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公开(公告)号：CN103943518A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410026183.4
申请日：2014-01-21
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： L.伯维
CPC classification number: B22F7/08 , H01L23/3735 , H01L23/488 , H01L23/49811 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/291 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29294 , H01L2224/293 , H01L2224/29339 , H01L2224/32238 , H01L2224/48091 , H01L2224/48229 , H01L2224/4847 , H01L2224/48472 , H01L2224/73263 , H01L2224/73265 , H01L2224/83002 , H01L2224/83193 , H01L2224/83201 , H01L2224/8384 , H01L2224/8385 , H01L2224/83851 , H01L2224/83986 , H01L2224/85205 , H01L2224/92247 , H01L2924/00011 , H01L2924/1301 , H01L2924/13055 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/014 , H01L2224/83205 , H01L24/34
Abstract: 用于制造牢固接合的连接和电气连接的方法。为了在第一接合伙伴（1）和第二接合伙伴（2）之间制造牢固接合的连接，首先提供第一接合伙伴（1）和第二接合伙伴（2）。第一接合伙伴（1）具有第一连接面（11）以及与第一连接面（11）不同的、待保护的表面片段（12）。第二接合伙伴（2）具有第二连接面（21）。在待保护的表面片段（12）上施加保护层（3），使得待保护的表面片段（12）完全被所述保护层（3）覆盖。在将保护层（3）施加在待保护的表面片段（12）上的状态下，在第一连接面（11）与第二连接面（21）之间制造出牢固接合的连接。在制造了牢固接合的连接之后，又将保护层（3）从所述待保护的表面片段（12）至少部分地去除。
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公开(公告)号：CN103370784A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201180067909.3
申请日：2011-04-01
Applicant: 德塞拉股份有限公司
IPC: H01L21/98 , H01L25/065
CPC classification number: H01L25/00 , H01L23/481 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/05023 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05186 , H01L2224/0519 , H01L2224/05568 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/0603 , H01L2224/0613 , H01L2224/06131 , H01L2224/06135 , H01L2224/06505 , H01L2224/116 , H01L2224/13023 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/136 , H01L2224/16146 , H01L2224/16148 , H01L2224/16235 , H01L2224/16238 , H01L2224/276 , H01L2224/29023 , H01L2224/29082 , H01L2224/291 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/29144 , H01L2224/32148 , H01L2224/32238 , H01L2224/73103 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/8123 , H01L2224/81815 , H01L2224/8183 , H01L2224/83191 , H01L2224/83193 , H01L2224/8323 , H01L2224/83815 , H01L2224/8383 , H01L2224/9202 , H01L2224/9221 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2225/06565 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01029 , H01L2924/09701 , H01L2924/14 , H01L2924/35 , H01L2924/014 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2224/05552 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了两元件(100,200)的微电子组件(300)及其形成方法。微电子元件(100)包括主表面(102)、及在主表面(102)暴露的介电层(120)和至少一个结合垫(110)。微电子元件(100)可包含复数个有源电路元件。第一金属层(130)沉积为覆盖至少一个结合垫(110)和介电层(120)。提供了具有第二金属层(230)沉积于其上的第二元件(200)，第一金属层(130)与第二金属层(230)接合。组件(300)可沿切割线(301)切割为单独的单元，每个都包括芯片。
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公开(公告)号：CN102403278A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110187462.5
申请日：2011-07-06
Applicant: 半导体元件工业有限责任公司
IPC: H01L23/00 , H01L23/48 , H01L23/367 , H01L21/48
CPC classification number: H05K7/00 , H01L23/3121 , H01L23/3677 , H01L24/29 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/41 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L25/074 , H01L2224/05554 , H01L2224/291 , H01L2224/32225 , H01L2224/32235 , H01L2224/32238 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/37611 , H01L2224/37624 , H01L2224/37639 , H01L2224/37644 , H01L2224/37647 , H01L2224/4007 , H01L2224/40095 , H01L2224/40106 , H01L2224/40225 , H01L2224/40227 , H01L2224/4103 , H01L2224/41052 , H01L2224/45014 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49112 , H01L2224/73215 , H01L2224/73221 , H01L2224/73263 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/83851 , H01L2224/85423 , H01L2224/85447 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , Y10T29/49117 , Y10T29/4913 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/84
Abstract: 一种连接器组件以及用于制造连接器组件的方法。根据实施例，连接器组件包括具有第一和第二表面以及第一和第二端部的电连接器。一层电绝缘材料由在第一端部的第一表面的一部分形成或者被形成于该部分之上。可选地，一层电绝缘材料能够由第二表面形成或者被形成第二表面之上。
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公开(公告)号：CN102315138A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201110147129.1
申请日：2011-05-27
Applicant: 赛米控电子股份有限公司
Inventor： 约瑟夫·菲尔藤巴赫尔 , 卡尔海因茨·奥古斯丁 , 乌尔里希·扎格鲍姆 , 克里斯蒂安·约布尔 , 汤姆斯·施托克迈尔
IPC: H01L21/60 , H01L23/492
CPC classification number: H01L24/83 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L2224/2732 , H01L2224/27848 , H01L2224/29082 , H01L2224/2919 , H01L2224/29191 , H01L2224/29239 , H01L2224/29294 , H01L2224/29339 , H01L2224/29395 , H01L2224/32014 , H01L2224/32052 , H01L2224/32058 , H01L2224/32227 , H01L2224/32238 , H01L2224/3303 , H01L2224/331 , H01L2224/33183 , H01L2224/83002 , H01L2224/83009 , H01L2224/83022 , H01L2224/831 , H01L2224/83192 , H01L2224/83203 , H01L2224/83438 , H01L2224/838 , H01L2224/8384 , H01L2224/8385 , H01L2224/83907 , H01L2224/83986 , H01L2924/00011 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/014 , H01L2924/30101 , H01L2924/37001 , H01L2924/01108 , H01L2224/32225 , H01L2924/00 , H01L2224/83205
Abstract: 一种两个连接配对件低温压力烧结连接的方法及其制造的系统。系统具有第一连接配对件和第二连接配对件，连接配对件借助低温压力烧结连接彼此材料配合地借助烧结金属层相连接。方法步骤是：准备具有第一接触面的第一连接配对件。将由如下的烧结膏构成的层涂覆到第一接触面上，烧结膏由烧结金属颗粒和溶剂构成。对烧结膏加温，并且在形成烧结层的情况下排出溶剂。将液体涂覆在烧结层上。布置第二连接配对件。将粘附剂布置在烧结层及第二连接配对件的边缘区域中，粘附剂与第一连接配对件相接触，用以使连接配对件彼此固定。进一步对系统加温和加压，用以构造连接配对件之间的材料配合的低温压力烧结连接，烧结层转变为均质的烧结金属层。
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公开(公告)号：CN102254895A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110105633.5
申请日：2011-03-18
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 寺前智
IPC: H01L23/498 , H01L23/00 , H01L23/49 , H01L25/18
CPC classification number: H01L25/072 , H01L23/04 , H01L23/049 , H01L23/24 , H01L23/3735 , H01L23/49838 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L2224/29101 , H01L2224/32013 , H01L2224/32238 , H01L2224/45124 , H01L2224/83447 , H01L2224/83801 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/15787 , H01L2924/19107 , H01L2924/351 , H05K1/0209 , H05K3/0061 , H05K3/222 , H05K2201/09663 , H05K2201/0969 , H05K2201/1028 , H05K2201/10287 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 一种半导体装置，具有：绝缘基板；在所述绝缘基板的主表面上相互隔开间隔地设置的第一电极图案和第二电极图案；连接到所述第一电极图案上的半导体元件；连接到所述第二电极图案上的电极端子；以及电连接所述第一电极图案和所述第二电极图案、且具有比所述第一电极图案的热阻更大的热阻的连接用配线。
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公开(公告)号：CN103964365B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201310162964.1
申请日：2013-05-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00825 , B81B2207/03 , B81C1/00269 , B81C2203/0118 , B81C2203/019 , B81C2203/035 , B81C2203/036 , B81C2203/054 , H01L21/50 , H01L22/32 , H01L23/10 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L2224/29011 , H01L2224/2908 , H01L2224/29082 , H01L2224/291 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/29124 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/32148 , H01L2224/32238 , H01L2224/32268 , H01L2224/83123 , H01L2224/83127 , H01L2224/83191 , H01L2224/83193 , H01L2224/83204 , H01L2224/83805 , H01L2224/94 , H01L2924/01322 , H01L2924/1461 , H01L2924/15787 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/00 , H01L2224/83
Abstract: 公开了用于密封环结构的方法和装置。可以在第一晶圆和/或第二晶圆上形成晶圆密封环。在第一晶圆和/或第二晶圆中的一个或两个上可以形成有一个或多个管芯。晶圆密封环可以围绕对应的晶圆的管芯形成。一个或多个管芯密封环可以围绕一个或多个管芯形成。晶圆密封环可以形成为高度可以约等于在第一晶圆和/或第二晶圆上形成的一个或多个管芯密封环的高度。可以形成晶圆密封环以实现共晶或者熔融接合工艺。可以将第一晶圆和第二晶圆接合在一起以在第一晶圆和第二晶圆之间形成密封环结构。密封环结构可以在第一晶圆和第二晶圆之间提供密封。
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公开(公告)号：CN103377956B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201310129982.X
申请日：2013-04-15
Applicant: 亚太优势微系统股份有限公司
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L23/49866 , B81C1/00269 , B81C2203/019 , H01L21/50 , H01L21/76251 , H01L23/10 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/95 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0347 , H01L2224/03614 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05073 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/05655 , H01L2224/05669 , H01L2224/1145 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/11614 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/16148 , H01L2224/16238 , H01L2224/16503 , H01L2224/16507 , H01L2224/2745 , H01L2224/27462 , H01L2224/2747 , H01L2224/27614 , H01L2224/29011 , H01L2224/2908 , H01L2224/29082 , H01L2224/29084 , H01L2224/29111 , H01L2224/29139 , H01L2224/32146 , H01L2224/32148 , H01L2224/32235 , H01L2224/32238 , H01L2224/32503 , H01L2224/32507 , H01L2224/48091 , H01L2224/48148 , H01L2224/48228 , H01L2224/48463 , H01L2224/73103 , H01L2224/73203 , H01L2224/73215 , H01L2224/81011 , H01L2224/81013 , H01L2224/81022 , H01L2224/81121 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81825 , H01L2224/81948 , H01L2224/83011 , H01L2224/83013 , H01L2224/83022 , H01L2224/83121 , H01L2224/83193 , H01L2224/83203 , H01L2224/83805 , H01L2224/83825 , H01L2224/83948 , H01L2224/9202 , H01L2224/92147 , H01L2224/95 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/1461 , H01L2924/15787 , H01L2924/16235 , H01L2924/351 , H01L2924/00015 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2224/81 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明提供一种基材的接合方法，包含：首先提供一第一基材和一第二基材，其中一第一银层覆盖第一基材之表面，一第二银层覆盖第二基材之表面以及一金属层覆盖第二银层，其中金属层包含一第一锡层，接着进行一接合制程，将第一基材与第二基材对准，使得金属层和第一银层接触，并且施加负载并加热至一预定温度以生成Ag3Sn金属间化合物，最后降温并移除负载，完成接合制程。本发明的有益效果是改良接合晶圆之质量，使技术能实际应用于产品量产之上。
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公开(公告)号：CN102684064B
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201210070077.7
申请日：2012-03-16
Applicant: 西铁城控股株式会社
Inventor： 依田薰
CPC classification number: H01L24/83 , H01L24/32 , H01L2224/29019 , H01L2224/29111 , H01L2224/2919 , H01L2224/32059 , H01L2224/32238 , H01L2224/7592 , H01L2224/81192 , H01L2224/81444 , H01L2224/81895 , H01L2224/83099 , H01L2224/83193 , H01L2224/83208 , H01L2224/83385 , H01L2224/83444 , H01L2224/83895 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/12043 , Y10T156/1039 , H01L2924/0105 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种不管接合用凸出的弹性恢复如何，都可以高精度地进行光学元件之间的光学定位的光模块的制造方法。光模块底(10)上形成由金属构成的接合用凸出(19)；通过施加使上述接合用凸出比上述第1光学元件和上述第2光学元件最高效率地进行光耦合的位置进一步变形那样的规定量(F)的负荷后释放负荷，在上述接合用凸出上接合上述第2光学元件。(1)的制造方法的特征在于具有以下步骤：在衬
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公开(公告)号：CN103918076A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201380003722.6
申请日：2013-10-25
Applicant: 日本精工株式会社
CPC classification number: H05K1/09 , H01L23/142 , H01L23/3735 , H01L23/49582 , H01L23/49811 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/35 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/41 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/84 , H01L24/92 , H01L25/07 , H01L25/072 , H01L25/18 , H01L2224/05553 , H01L2224/0603 , H01L2224/291 , H01L2224/29294 , H01L2224/293 , H01L2224/32227 , H01L2224/32238 , H01L2224/33181 , H01L2224/352 , H01L2224/35847 , H01L2224/3701 , H01L2224/37013 , H01L2224/37147 , H01L2224/40095 , H01L2224/40225 , H01L2224/40227 , H01L2224/40475 , H01L2224/40499 , H01L2224/4103 , H01L2224/4112 , H01L2224/48 , H01L2224/73263 , H01L2224/77272 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/8321 , H01L2224/83424 , H01L2224/83447 , H01L2224/83801 , H01L2224/83815 , H01L2224/84424 , H01L2224/84447 , H01L2224/84801 , H01L2224/84815 , H01L2224/85 , H01L2224/9221 , H01L2924/014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/181 , H01L2924/19105 , H01L2924/3011 , H01L2924/351 , H05K1/0271 , H05K1/05 , H05K1/181 , H05K3/3431 , H05K2201/10166 , H05K2201/1028 , H05K2201/1031 , H05K2201/10409 , H05K2201/10946 , H05K2201/10962 , Y02P70/611 , Y02P70/613 , H01L2924/00015 , H01L2924/00014 , H01L2224/83 , H01L2224/84 , H01L2224/33 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 半导体模块(30)具有通过焊锡(34b、34c)使形成于晶体管裸芯片(35)的上表面的电极(S、G)和多个布线图案(33a～33d)中的布线图案(33b、33c)接合的铜连接器(36a、36b)。铜连接器(36bb)具有与晶体管裸芯片(35)的电极(G)接合的电极接合部(36bb)和与电极接合部(36bb)以相对置的方式而配置的、与布线图案(33c)接合的基板接合部(36bc)。电极接合部(36bb)的与单向正交的方向上的宽度W1比基板接合部(36bb)的与单向正交的方向上的宽度W2窄。
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公开(公告)号：CN103168355A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201180016931.5
申请日：2011-10-12
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: H01L23/13 , H01L23/057 , H01L23/24 , H01L23/36 , H01L23/49827 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L25/0655 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L2224/32227 , H01L2224/32237 , H01L2224/32238 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
Abstract: 在通过向功率电路上层叠驱动电路等外围电路而要实现小型轻量化、低电涌化及低损失化的大容量模块中，减少如下问题：因配设在功率电路上的功率半导体元件的端子与外围电路的电极的对位不充分而引起的功率半导体元件的端子与外围电路的电极的接合部中的电阻增大或在相邻的接合部之间的绝缘耐压降低等问题。在外围电路基板的表面设置台阶，通过该台阶与功率半导体元件的侧面接触，在功率电路与外围电路层叠时更准确地进行外围电路基板的电极与功率半导体元件的端子的对位，由此减少上述问题。
