公开(公告)号：CN101328303B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200810022005.9

申请日：2008-06-23

Applicant: 苏州大学

Inventor： 路建美 ,  董延茂 ,  夏雪伟 ,  徐庆锋 ,  王丽华 ,  李娜君

IPC: C08L65/00 ,  C08K3/30 ,  C09K11/56 ,  C09K11/88 ,  C08G61/12

Abstract: 本发明公开了一种具有推拉电子结构的光电纳米复合材料及其制备方法，所述光电纳米复合材料是由纳米硒化镉、硫化镉、硫化锌中的一种修饰3-烷氧基噻吩-3-对硝基苄氧基噻吩交替聚合物而得，所述纳米材料可选自纳米硒化镉、硫化镉、硫化锌中的一种。该复合材料的光致发光(PL)、电致发光(EL)和三阶非线性光学(NLO)性能相对于聚(3-烷基噻吩)有较大改善，而且该复合材料具有纳米粒子含量可控、粒径可控、光学性能强等特点，因此该复合材料在催化、光电转化等方面具有一定的应用潜能。

公开(公告)号：CN101328303A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200810022005.9

申请日：2008-06-23

Applicant: 苏州大学

Inventor： 路建美 ,  董延茂 ,  夏雪伟 ,  徐庆锋 ,  王丽华 ,  李娜君

IPC: C08L65/00 ,  C08K3/30 ,  C09K11/56 ,  C09K11/88 ,  C08G61/12

Abstract: 本发明公开了一种具有推拉电子结构的光电纳米复合材料及其制备方法，所述光电纳米复合材料是由纳米硒化镉、硫化镉、硫化锌中的一种修饰3－烷氧基噻吩－3－对硝基苄氧基噻吩交替聚合物而得，所述纳米材料可选自纳米硒化镉、硫化镉、硫化锌中的一种。该复合材料的光致发光(PL)、电致发光(EL)和三阶非线性光学(NLO)性能相对于聚(3－烷基噻吩)有较大改善，而且该复合材料具有纳米粒子含量可控、粒径可控、光学性能强等特点，因此该复合材料在催化、光电转化等方面具有一定的应用潜能。