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公开(公告)号：CN209104162U
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201822176823.6
申请日：2018-12-25
Applicant: 嘉兴尚能光伏材料科技有限公司 , 苏州大学
Inventor： 王霆 , 芦政 , 其他发明人请求不公开姓名
IPC: H01L31/0216 , H01L31/054 , H01L31/18 , B82Y30/00
Abstract: 本实用新型公开了一种基于复合陷光结构的晶体硅太阳电池，所述晶体硅太阳电池包括硅片及位于硅片表面的复合陷光结构，所述硅片包括相对设置的第一表面和第二表面，第一表面下方形成有PN结，所述复合陷光结构包括位于硅片第一表面上的介质层及位于介质层上或介质层内的金属纳米颗粒阵列层。本实用新型中晶体硅太阳电池的开路电压、短路电流均有明显的提升，光电转换效率有了大幅度的提高，取得了意想不到的技术效果。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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