公开(公告)号：CN116954491A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202310152554.2

申请日：2023-02-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李镇旭 ,  文栋煜

IPC: G06F3/06 ,  G06F11/10

Abstract: 提供了用于存储控制器的操作方法和包括存储控制器的存储系统。一种用于包括非易失性存储器(NVM)的存储系统中的存储控制器的操作方法可以包括：根据存储系统的可预测延迟模式接收定义写入操作的写入命令，存储系统的可预测延迟模式定义确定性窗口和非确定性窗口；确定是在确定性窗口期间还是在非确定性窗口期间执行写入操作；当确定在非确定性窗口期间执行写入操作时，使用正常写入模式执行写入操作；当确定在确定性窗口期间执行写入操作时，分析与NVM关联的度量以生成度量分析结果；响应于度量分析结果从多个写入操作方案之中选择写入操作方案；以及使用所选择的写入操作方案执行写入操作。

公开(公告)号：CN116450404A

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202310018595.2

申请日：2023-01-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李承翰 ,  文栋煜 ,  柳炫准 ,  李炅垠

IPC: G06F11/14

Abstract: 提供了存储装置以及包括该存储装置的车辆。所述存储装置包括被安装在彼此分开的相应的第一PCB(印刷电路板)和第二PCB上的第一存储装置和第二存储装置，所述第一存储装置和所述第二存储装置被配置为存储不同数据。所述第一存储装置包括第一存储控制器和感测所述第一存储装置的撞击以输出第一传感器信号的第一震动传感器。所述第二存储装置包括与所述第一震动传感器不同的并且感测所述第二存储装置的撞击以输出第二传感器信号的第二震动传感器。所述第一存储控制器基于所述第一传感器信号输出控制所述第一存储装置的内部操作的第一内部控制信号。所述第一存储装置和所述第二存储装置分别基于所述第一传感器信号和所述第二传感器信号向彼此发送数据。

公开(公告)号：CN116414307A

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN202310028067.5

申请日：2023-01-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文栋煜 ,  陈相华 ,  李镇旭

IPC: G06F3/06

Abstract: 提供了一种操作包括非易失性存储器装置的存储装置的方法。在该方法中，异常区域可被检测为非易失性存储器装置中的可选区域，并且可选数据可被存储在可选区域中。异常区域可以是非易失性存储器装置的访问时间超过参考延迟的部分。

公开(公告)号：CN116126221A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202211363833.5

申请日：2022-11-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文栋煜 ,  柳炫准

IPC: G06F3/06 ,  G06F11/07

Abstract: 一种被配置为获得外部装置的数据以用于调试的存储装置包括非易失性存储器件(NVM)和存储控制器。所述NVM包括被配置为存储用户数据的第一区域和未分配给用户的第二区域。所述存储控制器被配置为通过第一类型总线和与所述第一类型总线不同的第二类型总线两者与主机装置连接。所述存储控制器被配置为通过所述第一类型总线从所述主机装置接收第一请求和第二请求。所述存储控制器被配置为响应于所述第一请求对所述NVM执行操作。所述存储控制器被配置为响应于所述第二请求，将与所述存储装置相关联的第一数据存储在所述第二区域中，以及访问所述第二类型总线以获得由所述主机装置获得的至少一个外部装置的第二数据并将所述第二数据存储在所述第二区域中。