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公开(公告)号:CN110785443B
公开(公告)日:2022-06-07
申请号:CN201880041034.1
申请日:2018-06-21
Applicant: AGC株式会社
Abstract: 提供聚合速度快、生产率优异、可稳定地得到高分子量的含氟聚合物、能够降低环境负荷的含氟聚合物的制造方法、含官能团的含氟聚合物的制造方法、及电解质膜的制造方法。一种含氟聚合物的制造方法,其中,使单体混合物在聚合介质中聚合,所述单体混合物包含:四氟乙烯、和具有能够转化为磺酸基或羧酸基的基团的含氟单体,所述聚合介质以碳数4~10的环状氢氟烃为主成分。以及,利用该制造方法的含官能团的含氟聚合物的制造方法及电解质膜的制造方法。
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公开(公告)号:CN109790250B
公开(公告)日:2021-08-17
申请号:CN201780059765.4
申请日:2017-09-26
Applicant: AGC株式会社
Abstract: 提供阻聚剂在环结构单体中的溶解性良好、保管中的环结构单体的稳定性良好、通过蒸馏容易将环结构单体和阻聚剂分离的单体组合物;由该单体组合物制造分子量高的含氟聚合物的制造方法。一种单体组合物,其包含特定的环结构单体和阻聚剂,阻聚剂为满足下述条件的阻聚剂:(a)为具有1~4个取代基的6元环的不饱和环状烃,(b)具有选自由叔丁基、甲基、异丙烯基、氧代基及羟基组成的组中的至少1种作为取代基,(c)具有氧代基作为取代基的1种时,作为除氧代基以外的取代基,具有叔丁基及甲基中的任一者或两者,(d)具有羟基作为取代基的情况下,该羟基仅为1个。
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公开(公告)号:CN113166304A
公开(公告)日:2021-07-23
申请号:CN201980080636.2
申请日:2019-12-06
Applicant: AGC株式会社
IPC: C08F14/18 , H01B1/06 , H01B1/12 , H01M8/1039 , H01M8/1067
Abstract: 提供聚合物的制造方法,其可得到TQ值高、离子交换容量高的含有磺酸基的聚合物。一种含有氟磺酰基的含氟聚合物的制造方法,其中,使下式m1所示的单体、及四氟乙烯在110℃以上且250℃以下的温度下聚合。(式中,RF1及RF2为碳数1~3的全氟亚烷基。)
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公开(公告)号:CN113166297B
公开(公告)日:2023-07-28
申请号:CN201980080558.6
申请日:2019-12-06
Applicant: AGC株式会社
IPC: C08F8/12 , C08F14/18 , C08L27/00 , H01B1/06 , H01B1/12 , H01M8/10 , H01M8/1039 , H01M8/1051 , C08K3/22
Abstract: 提供能够形成制成膜电极接合体时的初始的发电特性优异、并且耐久性优异、缺陷少的固体高分子电解质膜的液体组合物。一种液体组合物,其包含:液体介质、含磺酸基的氟碳聚合物、和难溶性铈化合物,前述含磺酸基的氟碳聚合物的离子交换容量为1.36~2.50毫当量/g干燥树脂,前述难溶性铈化合物的平均粒径为1nm~3000nm,前述难溶性铈化合物中的铈原子的总摩尔数相对于前述含磺酸基的氟碳聚合物所具有的磺酸基的总摩尔数的比例为0.001~0.3。
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公开(公告)号:CN112154162B
公开(公告)日:2022-07-26
申请号:CN201980033075.0
申请日:2019-05-16
Applicant: AGC株式会社
IPC: C08F34/02
Abstract: 提供:使具有在环骨架中包含聚合性双键的二氧戊环的全氟单体聚合时,可以高效且容易地控制为适当的分子量,得到的含氟聚合物即使与碱接触,分子量也不易降低的含氟聚合物的制造方法。一种含氟聚合物的制造方法,其中,使包含单体组合物M11及单体组合物M12中的至少一者的原料混合物聚合,所述单体组合物M11包含式m11所示的全氟单体及其氟原子的至少一部分被氢原子取代而成的含氟单体m11H,所述单体组合物M12包含式m12所示的全氟单体及其氟原子的至少一部分被氢原子取代而成的含氟单体m12H,含氟单体m11H及含氟单体m12H的总量相对于单体组合物M11及单体组合物M12的总量为10~1100ppm。
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公开(公告)号:CN113557248A
公开(公告)日:2021-10-26
申请号:CN202080020464.2
申请日:2020-03-12
Applicant: AGC株式会社
Inventor: 斋藤贡
IPC: C08F34/02 , H01M4/86 , H01M8/10 , H01M8/1039 , H01M8/1067
Abstract: 提供:能够抑制催化剂层的裂纹的膜电极接合体。本发明的膜电极接合体具有:具有催化剂层的阳极,所述催化剂层包含质子传导性聚合物;具有催化剂层的阴极,所述催化剂层包含质子传导性聚合物;和配置在阳极与阴极之间的固体高分子电解质膜,阳极及阴极中的至少一者的催化剂层中包含的质子传导性聚合物为具有包含环状醚结构的单元、且具有磺酸型官能团的聚合物(H),固体高分子电解质膜含有:包含含氟聚合物的多孔体、和具有磺酸型官能团的含氟聚合物(S)。
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公开(公告)号:CN109790244A
公开(公告)日:2019-05-21
申请号:CN201780059485.3
申请日:2017-09-15
Applicant: AGC株式会社
CPC classification number: H01M8/1039 , C08F8/12 , C08F216/1466 , C08F216/16 , C08F2216/1475 , C08J5/22 , H01B1/06 , H01M8/02 , H01M8/10 , H01M8/1004 , H01M8/1023 , H01M2008/1095
Abstract: 提供能够形成即使重复加湿和干燥也不易断裂的固体高分子电解质膜或不易产生裂纹的催化剂层的聚合物、及使用该聚合物的固体高分子电解质膜、固体高分子型燃料电池用膜电极接合体。一种聚合物,其包含具有2个离子交换基团的单元(u1)和全氟(烷基乙烯基醚)等单元(u2),摩尔比(u2)/((u1)+(u2))超过0.30且为0.70以下。一种膜电极接合体(10),其具备:具有催化剂层(11)及气体扩散层(12)的阳极(13)、具有催化剂层(11)及气体扩散层(12)的阴极(14)、及以与催化剂层(11)接触的状态配置于阳极(13)和阴极(14)之间的固体高分子电解质膜(15),催化剂层(11)及固体高分子电解质膜(15)中的任一者或两者包含前述聚合物。
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公开(公告)号:CN109478667A
公开(公告)日:2019-03-15
申请号:CN201780043352.7
申请日:2017-07-05
Applicant: AGC株式会社
IPC: H01M8/1018 , C08F214/18 , C08F214/24 , H01B1/06 , H01B1/10 , H01B1/12
Abstract: 提供氢气透过性低、并且耐热水性优异的电解质材料。一种电解质材料,其含有以特定的比例具有式u1所示的单元和基于氯三氟乙烯的单元的聚合物。Q11:任选具有醚性氧原子的全氟亚烷基,Q12:单键或任选具有醚性氧原子的全氟亚烷基,Y1:氟原子等,s:0或1,Rf1:任选具有醚性氧原子的全氟烷基,X1:氧原子等,a:X1为氧原子的情况下为0,Z+:H+等。
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公开(公告)号:CN113518788B
公开(公告)日:2023-05-16
申请号:CN202080017270.7
申请日:2020-02-28
Applicant: AGC株式会社
IPC: C08F216/14 , C08J5/22 , H01M4/86 , H01B1/06 , H01M8/10 , H01M8/1023 , H01M8/1039 , H01M8/1067 , H01M8/18
Abstract: 提供一种含有磺酸基的聚合物,其能够形成低氢气透过性的膜,并显示高的离子交换容量,显示适当的软化温度。一种含有磺酸基的聚合物,其具有:下式u1所示的单元u1、下式u2所示的单元u2和基于四氟乙烯的单元u3。(式u1中,RF1和RF2各自独立地为碳原子数1~3的全氟亚烷基,Z+为氢离子、金属离子或铵离子)。‑[CF2‑CF(CF2O‑Rf1)]‑式u2(式u2中,Rf1为任选包含SO3‑Z+基和/或醚性氧原子的全氟烷基,其中,包含醚性氧原子的全氟烷基为选自CF2CF(CF3)OCF2CF2CF3、CF2CF(CF3)OCF2CF(CF3)OCF2CF2CF3、CF2CF2OCF2CF2CF2OCF3中的至少一种)。
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公开(公告)号:CN113518788A
公开(公告)日:2021-10-19
申请号:CN202080017270.7
申请日:2020-02-28
Applicant: AGC株式会社
IPC: C08F216/14 , C08J5/22 , H01M4/86 , H01B1/06 , H01M8/10 , H01M8/1023 , H01M8/1039 , H01M8/1067 , H01M8/18
Abstract: 提供一种含有磺酸基的聚合物,其能够形成低氢气透过性的膜,并显示高的离子交换容量,显示适当的软化温度。一种含有磺酸基的聚合物,其具有:下式u1所示的单元u1、下式u2所示的单元u2和基于四氟乙烯的单元u3。(式u1中,RF1和RF2各自独立地为碳原子数1~3的全氟亚烷基,Z+为氢离子、金属离子或铵离子)。‑[CF2‑CF(CF2O‑Rf1)]‑式u2(式u2中,Rf1为任选包含SO3‑Z+基的全氟烷基)。
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