公开(公告)号：CN116419795A

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN202180076555.2

申请日：2021-11-10

Applicant: AGC株式会社 ,  AGC硅素技术株式会社

Inventor： 室谷英介 ,  小口亮平 ,  山田拓 ,  中原胜正 ,  片山肇 ,  井上真树

IPC: B01J20/22

Abstract: 本发明提供：可以有效地回收酸性气体、可以增加酸性气体的回收量的固体的吸附材料。本发明的吸附材料含有无机多孔体和胺化合物，无机多孔体的基于氮气吸附法求出的孔径的峰值直径为20nm以上且100nm以下、且吸油量为230ml/100g以上或孔容为1.2cm3/g以上且3.5cm3/g以下。

公开(公告)号：CN110546107B

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：CN201880026824.2

申请日：2018-04-23

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 片山肇 ,  有贺广志

IPC: C01B35/04 ,  C08G77/04 ,  C08K9/06 ,  C09K3/00

Abstract: 本发明提供通过简易的操作，即使不进行高温下的烧成也能够制造可充分地提高成形品的透明性、且耐候性优良的含六硼化镧的复合粒子的制造方法、以及使用该制造方法的成形品的制造方法。含六硼化镧的复合粒子的制造方法的特征是，在六硼化镧粒子、沸点在200℃以下的碱、水和有机溶剂的存在下，使选自四烷氧基硅烷、其水解物和其缩合物的至少一种二氧化硅前体反应，得到第一反应混合物，接着，使上述第一反应混合物与选自氨基改性硅氧烷、烷基硅烷和氨基硅烷的至少一种硅化合物、或上述硅化合物和追加的上述二氧化硅前体反应，得到包含含六硼化镧的复合粒子的第二反应混合物。

公开(公告)号：CN115190867A

公开(公告)日：2022-10-14

申请号：CN202180017437.4

申请日：2021-02-22

Applicant: AGC株式会社 ,  AGC硅素技术株式会社

Inventor： 加茂博道 ,  近藤雅史 ,  片山肇

IPC: C01B33/12 ,  C01B33/193

Abstract: 本发明提供介电损耗低、在树脂中的分散性好的中空二氧化硅颗粒。本发明的中空二氧化硅颗粒具备包含二氧化硅的壳层，在前述壳层的内部具有空间部，所述中空二氧化硅颗粒的、基于红外分光法的波数3746cm‑1附近的源自SiOH的峰强度为0.60以下，1GHz下的相对介电常数为1.3～5.0，并且1GHz下的介电损耗角正切为0.0001～0.05。

公开(公告)号：CN110546107A

公开(公告)日：2019-12-06

申请号：CN201880026824.2

申请日：2018-04-23

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 片山肇 ,  有贺广志

IPC: C01B35/04 ,  C08G77/04 ,  C08K9/06 ,  C09K3/00

Abstract: 本发明提供通过简易的操作，即使不进行高温下的烧成也能够制造可充分地提高成形品的透明性、且耐候性优良的含六硼化镧的复合粒子的制造方法、以及使用该制造方法的成形品的制造方法。含六硼化镧的复合粒子的制造方法的特征是，在六硼化镧粒子、沸点在200℃以下的碱、水和有机溶剂的存在下，使选自四烷氧基硅烷、其水解物和其缩合物的至少一种二氧化硅前体反应，得到第一反应混合物，接着，使上述第一反应混合物与选自氨基改性硅氧烷、烷基硅烷和氨基硅烷的至少一种硅化合物、或上述硅化合物和追加的上述二氧化硅前体反应，得到包含含六硼化镧的复合粒子的第二反应混合物。