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公开(公告)号：CN113003532A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110191336.0
申请日：2021-02-20
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
Inventor： 王俊杰
Abstract: 本发明公开了一种MEMS三轴AMR磁力传感器，Z轴AMR磁力传感器形成在沟槽的侧面上，Z轴AMR磁力传感器的第一侧长度边缘位于沟槽的顶部并延伸到沟槽外的第一介质层的表面，Z轴AMR磁力传感器的第二侧长度边缘位于沟槽的底部表面上；Z轴电极的第一侧宽度边缘位于沟槽的顶部并延伸到Z轴AMR磁力传感器的第一侧长度边缘外的第一介质层的表面，Z轴电极的第二侧宽度边缘位于沟槽的底部的Z轴AMR磁力传感器上且位于Z轴AMR磁力传感器的第二侧长度边缘的内侧。本发明还公开了一种MEMS三轴AMR磁力传感器的制造方法。本发明能防止Z轴电极的刻蚀工艺在沟槽的底部形成微沟槽并同时能提高工艺窗口，能防止形成弱点区域并防止由于弱点区域而使器件失效，能提高产品良率。
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公开(公告)号：CN110040679B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201910318927.2
申请日：2019-04-19
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
Abstract: 本发明提供了一种三轴磁传感器及其制备方法，所述三轴磁传感器的制备方法中，在形成Z轴磁阻结构之后，以所述Z轴磁阻结构为掩模刻蚀所述第一凹槽的槽底和第二凹槽的槽底，以暴露出所述第二凹槽的槽底，以此步骤替代原有的在形成Z轴磁阻结构后的光刻胶的形成，图形化该光刻胶、以图形化的光刻胶为掩模对第二凹槽的槽底进行刻蚀，光刻胶的去除等一系列的工艺，其节省了图形化的光刻胶所需的掩模板，降低了生产成本，简化形成三轴磁传感器的工艺步骤，还解决了第一凹槽底部保护层搭桥的问题，提高了良率。
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公开(公告)号：CN109761190B
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN201910058762.X
申请日：2019-01-22
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
Inventor： 王俊杰
Abstract: 本发明提供了一种形成对准标记的方法，包括：在衬底上形成多个第一金属连接柱和至少一个第二金属连接柱；形成第一对准区的图案化的氧化物层和第二对准区的图案化的氧化物层和第一氧化物连接柱；形成位于所述第一氧化物连接柱上的第三金属连接柱和位于第二对准区的氧化物层上的第四金属连接柱，第三金属连接柱的上表面到第一对准区的图案化的氧化物层的表面的距离与相邻的第三金属连接柱之间的间距的比例大于1:1；在图案化的氧化物层、第三金属连接柱和第四连接柱上形成第二氧化物层，第二氧化物层表面形成凹槽作为对准标记。相对于现有技术，本申请直接在形成MEMS和CMOS互连层的同时形成对准标记，可以节省材料和时间。
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公开(公告)号：CN110137345A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910464493.7
申请日：2019-05-30
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
Abstract: 本发明提供了一种三轴磁传感器及其制备方法，所述三轴磁传感器的制备方法中，以图形化的所述光刻胶层为掩模，对所述硬掩模层进行各向同性刻蚀，暴露出所述第一凹槽的侧壁上的Z轴磁阻结构，再去除所述光刻胶层，以在所述第二凹槽中形成COMS晶体管与AMR的互连通孔时，通过对所述硬掩模层进行各向同性刻蚀，使得第一凹槽侧壁上的硬掩模层可以一次性被去除，从而减少了工艺步骤，降低了生产成本，还提高了三轴磁传感器中Z轴磁阻条的反应灵敏度，提高了三轴磁传感器的性能。另外，本发明使用的各向同性刻蚀工艺和去除光刻胶层的工艺在同一个设备中进行，无需更换设备，缩短了工艺时间，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN109786228A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201910059988.1
申请日：2019-01-22
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
IPC: H01L21/027 , H01L23/544
Abstract: 本发明提供了一种形成对准标记的方法，包括：在衬底上形成多个第一金属连接柱和至少一个第二金属连接柱；形成第一对准区的图案化的氧化物层和第二对准区的图案化的氧化物层和第一氧化物连接柱；形成位于所述第一氧化物连接柱上的第三金属连接柱和位于第二对准区的氧化物层上的第四金属连接柱，第三金属连接柱的上表面到第一对准区的图案化的氧化物层的表面的距离与相邻的第三金属连接柱之间的间距的比例小于1:1；在图案化的氧化物层、第三金属连接柱和第四连接柱上形成第二氧化物层，第二氧化物层表面形成凹槽作为对准标记。本申请直接在形成MEMS和CMOS互连层的同时形成对准标记，可以节省材料和时间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105947969B
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201610269072.5
申请日：2016-04-27
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
Abstract: 本申请公开了一种MEMS运动传感器产品硅片的制造方法，包括如下步骤：步骤一，提供一片包含若干孤岛的空腔图形的硅片和一片空白硅片通过SOI工艺键合在一起；步骤二，在所述硅层表面沉积一层金属；步骤三，光罩显影出MEMS运动传感器的悬臂梁结构图案；步骤四，干法深硅刻蚀所述硅层至露出下层空腔；步骤五，干法ASH工艺除去所述硅片表面的剩余光刻胶和部分蚀刻形成的polymer；步骤六，湿法清洗工艺去除剩余的polymer；步骤七，形成MEMS产品硅片。该方法不仅能配合干法ASH工艺完全清除深硅刻蚀形成的polymer，而且也能防止MEMS运动传感器悬臂梁粘连问题，显著提高了产品良率。
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公开(公告)号：CN104485415B
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201410844147.9
申请日：2014-12-25
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
IPC: H01L43/08
Abstract: 本发明提出了一种各向异性磁阻结构，将平面磁阻的长度形成长于垂直磁阻的长度，将沟槽的长度相应的增加，并且在平面磁阻超出的长度处形成第二间距，即在第一间距的基础上增加了宽度，确保了后续的刻蚀能够将平面磁阻和垂直磁阻靠近沟槽处刻蚀开，避免两者形成桥连，能够提高各向异性磁阻的性能。
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公开(公告)号：CN104505460B
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201410844129.0
申请日：2014-12-25
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
IPC: H01L43/12
Abstract: 本发明提出了一种3轴各向异性磁阻的制备方法，第一次刻蚀仅对沟槽底部表面的磁性材料进行刻蚀，不再同时对沟槽底部表面及基片表面进行刻蚀，避免了刻蚀速率不同造成基片表面被过刻蚀，然后进行第二次刻蚀，对位于基片表面的磁性材料进行刻蚀，形成平面磁阻与垂直磁阻的同时，在两者之间形成间距，从而形成3轴各向异性磁阻。可见，将沟槽和基片表面的磁性材料分开刻蚀，避免了过刻蚀现象，确保形成的3轴各向异性磁阻的性能。
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公开(公告)号：CN104891430A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510189318.3
申请日：2015-04-17
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
IPC: B81C3/00
Abstract: 本发明揭示了一种硅片键合方法。该方法包括：提供第一硅片，并在所述第一硅片中形成孤岛结构；在所述第一硅片上形成牺牲氧化层；去除所述牺牲氧化层，使得所述孤岛结构的边缘硅表面低于中央区域；在所述第一硅片上形成键合氧化层，该键合氧化层在孤岛结构的边缘厚于中央区域；提供第二硅片，所述第二硅片通过所述孤岛结构与第一硅片键合。本发明中由于通过孤岛结构的硅表面和键合氧化层厚度的互相补偿，获得了良好的表面微观平整度，能够使得第一硅片与第二硅片键合时有较大的键合面积，提高了键合强度。
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公开(公告)号：CN118969716A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411036251.5
申请日：2024-07-31
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明提供一种后有源区形成深沟槽隔离结构的方法，提供衬底，在衬底上形成第一硬掩膜层，利用光刻、刻蚀的方法在第一硬掩膜层及其下方的衬底上形成浅沟槽，之后在浅沟槽中形成浅沟槽隔离以定义出有源区；在浅沟槽隔离、第一硬掩膜层上依次形成刻蚀停止层和第二硬掩膜层；在第二硬掩膜层及其下方的刻蚀停止层、浅沟槽隔离、衬底上形成贯通的深沟槽，之后去除第二硬掩膜层；在深沟槽和刻蚀停止层上形成保护层，之后在保护层上形成多晶硅层；利用热氧化的方法将多晶硅层形成为氧化层，研磨氧化层至刻蚀停止层上。本发明工艺的窗口大，不容易产生膜层残留，不需要设定深沟槽隔离到有源区间隔，深沟槽隔离结构尺寸小。
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