公开(公告)号：CN103534196B

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201280023025.2

申请日：2012-05-09

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 雅罗斯瓦夫·W·温尼克泽克 ,  弗兰克·Y·琳 ,  艾伦·J·米勒 ,  许青 ,  徐相俊 ,  咸进焕 ,  尹尚俊 ,  卡梅利娅·鲁苏

IPC: B81C1/00 ,  H01L21/302 ,  C23F1/00

CPC classification number: H01L21/30655 ,  B81C1/00619 ,  B81C2201/0112 ,  H01L21/3086

Abstract: 一种方法被提供用于在具有操作压强和工作偏压的等离子体处理室中蚀刻硅。该方法包括：在硅中执行第一垂直蚀刻来创建具有第一深度和侧壁的孔；在侧壁上执行保护层的沉积；执行第二垂直蚀刻来将孔加深到第二深度并创建第二侧壁，所述第二侧壁包括第一槽、第二槽和峰，所述第一槽对应于所述第一侧壁，所述第二槽对应于所述第二侧壁，所述峰被配置在所述第一槽和所述第二槽之间；执行第三蚀刻，以使所述峰缩小。

公开(公告)号：CN104326438A

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201410349234.7

申请日：2014-07-22

Applicant: 大西洋惯性系统有限公司

Inventor： T.霍克 ,  M.韦纳布莱斯 ,  I.斯特兰 ,  R.埃利

IPC: B81C1/00 ,  H01L21/3065

CPC classification number: B81C1/00531 ,  B81B3/0064 ,  B81B2201/033 ,  B81B2203/033 ,  B81C1/00388 ,  B81C1/00619 ,  B81C2201/0112 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308

Abstract: 本发明涉及反应性离子蚀刻。公开了一种反应性离子蚀刻基板46以形成至少第一和第二蚀刻形态(42，44)的方法。所述第一蚀刻形态(42)具有比所述第二蚀刻形态(44)更大的纵横比(深度:宽度)。在第一蚀刻阶段，蚀刻所述基板(46)以便只将所述第一形态(42)蚀刻至预定深度。此后在第二蚀刻阶段，蚀刻所述基板(46)以便将所述第一和所述第二形态(42，44)均蚀刻至各自的深度。可贴掩模(40)以限定在形状上与所述形态(42，44)相对应的孔口。在所述第一蚀刻阶段期间用第二保护层(50)选择性掩蔽所述基板(46)中要产生所述第二蚀刻形态(44)的区域。然后在所述第二蚀刻阶段之前去除所述第二保护层(50)。

公开(公告)号：CN104071743A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201410117424.6

申请日：2014-03-26

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M·恩格尔哈特 ,  M·扎加

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  B81B3/00

CPC classification number: B81B3/001 ,  B81B3/0051 ,  B81C1/00531 ,  B81C1/00626 ,  B81C2201/0112 ,  B81C2201/0132 ,  H01L21/30655

Abstract: 本发明的实施例涉及半导体器件以及用于制造半导体器件的方法。一种方法包括执行时间多路复用蚀刻处理的步骤，其中时间多路复用蚀刻处理中最后的蚀刻步骤具有第一持续时间。在执行该时间多路复用蚀刻处理之后，执行具有第二持续时间的蚀刻步骤，其中第二持续时间大于第一持续时间。

公开(公告)号：CN103420321B

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201310176308.7

申请日：2013-05-14

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： A·弗兰克 ,  P·韦尔纳 ,  L·特布耶

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B3/0075 ,  B81C1/00626 ,  B81C1/00674 ,  B81C2201/0112 ,  B81C2201/014 ,  B81C2203/0109

Abstract: 本发明涉及混合集成的构件和用于其制造的方法。本发明提出一种措施，通过该措施明显提高在实现构件（100）的MEMS结构元件（10）的微机械结构时的设计自由度，所述构件包括用于MEMS结构元件（10）的载体（20）和用于MEMS结构元件（10）的微机械结构的盖（30），其中，所述MEMS结构元件（10）通过托脚结构（21）装配在载体（20）上。根据本发明，所述MEMS结构元件（10）以层结构的形式实现并且所述MEMS结构元件（10）的微机械结构（11）延伸经过该层结构的至少两个功能层（3，5），所述至少两个功能层通过至少一个中间层（4）相互分开。

公开(公告)号：CN104637867A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201310572277.7

申请日：2013-11-15

Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司

Inventor： 尹志尧 ,  许颂临 ,  倪图强

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/768 ,  B81C1/00087 ,  B81C2201/0112 ,  H01L21/32133

Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一硅通孔刻蚀方法，其中包括多次重复的制程循环步骤，所述制程循环步骤包括刻蚀步骤和侧壁沉积步骤，所述侧壁沉积步骤在各重复执行的制程循环步骤中，执行时间逐次减少。本发明的优点是，随着制程循环步骤的重复执行，刻蚀深度逐渐变深，制程循环步骤中侧壁沉积步骤的执行时间逐渐变短，通过调整重复执行的制程循环步骤中侧壁沉积步骤的执行时间，随着刻蚀深度的加深，改变刻蚀过程中刻蚀气体和沉积气体的通入量，从而改变刻蚀结构表面及侧壁刻蚀气体、沉积气体及其产生的等离子体的分布，实现高深宽比结构刻蚀的均一性，并保障了刻蚀结构表面粗糙度和侧壁垂直度，能够获得高质量的刻蚀结构。

公开(公告)号：CN103811408A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201210445649.5

申请日：2012-11-08

Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司

Inventor： 黄秋平 ,  许颂临

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3065

CPC classification number: B81C1/00619 ,  B81C2201/0112 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/30655

Abstract: 本发明提供一种深孔硅刻蚀方法，将待处理硅片设置在等离子体处理室中，硅片表面包括图形化的掩膜层，通入第一反应气体对硅片进行刻蚀形成具有底切形貌的开口到第一深度。然后进入交替进行刻蚀和侧壁保护的主刻蚀阶段，在完成主刻蚀阶段后形成具有基本垂直侧壁形貌的侧壁。

公开(公告)号：CN103283005A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201180061141.9

申请日：2011-12-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 罗伯特·P·谢比 ,  艾伦·切希尔 ,  加布里埃尔·鲁皮亚尔 ,  阿尔弗雷多·格拉纳多斯

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/30655 ,  B81B2203/033 ,  B81C1/00619 ,  B81C2201/0112 ,  H01J37/32403 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/6831

Abstract: 用于在等离子体蚀刻反应器中蚀刻基板的方法可包括：(a)使用从第一工艺气体所形成的第一反应性物种在特征结构的表面上沉积聚合物，所述第一工艺气体包含聚合物形成气体，所述特征结构被形成在基板中，所述基板设置在所述蚀刻反应器中；(b)使用从第三工艺气体所形成的第三反应性物种在所述蚀刻反应器中蚀刻所述基板的所述特征结构的底表面，所述第三工艺气体包括蚀刻气体；及(c)当沉积所述聚合物时或当蚀刻所述底表面时的至少一种，用从第二工艺气体所形成的第二反应性物种轰击所述特征结构的底表面，用以当沉积所述聚合物时能移除设置在所述底表面上的至少一些所述聚合物，或用以当蚀刻所述底表面时能化学地或物理地的至少一种损坏所述底表面，所述第二工艺气体包含惰性气体、氧化气体、还原气体或所述聚合物形成气体的一或多种。

公开(公告)号：CN102844856A

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN201180019434.0

申请日：2011-02-24

Applicant: SPTS科技有限公司

Inventor： 罗伯特·迪蒂奇奥

IPC: H01L21/768 ,  B81B1/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/76898 ,  B81B2207/07 ,  B81C1/00087 ,  B81C2201/0112 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/30655

Abstract: 使用在掩膜层下形成根切轮廓的刻蚀工艺来形成通孔。通孔涂覆有共形绝缘层，且对结构应用刻蚀工艺以从水平表面去除绝缘层，留下在通孔的竖直侧壁上的绝缘层。通孔的顶部区域在回蚀工艺中受到根切硬掩膜的保护。

公开(公告)号：CN102164845A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN200980138472.0

申请日：2009-09-24

Applicant: NXP股份有限公司

Inventor： 弗莱迪·罗兹博 ,  马特吉·戈森斯 ,  威廉·弗雷德里克·亚德里亚内斯·贝什林 ,  耐恩克·维尔哈德

IPC: B81B1/00 ,  B81C99/00 ,  H01L29/41 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L29/41 ,  B81B3/007 ,  B81B2201/06 ,  B81C1/00619 ,  B81C2201/0112 ,  B81C2201/0132 ,  H01L28/91

Abstract: 一种半导体器件，包括第一表面和设置在第一表面上的相邻的第一和第二电子元件，其中所述第一和第二元件的每一个均从第一表面沿第一方向延伸，所述第一元件具有实质上与第一方向垂直的截面以及至少部分地沿第一方向延伸的侧壁表面，其中所述侧壁表面包括第一部分以及沿与第一方向实质上平行延伸的线与第一部分相邻接的第二部分，其中所述第一和第二部分彼此成角度放置以提供一个内角，以及其中在所述内角处的所述侧壁表面至少部分地设置成与第二元件的相对部分相距恒定的距离R，用于在所述内角处提供机械加强结构。

公开(公告)号：CN101036218A

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：CN200580033918.5

申请日：2005-10-04

Applicant: 西尔弗布鲁克研究有限公司

Inventor： 达雷尔·拉鲁埃·麦克雷诺兹 ,  卡·西尔弗布鲁克

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/308

CPC classification number: H01L21/02057 ,  B41J2/1412 ,  B41J2/1601 ,  B41J2/1623 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1631 ,  B41J2/164 ,  B81B2201/052 ,  B81B2203/033 ,  B81C1/00849 ,  B81C2201/0112 ,  B81C2201/0132

Abstract: 提供一种从限定在硅晶片[5]中的蚀刻沟槽的侧壁上移除聚合物涂层的方法。该方法包括在偏压等离子体蚀刻室中利用O2等离子体蚀刻晶片。室温度在90～180℃范围内。