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公开(公告)号：CN105845449A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610176108.5
申请日：2016-03-24
Applicant: 清华大学深圳研究生院
Abstract: 本发明公开了一种电极材料及其制备方法以及超级电容器，电极材料的制备方法包括以下步骤：1)按照Mo离子在双氧水中的浓度为3～5mmol/L确定所需钼粉的量，将称量好的钼粉加入到正在冰浴且搅拌的双氧水中，搅拌至溶液变为透明时，按照极性溶剂与溶液的体积比在1:5～1：8的范围内加入所述极性溶剂，搅拌30～60分钟后至溶液再次变为透明时，滴入分子量在50～150之间的阳离子表面活性剂，继续搅拌30～60分钟；2)将步骤1)得到的溶液转移到水热釜中进行水热合成，在150～200℃下保温6～36小时；3)待水热产物冷却后，洗涤、干燥所述水热产物，制得三氧化钼的电极材料。本发明的制备方法制得的电极材料的比容量较高，所应用的超级电容器的能量密度也较高。
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公开(公告)号：CN105623156A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201511006121.8
申请日：2015-12-28
Applicant: 深圳清华大学研究院
IPC: C08L27/16 , C08L23/12 , C08L67/00 , C08L81/02 , C08L63/00 , C08L79/08 , C08K9/06 , C08K9/04 , C08K3/24 , B32B27/08 , B32B27/28 , B32B27/30 , B32B27/32 , B32B27/36 , B32B27/38
CPC classification number: C08K9/06 , B32B27/08 , B32B27/281 , B32B27/285 , B32B27/304 , B32B27/32 , B32B27/36 , B32B27/38 , B32B2250/24 , B32B2250/42 , B32B2457/16 , C08J5/18 , C08K3/24 , C08K9/04 , C08K2201/005 , C08L23/12 , C08L27/16 , C08L63/00 , C08L67/00 , C08L79/08 , C08L81/02 , C08L2203/16
Abstract: 本发明公开了一种聚合物基杂化膜及其制备方法和应用，所述聚合物基杂化膜的材料为改性陶瓷颗粒掺杂的聚合物；所述聚合物基杂化膜中，所述改性陶瓷颗粒的质量百分含量为5％～30％，所述聚合物的质量百分含量为70％～95％；所述改性陶瓷颗粒的表面有经过表面改性剂改性形成的有机改性层。这种聚合物基杂化膜的材料为改性陶瓷颗粒掺杂的聚合物，通过改性陶瓷颗粒的掺杂，提高了介电常数，同时增加了储能密度。与传统的聚合物基材料相比，这种聚合物基杂化膜的储能密度最高可以达到15kJ/L，储能密度较高。
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公开(公告)号：CN103247823B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201310139528.2
申请日：2013-04-19
Applicant: 清华大学
IPC: H01M10/0562 , H01M10/058
Abstract: 本发明提供了一种全固态锂离子电池及其制作方法。该全固态锂离子电池包括：正极材料、正极集流体、固体电解质材料、负极材料、负极集流体和不锈钢外壳，其中，固体电解质材料为锆酸锂镧、锶掺杂锆酸锂镧、锗掺杂锆酸锂镧、铝掺杂锆酸锂镧或硅掺杂锆酸锂镧中的至少一种。该电池的制作过程简单，成本低、耗能小，在未来的锂电池技术及市场中具有极大的应用前景。
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公开(公告)号：CN103346292B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201310291517.6
申请日：2013-07-11
Applicant: 清华大学
IPC: H01M4/131 , H01M4/1391 , H01M10/0562 , H01M10/058
Abstract: 本发明公开了一种锂离子电池复合正极及其制备方法与应用。该复合正极由正极活性物质颗粒连接形成的三维骨架结构和灌注在骨架间隙中的无机固态电解质组成；正极活性物质为钴酸锂、锰酸锂、磷酸铁锂或镍钴锰三元材料中的一种；无机固态电解质为硼酸锂、偏硼酸锂、氟化锂中的至少一种。制备方法如下：通过将正极活性物质和无机固态电解质分别压制成生坯，随后将无机固态电解质生坯置于正极活性物质生坯上方叠层，并通过一步烧结制得高性能的锂离子电池复合正极。该复合正极仅由正极活性物质和无机固态电解质组成，不添加导电剂和粘结剂，具有良好的质量比容量、面积比容量和循环性能。可用于制备液态电解质锂离子电池和全固态锂离子电池。
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公开(公告)号：CN104851973A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201410056622.6
申请日：2014-02-19
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种利用电场写入数据的四态磁存储单元。其包括：第一电极层；铁电氧化物层，所述铁电氧化物层形成于所述第一电极层上；第二电极层，所述第二电极层形成于所述铁电氧化物层上；磁性记录层，所述磁记录层形成于所述第二电极层上，所述磁性记录层的平面具有4重对称性，用于进行磁性记录，所述铁电氧化物层与磁性记录层之间具有磁电效应的耦合作用；以及保护层，所述保护层设置于所述磁性记录层上，以保护所述磁性记录层。与现有技术相比，本发明对磁性记录层的形状各向异性与排列做了优化，使得磁性记录层的磁化强度在外加电压的作用下的翻转方向可以被控制，磁化强度的四种状态都可以通过外加电压进行写入，从而实现4进制数据存储。
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公开(公告)号：CN104020260A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201410274016.1
申请日：2014-06-18
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明属于材料科学领域，特别涉及一种NiO和Al掺杂的ZnO异质纳米结构及其制备与应用方法。本发明NiO和Al掺杂的ZnO异质纳米结构为由NiO纳米纤维和Al掺杂的ZnO的纳米棒构成的毛刷状异质纳米结构；所述异质纳米结构是通过静电纺丝法制备NiO纳米纤维、在NiO纳米纤维的表面制备Al掺杂的ZnO纳米棒状、样品烧结制备得到的。所述NiO和Al掺杂的ZnO异质纳米结构能够用于制备气敏传感器。实验结果表明基于ZnO和NiO异质纳米结构的气敏传感器对于三乙胺气体具有优异的灵敏度和很高的选择性。
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公开(公告)号：CN103956458A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410177987.4
申请日：2014-04-29
Applicant: 清华大学
IPC: H01M4/131 , H01M4/1391 , H01M10/0525
CPC classification number: H01M4/131 , H01M4/136 , H01M4/1391 , H01M4/1397 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了锂离子电池复合正极及其制备方法与在全固态锂离子电池中的应用。本发明锂离子电池复合正极由正极活性物质、无机固态电解质和氧化导电添加剂组成；正极活性物质为钴酸锂、锰酸锂、磷酸铁锂和镍钴锰三元材料中任一种；无机固态电解质为硼酸锂、偏硼酸锂和氟化锂中至少一种；氧化物导电添加剂为氧化铟锡、氧化铟、二氧化锡、氧化锌、氧化镍和四氧化三铁中任一种。本发明制备方法包括如下步骤：(1)将正极活性物质、无机固态电解质和氧化物导电添加剂混合后进行球磨，经烘干后压制成陶瓷片；(2)将陶瓷片烧结即得复合正极。本发明复合正极具有良好的质量比容量、面积比容量和循环性能，可用于制备全固态锂离子电池，并且可以在高温下使用。
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公开(公告)号：CN102941103A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201210359538.2
申请日：2012-09-24
Applicant: 清华大学
IPC: B01J23/843
Abstract: 本发明公开了一种铁酸铋-石墨烯纳米复合材料及其制备方法。该复合材料由石墨烯和包覆于所述石墨烯表面的BiFeO3纳米颗粒组成；其中，BiFeO3纳米颗粒的直径为100～500nm，石墨烯的直径为5μm～10μm，厚度为2nm～15nm。制备方法如下：首先采用共沉淀法制得BiFeO3前驱体纳米颗粒，进而将其与石墨烯混合进行水热反应，制得的铁酸铋-石墨烯复合材料。本发明的铁酸铋-石墨烯复合材料，带隙为1.78～2.15eV，对可见光的吸收性强，比表面积大，可以有效提高光生载流子的分离和降低载流子的复合率，表现出比纳米粒子更优异的光催化性能。实验证明，这种复合纳米材料在2h内能降解80％以上的目标降解物，显示了其优异的可见光光催化活性。
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公开(公告)号：CN101814294B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201010033876.8
申请日：2010-01-11
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供一种电写磁性存储器件，包括：底电极层；铁电氧化物层，所述铁电氧化物层形成在所述底电极层上；磁性记录层，所述磁性记录层设置在所述铁电氧化物层上；保护层，所述保护层设置在所述磁性记录层上，其中通过所述底电极层和磁性记录层向所述铁电氧化物层施加写入电场，且所述磁性记录层的磁矫顽场Hc具有对应于所述写入电场信息的不同磁矫顽场值。本发明还提供一种存储装置、一种信息记录再现方法以及一种电写磁性存储器件的制造方法。采用本发明所述的设备和方法，能够利用电场信号直接作用于存储器件上进行信息写入，降低能耗，同时利用不易受外界干扰的磁性记录层磁矫顽场Hc大小进行信息记录，提高了数据存储的安全性。
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