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公开(公告)号:CN114070279A
公开(公告)日:2022-02-18
申请号:CN202110446171.7
申请日:2021-04-25
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H03K17/081
Abstract: 提供了一种射频(RF)开关系统、RF开关保护电路及其保护方法。所述RF开关系统可包括第一RF开关和保护电路。所述第一RF开关可连接在接收RF信号的端口与地之间。所述保护电路可检测作为在所述第一RF开关断开时生成的电压的第一电压,并且可为所述端口供应基于所述第一电压而变化的阻抗值。
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公开(公告)号:CN108075753B
公开(公告)日:2021-04-09
申请号:CN201711046814.9
申请日:2017-10-31
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H03K17/16 , H03K17/14 , H03K17/687
Abstract: 本发明提供一种射频开关电路,所述射频开关电路包括:第一射频开关,被构造为控制将在信号端口与天线端口之间经过的射频信号;第一缓冲器,被构造为响应于第二控制电压产生第一控制电压;第二缓冲器,被构造为接收第三控制电压,并且被构造为响应于所述第三控制电压产生所述第二控制电压;第一电力供应器,被构造为向所述第一缓冲器供应第一高电压,并且被构造为向所述第二缓冲器供应第二高电压;及第二电力供应器,被构造为向所述第一缓冲器供应第一低电压,并且被构造为向所述第二缓冲器供应第二低电压。
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公开(公告)号:CN112104345A
公开(公告)日:2020-12-18
申请号:CN202010562519.4
申请日:2020-06-18
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H03K17/04
Abstract: 本公开提供了一种具有电压均衡的射频开关,所述射频开关包括:第一串联开关,包括多个串联场效应晶体管(FET),所述多个串联FET串联连接在第一端子与第二端子之间;第一分路开关,包括多个分路FET,所述多个分路FET串联连接在所述第一端子与第一接地端子之间;以及第一分路栅极电阻器电路,包括多个栅极电阻器,所述多个栅极电阻器分别连接到所述第一分路开关的所述多个分路FET的栅极。所述第一分路栅极电阻器电路的所述多个栅极电阻器的相应电阻值在远离所述第一接地端子朝向所述第一端子的方向上依次增大。
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公开(公告)号:CN110474629A
公开(公告)日:2019-11-19
申请号:CN201811579719.X
申请日:2018-12-24
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H03K19/0175
Abstract: 本发明提供一种具有相位补偿功能的耦合器电路。所述耦合器电路包括:信号线,设置在第一端子与第二端子之间;耦合线,设置在耦合端口与隔离端口之间,使得所述耦合线耦合到所述信号线并被配置为从所述信号线提取耦合信号;以及耦合调节电路,连接到所述耦合端口和所述隔离端口,并被配置为减少根据通过所述信号线的信号的频带的改变的耦合量的改变。
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公开(公告)号:CN110445469A
公开(公告)日:2019-11-12
申请号:CN201910128478.5
申请日:2019-02-21
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种放大设备及可变增益控制方法,该放大设备包括:放大电路,被构造为包括堆叠的第一晶体管和第二晶体管,并且被配置为在放大模式下的操作期间放大从输入端子输入的信号并将放大的信号提供给输出端子;以及负反馈电路,包括第一子负反馈电路至第n子负反馈电路,所述第一子负反馈电路至第n子负反馈电路中的每个对应于包括在所述放大模式中的单独的增益模式,其中,所述负反馈电路被配置为提供可变电阻值,以基于所述单独的增益模式中的每个确定负反馈增益。
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