结构,射频输出端为标准波导法兰结构。该模块中波导与微带电路之间的信号耦合通过过渡结构实现,低损耗基片电路及各功能砷化镓芯片通过金丝键合实现电气连接。本发明基于多芯片集成技术,具有结构紧凑、集成度高的特点;同时具有成本低,一致性好,便于规模制造的特点。

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