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公开(公告)号：CN102087405A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN201010579289.9
申请日：2010-12-06
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金东佑
CPC classification number: G02B9/34 , G02B15/173
Abstract: 本发明公开了一种变焦镜头和包括所述变焦镜头的图像拾取装置。变焦镜头包括：第一透镜组，具有正屈光力；第二透镜组，具有负屈光力；第三透镜组，具有正屈光力；第四透镜组，具有正屈光力。第一透镜组到第四透镜组从物方起顺序地布置。第二透镜组包括由折射率低的材料形成的透镜。
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公开(公告)号：CN1916777B
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200610094523.2
申请日：2003-07-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03G15/00
CPC classification number: G03G15/6573
Abstract: 一种成像设备，包括一印制机主体，其中具有一显影部和一定影部；多个纸页给进滚轮，沿着一条纸页排送路径陆续设置并被驱动以排除纸页通过定影部而达到印制机主体的上部；以及一后盖，设置在印制机主体的一侧上以开启和关闭，还具有各导引肋板以导引通过定影部的纸页。此成像设备还包括一空转滚轮，可活动地设置在后盖上以接触各纸页给进滚轮之一并与之一起转动以给进纸页；以及一辅助导引件，可转动地设置在后盖上并位于空转滚轮以下。辅助导引件当后盖开启时改变其位置，以致直接排送到各导引肋板的纸页被防止跑入空转滚轮。
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公开(公告)号：CN101034593A
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200710079685.3
申请日：2007-03-06
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: F16M11/38 , F16M11/105 , F16M11/2064 , F16M2200/044 , Y10S248/917 , Y10S248/919 , Y10S248/923
Abstract: 本发明提供了一种显示设备，该显示设备在相同平面内折叠连杆元件以使其体积最小。该显示设备包括显示主体；底座；在第一端部相对可移动地连接到显示主体上的第一连杆元件；以及第二连杆元件，该第二连杆元件包括容纳第一连杆元件的连杆容纳部，在第一侧通过连杆铰链单元与第一连杆元件的第二端部相连接以相对于第一连杆元件移动，并且在其第二侧与底座相连接。
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公开(公告)号：CN112306907B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202010657518.8
申请日：2020-07-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/0873 , G06F12/02
Abstract: 提供了一种存储设备、包括其的存储系统及存储设备的操作方法。所述存储系统包括存储设备以及访问所述存储设备的主机，所述存储设备包括非易失性存储器件以及被配置为控制所述非易失性存储器件的存储控制器。所述存储设备根据所述主机的请求，向所述主机传送映射数据，在所述映射数据中，所述非易失性存储器件的物理地址与从所述主机提供的逻辑地址映射。所述主机将所传送的映射数据作为映射高速缓存数据进行存储和管理。所述映射高速缓存数据是根据基于所述非易失性存储器件的对应区域确定的优先级来管理的。
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公开(公告)号：CN118119180A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202311589201.5
申请日：2023-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底，具有单元区域和围绕单元区域的外围区域；下电极，在衬底的单元区域上沿竖直方向延伸；上电极，围绕下电极的侧壁和顶表面；电容器介电层，设置在下电极和上电极之间；第一阻挡层，设置在上电极上，第一阻挡层与上电极的侧壁和顶表面中的每一个接触；第一层间绝缘层，覆盖第一阻挡层，第一层间绝缘层包括与第一阻挡层的材料不同的材料；以及第一接触部，在竖直方向上贯穿第一阻挡层和第一层间绝缘层，第一接触部连接到上电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115720485A
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202210993301.3
申请日：2022-08-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括：第一焊盘，位于在第一方向和第二方向上延伸的衬底上；下电极，连接到第一焊盘并且设置在第一焊盘上；第一支撑体层、第二支撑体层和第三支撑体层，设置在下电极的侧壁上，并且在与第一方向和第二方向垂直的第三方向上彼此顺序地间隔开；电介质膜，设置在下电极以及第一支撑体层、第二支撑体层和第三支撑体层上；以及上电极，设置在电介质膜上。下电极的在第一支撑体层和第二支撑体层之间的侧壁和下电极的在第二支撑体层和第三支撑体层之间的侧壁中的至少一者包括第一部分和第二部分，第一部分包括在第一方向上延伸的突起，第二部分不包括突起。
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公开(公告)号：CN112530948A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202010596850.8
申请日：2020-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108
Abstract: 提供集成电路器件。集成电路器件包括：下电极，形成在基底上；以及上支撑结构，围绕下电极设置并支撑下电极。上支撑结构包括：上支撑图案，围绕下电极并沿平行于基底的横向方向延伸，上支撑图案具有下电极所穿过的孔；以及上间隔件支撑图案，位于上支撑图案与孔内部的下电极之间并具有与上支撑图案接触的外侧壁和与下电极接触的内侧壁，其中，上间隔件支撑图案在横向方向上的宽度沿朝向基底的方向减小。
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公开(公告)号：CN112306906A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010652447.2
申请日：2020-07-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/0873 , G06F12/02
Abstract: 提供了一种存储设备、包括该存储设备的存储系统及其操作方法。所述存储系统包括：存储设备，所述存储设备包括用非易失性存储器实现的加速写入缓冲区和用户存储区域；以及主机，所述主机被配置为向所述存储设备传送读取请求。响应于所述读取请求，所述存储设备向所述主机传送读取数据和包括所述读取数据的属性的读取数据信息。
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公开(公告)号：CN110175138A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201811454417.X
申请日：2018-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/0873 , G06F12/1009
Abstract: 公开了一种支持高速缓存的物理地址验证的存储装置及操作其的方法。所述存储装置包括：解扰模块，被配置为将包括逻辑区块地址(LBA)信息和第一元信息的读取命令的至少部分解扰为第一签名信息和用于访问闪存的第一物理地址(PA)信息。比较模块被设置，其中，所述比较模块被配置为比较第一签名信息与存储的签名信息，从而确定第一签名信息与存储的签名信息之间相等或不等。访问模块被设置，其中，访问模块被配置为在所述比较模块确定相等时，使用第一PA信息来访问闪存的数据区域。
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公开(公告)号：CN103336659A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201310058644.1
申请日：2013-02-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/0488 , G06F3/0484
CPC classification number: G06F16/58 , G06F3/0488
Abstract: 提供了一种由移动终端执行的捕获内容的方法。该方法包括：感测请求移动终端捕获至少一个内容的用户的手势；基于保持请求移动终端捕获至少一个内容的用户的手势的时间段、或者重复请求移动终端捕获至少一个内容的用户的手势的次数，来选择将被捕获的内容的类型；以及捕获所选择类型的内容。内容的类型包括在移动终端中再现的内部内容，以及来自移动终端以外的外部内容。
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