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公开(公告)号：CN101915594B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201010250217.X
申请日：2010-08-10
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种光纤应力/应变传感器件无胶连接方法，对光纤传感元件表面进行镀膜处理，在光纤传感元件表面形成镀膜处理层，将镀膜处理后的光纤传感元件预固定在待测构件表面，向光纤传感元件、待测构件表面喷射高能气化金属微粒，高能气化金属微粒冷却后形成将光纤传感元件和待测构件表面完全包裹的金属结合体。本发明还公开了按前述方法直接得到的无胶连接的光纤应力/应变传感器。本发明的有益技术效果是：提供了一种无胶连接的光纤应力/应变传感器及其连接方法，摈弃了现有技术中的有机粘接剂，传感器的测量效果和使用寿命得到大幅提高。
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公开(公告)号：CN115173676B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202210729403.4
申请日：2022-06-24
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明涉及一种抑制过冲尖峰的SiC MOSFET驱动电路，它包括驱动电路，由P型、N型MOS管和开关管构成电流镜结构的栅极电流控制电路，在SiC MOSFET的开通和关断阶段，根据特定的驱动信号控制栅极电流控制电路中开关管的通断来调节栅极电流的流向和大小，进而抑制dv/dt和di/dt的过冲尖峰。本发明通过采用简单的电路结构分别对开通和关断阶段的SiC MOSFET开关栅极电流进行独立控制，能够有效抑制电流、电压过冲和振荡现象，且不需要增加驱动电阻阻值，不会增加开关损耗，电流镜结构产生的电流恒定受到驱动条件和参数变化的影响较小，控制效果稳定。
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公开(公告)号：CN113834527A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202111110073.2
申请日：2021-09-18
Applicant: 重庆大学
IPC: G01D21/02
Abstract: 本发明涉及一种压接型功率半导体结构及其内部压力在线测量方法，属于功率半导体器件领域。该结构包括外壳和多个并列子单元；子单元包括顶板、柔性组件、银片、钼片、芯片和基板；柔性组件包括碟簧组和导电铜片，导电铜片的中间设有薄铜片；薄铜片的侧表面开设有沟槽，沟槽内安装有光纤应变计和光纤温度计，其中光纤温度计用于光纤应变计的温度补偿。本发明实现了压接型功率半导体模块内部压力的实时测量，测量灵敏度高。
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公开(公告)号：CN102392486B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201110400717.1
申请日：2011-12-06
CPC classification number: Y02A30/68
Abstract: 本发明公开一种城市道路暴雨径流除砂装置，主要用于去除城市道路暴雨径流携带的泥沙，该装置由雨水篦子、自动锁泥装置、集泥井、斜板出流装置四部分组成；所述雨水篦子可就地利用现有设施，不需另外制作；所述自动锁泥装置由固定铰支座和轻质浮板组成；所述集泥井位于装置底部，专门存储收集的泥沙；所述斜板出流装置为斜向上倾斜出水通道，强化了泥沙的补集效率。该装置具有以下优点：应用方便，可直接布置在现有雨水口下部，不需额外占地，且不用改动雨水管道现状；泥沙补集效率高，避免了水流冲刷引起的泥沙流失，尤其提高了小颗粒泥沙的去除效果；泥沙清理方便，可直接通过吸粪车一次性沿途清理。
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公开(公告)号：CN101915594A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN201010250217.X
申请日：2010-08-10
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种光纤应力/应变传感器件无胶连接方法，对光纤传感元件表面进行镀膜处理，在光纤传感元件表面形成镀膜处理层，将镀膜处理后的光纤传感元件预固定在待测构件表面，向光纤传感元件、待测构件表面喷射高能气化金属微粒，高能气化金属微粒冷却后形成将光纤传感元件和待测构件表面完全包裹的金属结合体。本发明还公开了按前述方法直接得到的无胶连接的光纤应力/应变传感器。本发明的有益技术效果是：提供了一种无胶连接的光纤应力/应变传感器及其连接方法，摈弃了现有技术中的有机粘接剂，传感器的测量效果和使用寿命得到大幅提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113834527B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202111110073.2
申请日：2021-09-18
Applicant: 重庆大学
IPC: G01D21/02
Abstract: 本发明涉及一种压接型功率半导体结构及其内部压力在线测量方法，属于功率半导体器件领域。该结构包括外壳和多个并列子单元；子单元包括顶板、柔性组件、银片、钼片、芯片和基板；柔性组件包括碟簧组和导电铜片，导电铜片的中间设有薄铜片；薄铜片的侧表面开设有沟槽，沟槽内安装有光纤应变计和光纤温度计，其中光纤温度计用于光纤应变计的温度补偿。本发明实现了压接型功率半导体模块内部压力的实时测量，测量灵敏度高。
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公开(公告)号：CN117951643A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410134653.2
申请日：2024-01-31
Applicant: 国网重庆市电力公司长寿供电分公司 , 重庆大学
IPC: G06F18/25 , G01R31/12 , G01N33/00 , G06F18/2411 , G06F18/2431 , G06N3/047 , G06N3/086 , G06N3/0985 , G06N3/082
Abstract: 本发明涉及开关柜故障诊断技术领域，特别涉及一种基于PSO‑DBN神经网络的开关柜局部放电故障诊断方法。本发明针对是否发生局部放电，通过第一诊断模型分析特征气体含量即可获取诊断结论；针对具体的故障类型，无法单纯从特征气体含量中判断故障类型，通过试验数据分析，发现特征气体的变化量包括了故障诊断的特征，因此采用第二诊断模型分析特征气体在特定时间的变化量，可获取具体故障类型，实现开关柜局部放电的监测、故障分类及定位。
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公开(公告)号：CN112578255B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202011503268.9
申请日：2020-12-18
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种基于光纤光栅传感器的电动汽车IGBT健康监测系统，包括电机控制器、光纤解调系统、整车控制器、热管理系统和仪表，热管理系统与电机控制器的冷却通道连接，电机控制器包括IGBT功率模块总成、驱动电路模块和控制电路模块，IGBT功率模块总成包括光纤光栅传感器以及六个IGBT芯片和六个二极管，光纤光栅传感器包光纤和光纤接头，光纤上刻写有六个光纤光栅，六个光纤光栅分别对应粘贴在六个IGBT芯片表面。本发明可以在IGBT功率模块总成长时间运行后，进行IGBT热性能蜕化程度评估，根据蜕化程度，重新匹配热管理系统的冷却水温目标值，为IGBT功率模块总成的稳态运行营造更好的散热环境。
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公开(公告)号：CN115600423A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211354138.2
申请日：2022-10-31
Applicant: 重庆大学(CN)
IPC: G06F30/20 , G06F17/18 , G06F119/04 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种电机控制器寿命评估方法，其包括如下步骤：S1，估算IGBT功率模块的结温；S2，将估算得到的结温上传新能源汽车大数据平台；S3，分类统计处理得到功率循环次数；S4，代入Arrhenius寿命模型公式得到失效功率循环次数；S5，基于Miner疲劳损伤累计法计算得到电机控制器的当前寿命D；S6，判断电机控制器的当前寿命D与上一个计算周期寿命D’的差值是否大于更新频次D0，若D－D’≥D0，对结温值进行更新修正，并返回S1进行新一轮的电机控制器寿命评估；若D－D’＜D0，以S5得到的电机控制器的当前寿命作为电机控制器寿命评估值。通过引入寿命衰减因子，能够更准确的估算IGBT结温，与寿命评估相互迭代，更好的对新能源汽车实施故障预警和安全监控。
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公开(公告)号：CN115173676A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210729403.4
申请日：2022-06-24
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明涉及一种抑制过冲尖峰的SiC MOSFET驱动电路，它包括驱动电路，由P型、N型MOS管和开关管构成电流镜结构的栅极电流控制电路，在SiC MOSFET的开通和关断阶段，根据特定的驱动信号控制栅极电流控制电路中开关管的通断来调节栅极电流的流向和大小，进而抑制dv/dt和di/dt的过冲尖峰。本发明通过采用简单的电路结构分别对开通和关断阶段的SiC MOSFET开关栅极电流进行独立控制，能够有效抑制电流、电压过冲和振荡现象，且不需要增加驱动电阻阻值，不会增加开关损耗，电流镜结构产生的电流恒定受到驱动条件和参数变化的影响较小，控制效果稳定。
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