公开(公告)号：CN104685348A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201380052272.X

申请日：2013-10-04

Applicant: FEI公司

Inventor： S.H.李 ,  S.斯通 ,  J.布莱克伍德 ,  M.施米德特

IPC: G01N23/00 ,  B23K15/08 ,  G01B15/00

CPC classification number: H01J37/3053 ,  C23C14/46 ,  G01N1/32 ,  H01J37/28 ,  H01J37/3056 ,  H01J37/3178 ,  H01J2237/3174 ,  H01J2237/31745 ,  H01J2237/31749

Abstract: 通过减小保护层与感兴趣特征之间的距离来减小高纵横比特征上的帘幕化伪像。例如，离子束可以与工件表面的一角度进行铣削以产生斜表面。向斜表面上沉积保护层，并且离子束通过保护层进行铣削以使感兴趣特征暴露以用于分析。斜铣削将保护层接近于感兴趣特征定位以减少帘幕化。