公开(公告)号：CN117203759A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202280030111.X

申请日：2022-03-25

Applicant: 西门子股份公司

Inventor： 福尔克尔·米勒 ,  史蒂芬·诺伊格鲍尔 ,  弗洛里安·施瓦茨

IPC: H01L23/367

Abstract: 本发明涉及一种半导体模块(2)，其具有基板(4)和与基板(4)接触的至少一个半导体器件(6)，其中，基板(4)尤其以材料配合的方式与散热器(28)连接。为了实现与现有技术相比更有效的散热，提出一种平坦的冷却元件(18)，该冷却元件具有气密封闭的通道结构(22)，在该通道结构中设置有传热介质(24)，其中，通过气密封闭的通道结构(22)和传热介质(24)构成脉动热管(26)，其中，经由平坦的冷却元件(18)在至少一个半导体器件(6)的背离基板(4)的一侧和散热器(28)之间建立热连接，其中，平坦的冷却元件(18)的形状适配于具有高度偏移的相应的电路布局的高度轮廓。

公开(公告)号：CN116805581A

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN202310296208.1

申请日：2023-03-23

Applicant: 西门子股份公司

Inventor： 菲利普·克奈斯尔 ,  弗洛里安·施瓦茨 ,  福尔克尔·米勒 ,  史蒂芬·诺伊格鲍尔 ,  弗拉迪米尔·达诺夫

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/473 ,  H01L23/467

Abstract: 本发明涉及一种制造用于冷却具有金属体的半导体装置的设备的方法。为了提出实现对半导体装置改进地散热的成本有效且简单的制造方法，提出以下步骤：借助于第一FSC方法在金属体中的第一深度中制造第一冷却通道，借助于第一FSC方法制造第一连接通道，该第一连接通道以从第一冷却通道延伸到金属体的尤其平坦的表面的方式设置，借助于第二FSC方法在金属体中的第二深度中制造第二冷却通道，其中，第二深度小于第一深度，其中，在第一冷却通道与第二冷却通道之间经由第一连接通道建立流体连接，其中，通过冷却通道和第一连接通道构成冷却通道结构。

公开(公告)号：CN113661569A

公开(公告)日：2021-11-16

申请号：CN202080027756.9

申请日：2020-03-03

Applicant: 西门子股份公司

Inventor： 弗洛里安·施瓦茨

IPC: H01L23/473

Abstract: 本发明涉及一种传热设备(1)和电气或电子构件(4)，其中，传热设备(1)包括至少一个散热结构(2)和至少一个加热室(3)，其中，散热结构(2)和加热室(3)与封闭的热循环(7)耦合，其中，散热结构(2)包括输出通道(2.1)，输出通道从加热室(3)引出并且输出通道在一个远离加热室的端部(2.2)处通入至少一个回流通道(2.3)中，其中，回流通道(2.3)在尺寸方面小于输出通道(2.1)并且通入加热室(3)中，并且其中，至少一个加热室(3)是沸腾室或蒸汽室，并且至少一个散热结构(2)是具有蒸汽区域(2.4)和液体区域(2.5)的通道结构，其中，加热室(3)和散热结构(2)共同形成脉动的或振荡的加热结构机制。