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公开(公告)号:CN116207093A
公开(公告)日:2023-06-02
申请号:CN202310218143.9
申请日:2023-03-08
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 一种适用于低压ESD的低保持电压SCR器件,在P衬底上依次为第一N阱、第一P阱、第二N阱、第二P阱、第三N阱;第一P阱上方依次设置第一P+区域、第一N+区域、第二N+区域;第一P+区域与第一N+区域之间设置第二浅槽隔离,第一N+区域与第二N+区域之间设置第一Gate区域;第二N阱上方依次设置第三N+区域、第二P+区域、第四N+区域;第三N+区域与第二P+区域之间设置第四浅槽隔离,第二P+区域与第四N+区域之间设置第二Gate区域;第二P阱上方依次设置第四N+区域、第五N+区域、第三P+区域;第四N+区域与第五N+区域之间设置第三Gate区域,第五N+区域与第三P+区域之间设置第五浅槽隔离;本发明的触发电压电压较低,而保持电压相对较高,也适合在低电源电压下工作。
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公开(公告)号:CN115561559A
公开(公告)日:2023-01-03
申请号:CN202211274849.9
申请日:2022-10-18
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于稠密连接网络的单粒子预测效应方法,包括以下步骤;步骤1,GEANT4建模:步骤2,将获取到的不同粒子条件下的LET数据作为数据集;步骤3,将样本总数据集随机划分为训练集,交叉验证集和测试集,并固定随机种子以确保实验结果可复现;步骤4,基于稠密连接网络构建预测模型;步骤5,将训练集输入预测模型优化预测模型;步骤6,在步骤5过程中同时将交叉验证集输入预测模型,通过对比其损失函数曲线与训练集损失函数曲线来调整优化过程中的训练集重复训练次数与反向传播中的学习率;步骤7,评估其预测准确率与泛化能力。本发明能准确和快速地预测微电子器件的线性能量传输数据,从而分析单粒子效应对其产生的影响。
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