公开(公告)号：CN108885190A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780019890.2

申请日：2017-03-24

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 原谷进 ,  坪池祥生 ,  北川寿美子 ,  菊川隆 ,  柚贺春希

IPC: G01N27/72 ,  G01N33/543

CPC classification number: G01N27/72 ,  G01N33/543

Abstract: 本发明的生物传感器包括：基板，其具有形成有第一区域和与上述第一区域邻接配设的第二区域的面；磁阻效应元件，其配置于上述第一区域上，检测出的电阻值对应于所输入的磁场而发生变化；保护膜，其配置于上述第一区域上和第二区域上的两个区域上，覆盖上述磁阻效应元件的表面，并且在上述第二区域上配置于最上部，仅在上述第二区域上在外表面具有识别上述生物体分子的亲和性物质；和防吸附膜，其至少在上述第一区域上配置于其最上部，实质上不具有上述亲和性物质，上述保护膜和上述防吸附膜由彼此不同的材料构成。

公开(公告)号：CN108780067A

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201780019868.8

申请日：2017-03-24

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 原谷进 ,  坪池祥生 ,  北川寿美子 ,  菊川隆 ,  柚贺春希

IPC: G01N27/72 ,  G01N33/543

CPC classification number: G01N27/72 ,  G01N33/543

Abstract: 本发明的生物传感器包括：具有形成有第一区域和与第一区域邻接配设的第二区域的面的基板；配置于第一区域上、检测出的电阻值对应于所输入的磁场而发生变化的磁阻效应元件；配置于第二区域上的软磁性体薄膜；保护膜，其配置于第一区域上和第二区域上的两个区域上，覆盖软磁性体薄膜的表面，并且在第二区域上配置于最上部，仅在第二区域上在外表面具有识别上述生物体分子的亲和性物质；和MR覆盖膜，至少在第一区域上配置于最上部，配置于磁阻效应元件的上方的保护膜上，实质上不具有亲和性物质。软磁性体薄膜以将上述软磁性体薄膜上所聚集的磁珠的悬浮磁场的叠层面内方向成分向上述磁阻效应元件传递的方式构成，保护膜和MR覆盖膜由彼此不同的材料构成。

公开(公告)号：CN102193022B

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201110066098.7

申请日：2011-03-18

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 原谷进 ,  山口仁 ,  宫崎雅弘 ,  志村茂

IPC: G01R19/00 ,  G01R15/00

CPC classification number: G01R15/205 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093

Abstract: 本发明提供一种对涉及较宽范围的检测对象电流高灵敏度且高精度地进行检测的电流传感器。其具备：GMR元件（11～14），沿着导体相互同向延伸配置，根据流过导体的检测对象电流所产生的感应磁场，各自的电阻值示出变化；补偿电流线（30），通过流过补偿电流，将与感应磁场相反方向的补偿磁场提供给GMR元件（11～14）的每一个。GMR元件（11～14）相互连接而形成桥接电路。补偿电流通过从该桥接电路的中点取出的电位的差分产生。补偿电流线（30）中的带状部分（31～34）与GMR元件（11～14）同向延伸并且在厚度方向上与其分别重合，而且具有分别比GMR元件（11～14）的宽度（W11～W14）小的宽度（W31～34）。

公开(公告)号：CN101499357B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200810173166.8

申请日：2008-10-29

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 原谷进 ,  山口仁

IPC: H01F10/00 ,  G01R15/20 ,  H01L43/08

CPC classification number: G01R33/09 ,  G01R33/091 ,  H01F5/003 ,  H01F38/14

Abstract: 本发明提供一种具有更高响应性的磁耦合器，其中设有：在第一层(L1)上卷绕的薄膜线圈(20)；配置在第二层L2上，检测由流过薄膜线圈(20)的信号电流Im产生的感应磁场Hm的第一MR元件(31)；以及配置在该第一MR元件(31)近旁的由软磁性材料构成的磁轭(41、42)。第一MR元件(31)配置在第二层(L2)中与薄膜线圈(20)的直线区域(R21)在层叠方向上对应的位置。磁轭(41、42)在第二层(L2)上夹着第一MR元件(31)而配置在薄膜线圈(20)的卷绕中心侧和卷绕外周侧这两侧。于是，可以抑制感应磁场Hm的强度下降，并使感应磁场Hm成为更平坦的强度分布。

公开(公告)号：CN1983444A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200610092409.6

申请日：2006-05-26

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 原谷进

IPC: G11C11/15

CPC classification number: G11C11/16 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

Abstract: 磁存储器(1)具有：在任意确定方向上延伸的导线(5)、与导线(5)邻近配置的磁阻效应元件(4)、以及与导线(5)中的磁阻效应元件(4)相对的侧上相邻配置的反元件侧轭(20B)，并且该反元件侧轭(20B)的厚度设置为比50nm大并且小于150nm。因与此发明一致的缘故，在写入操作期间，此磁存储器能够使磁化属性均匀，并且用低电流执行写工作。