一种高表面粗糙度集料及其制备方法

    公开(公告)号:CN111977998B

    公开(公告)日:2021-12-07

    申请号:CN202010879469.2

    申请日:2020-08-27

    Applicant: 长安大学

    Abstract: 一种高表面粗糙度集料及其制备方法,将点腐蚀剂均匀喷洒在经过表面处理的粗集料上,粗集料与点腐蚀剂反应后用清水冲洗集料;然后采用碱溶液清洗粗集料,最后采用硅烷偶联剂的乙醇溶液冲洗粗集料,晾干,得到高表面粗糙度集料;其中,点腐蚀剂通过以下过程制得:将增稠剂加入到水中,然后加入盐酸或硫酸,搅拌均匀,得到点腐蚀剂。利用酸性物质与集料中的CaO、CaCO3等成分发生反应,使得集料表面发生腐蚀。通过调整增稠剂含量,可以控制腐蚀剂的粘度,从而控制喷洒在集料表面的腐蚀剂的质量和形态。当集料表面局部附着一定量的腐蚀剂时,集料表面发生快速的严重的局部点蚀,逐渐形成点蚀坑,从而显著提高集料的表面粗糙度。

    一种采用无压浸渗制备高体积分数SiC颗粒增强Cu基复合材料的方法

    公开(公告)号:CN111235421B

    公开(公告)日:2021-11-09

    申请号:CN202010049432.7

    申请日:2020-01-16

    Applicant: 长安大学

    Abstract: 本发明一种采用无压浸渗制备高体积分数SiC颗粒增强Cu基复合材料的方法,包括:步骤1,制备多孔碳化硅陶瓷框架;制备偏钨酸铵溶胶;步骤2,将偏钨酸铵溶胶浸入到多孔碳化硅陶瓷框架中,然后干燥并在空气气氛中煅烧,然后在氢气气氛下煅烧还原,得到含有钨涂层的多孔碳化硅陶瓷框架;步骤3,将含有钨涂层的多孔碳化硅陶瓷框架和铜在加热条件下进行无压浸渗,得到高体积分数SiC颗粒增强Cu基复合材料。本发明在多孔碳化硅陶瓷框架的孔道表面形成钨涂层,钨与铜的润湿角小于10°,所以钨涂层改善了碳化硅、氧化硅与铜的润湿性,从而保证能够利用无压浸渗的方法得到高体积分数SiC颗粒增强Cu基复合材料。

    一种增强二氧化硅气凝胶材料的制备方法

    公开(公告)号:CN109251005B

    公开(公告)日:2021-07-23

    申请号:CN201811184562.0

    申请日:2018-10-11

    Applicant: 长安大学

    Abstract: 一种增强二氧化硅气凝胶材料的制备方法,将三维莫来石晶须框架浸入SiO2溶胶A中,在真空条件下浸渍0.5~2h后调节至中性,获得湿凝胶;将湿凝胶浸没在正硅酸乙酯和无水乙醇的混合物老化,CO2超临界干燥,得到莫来石晶须框架增强的二氧化硅气凝胶基材料。本发明采用三维的莫来石晶须框架对气凝胶增强,三维的莫来石晶须框架具有密度低、强度高、具有大量三维连通孔,SiO2气凝胶复合到连通孔中,形成复合材料强度高、各向力学性能一致,在保持气凝胶高导热低密度性能基础上,同时大大提高材料强度。

    一种高表面粗糙度集料及其制备方法

    公开(公告)号:CN111977998A

    公开(公告)日:2020-11-24

    申请号:CN202010879469.2

    申请日:2020-08-27

    Applicant: 长安大学

    Abstract: 一种高表面粗糙度集料及其制备方法,将点腐蚀剂均匀喷洒在经过表面处理的粗集料上,粗集料与点腐蚀剂反应后用清水冲洗集料;然后采用碱溶液清洗粗集料,最后采用硅烷偶联剂的乙醇溶液冲洗粗集料,晾干,得到高表面粗糙度集料;其中,点腐蚀剂通过以下过程制得:将增稠剂加入到水中,然后加入盐酸或硫酸,搅拌均匀,得到点腐蚀剂。利用酸性物质与集料中的CaO、CaCO3等成分发生反应,使得集料表面发生腐蚀。通过调整增稠剂含量,可以控制腐蚀剂的粘度,从而控制喷洒在集料表面的腐蚀剂的质量和形态。当集料表面局部附着一定量的腐蚀剂时,集料表面发生快速的严重的局部点蚀,逐渐形成点蚀坑,从而显著提高集料的表面粗糙度。

    一种溶胶改性SiC颗粒光固化制备多孔陶瓷的方法

    公开(公告)号:CN119638483A

    公开(公告)日:2025-03-18

    申请号:CN202411886574.3

    申请日:2024-12-20

    Abstract: 本发明提供了一种溶胶改性SiC颗粒光固化制备多孔陶瓷的方法,该方法通过溶胶处理在SiC颗粒表面形成一层均匀的SiO2涂层,随后,将改性后的SiC颗粒配置成光固化打印浆料,用于制造复杂形状的SiC坯体,最终通过脱脂和烧结工艺制备出多孔SiC陶瓷。SiO2涂层不仅能够提升SiC颗粒的光固化打印性能,还有效避免了在后续金属浸渗过程中Al与SiC直接反应生成有害相Al4C3。该方法工艺简单、参数可控且稳定可靠,得到的多孔SiC陶瓷具有连续的三维孔隙结构,孔隙结构和尺寸适宜铝熔体流动和完全填充,可用于制备复杂结构高比分SiC/Al复合材料,有望拓宽光固化打印技术在深色系陶瓷打印和复杂结构SiC/金属复合材料制造领域的应用。

    一种轻质隔热高强度莫来石材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN111233502A

    公开(公告)日:2020-06-05

    申请号:CN202010049410.0

    申请日:2020-01-16

    Applicant: 长安大学

    Abstract: 本发明提供一种轻质隔热高强度莫来石材料及其制备方法,所述莫来石材料以多孔莫来石晶须框架为基体,在基体外表面覆盖结合有一层致密莫来石涂层。制备方法为:步骤1,制备多孔莫来石晶须框架;制备致密莫来石前驱体浆料;步骤2,将致密莫来石前驱体浆料均匀地喷涂在多孔莫来石晶须框架外表面,干燥后得到多孔莫来石生坯;步骤3,多孔莫来石生坯经空气气氛下高温烧结,在多孔莫来石晶须框架外表面形成致密莫来石涂层,得到轻质隔热高强度的莫来石材料。本发明材料在高气孔率的前提下实现轻质隔热高强度的结合。

    一种增强二氧化硅气凝胶材料的制备方法

    公开(公告)号:CN109251005A

    公开(公告)日:2019-01-22

    申请号:CN201811184562.0

    申请日:2018-10-11

    Applicant: 长安大学

    Abstract: 一种增强二氧化硅气凝胶材料的制备方法,将三维莫来石晶须框架浸入SiO2溶胶A中,在真空条件下浸渍0.5~2h后调节至中性,获得湿凝胶;将湿凝胶浸没在正硅酸乙酯和无水乙醇的混合物老化,CO2超临界干燥,得到莫来石晶须框架增强的二氧化硅气凝胶基材料。本发明采用三维的莫来石晶须框架对气凝胶增强,三维的莫来石晶须框架具有密度低、强度高、具有大量三维连通孔,SiO2气凝胶复合到连通孔中,形成复合材料强度高、各向力学性能一致,在保持气凝胶高导热低密度性能基础上,同时大大提高材料强度。

Patent Agency Ranking