公开(公告)号：CN101802161B

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN200880106764.1

申请日：2008-09-05

Applicant: 花王株式会社

Inventor： 田村敦司 ,  宫本定治 ,  堀尾安则

IPC: C11D3/34 ,  B08B3/08 ,  C11D1/722 ,  G02F1/13

CPC classification number: C11D1/66 ,  C11D1/722 ,  C11D3/044 ,  C11D3/3418

Abstract: 本发明涉及一种碱性非离子型表面活性剂组合物，其含有非离子型表面活性剂(成分A)、水(成分B)、选自苯磺酸、甲苯磺酸、二甲苯磺酸、羟基苯磺酸以及它们的盐中的一种以上的化合物(成分C)、和选自氢氧化钾和氢氧化钠中的一种以上的碱剂(成分D)；并且，上述非离子型表面活性剂(成分A)的含量为0.5～20重量％，该组合物在25℃下的pH为9以上。

公开(公告)号：CN101802911A

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200880106838.1

申请日：2008-09-05

Applicant: 花王株式会社

Inventor： 宫本定治 ,  田村敦司 ,  堀尾安则

IPC: G11B5/84 ,  B08B3/08

CPC classification number: G11B5/8404 ,  C11D1/62 ,  C11D1/75 ,  C11D1/88 ,  C11D1/90 ,  C11D1/92

Abstract: 本发明涉及一种用于具有含Ni-P层的垂直磁记录方式硬盘用基板的水系洗涤剂组合物，其含有选自(式1)～(式6)所示的表面活性剂中的1种以上的表面活性剂，且在25℃下的pH为5以下。其中，在所述(式1)中，R1是碳原子数为10～16的烷基，X是卤原子。(式1)

公开(公告)号：CN101802161A

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200880106764.1

申请日：2008-09-05

Applicant: 花王株式会社

Inventor： 田村敦司 ,  宫本定治 ,  堀尾安则

IPC: C11D3/34 ,  B08B3/08 ,  C11D1/722 ,  G02F1/13

CPC classification number: C11D1/66 ,  C11D1/722 ,  C11D3/044 ,  C11D3/3418

Abstract: 本发明涉及一种碱性非离子型表面活性剂组合物，其含有非离子型表面活性剂(成分A)、水(成分B)、选自苯磺酸、甲苯磺酸、二甲苯磺酸、羟基苯磺酸以及它们的盐中的一种以上的化合物(成分C)、和选自氢氧化钾和氢氧化钠中的一种以上的碱剂(成分D)；并且，上述非离子型表面活性剂(成分A)的含量为0.5～20重量％，该组合物在25℃下的pH为9以上。

公开(公告)号：CN100364061C

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200480013411.9

申请日：2004-06-04

Applicant: 花王株式会社

Inventor： 田村敦司 ,  土井康广

IPC: H01L21/304 ,  G03F7/42

Abstract: 本发明涉及一种剥离洗涤半导体基板或半导体元件的方法，其使用剥离剂组合物对含有金属配线的半导体基板或半导体元件进行剥离洗涤，其中所述剥离剂组合物含有由标准试验(A-1)测定的氧化铝溶解量为10ppm或以上的溶解剂以及由标准试验(B-1)测定的铝浸蚀量为7nm或以下的抑制剂，而且实质上不含有含氟化合物；涉及一种半导体基板或半导体元件的制造方法，其中所具有的工序包括该方法；以及涉及一种包含特定的酸以及特定的无机酸盐和/或有机酸盐的剥离剂组合物。本发明的剥离洗涤方法以及剥离剂组合物可以适用于更高速度、更高集成度、品质优良的LCD、存储器、CPU等电子部件的制造，其中尤其适用于使用了含有铝和/或钛的配线材料的半导体基板以及半导体元件的洗涤。

公开(公告)号：CN1791969A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200480013411.9

申请日：2004-06-04

Applicant: 花王株式会社

Inventor： 田村敦司 ,  土井康广

IPC: H01L21/304 ,  G03F7/42

Abstract: 本发明涉及一种剥离洗涤半导体基板或半导体元件的方法，其使用剥离剂组合物对含有金属配线的半导体基板或半导体元件进行剥离洗涤，其中所述剥离剂组合物含有由标准试验(A－1)测定的氧化铝溶解量为10ppm或以上的溶解剂以及由标准试验(B－1)测定的铝浸蚀量为7nm或以下的抑制剂，而且实质上不含有含氟化合物；涉及一种半导体基板或半导体元件的制造方法，其中所具有的工序包括该方法；以及涉及一种包含特定的酸以及特定的无机酸盐和/或有机酸盐的剥离剂组合物。本发明的剥离洗涤方法以及剥离剂组合物可以适用于更高速度、更高集成度、品质优良的LCD、存储器、CPU等电子部件的制造，其中尤其适用于使用了含有铝和/或钛的配线材料的半导体基板以及半导体元件的洗涤。

公开(公告)号：CN1645571A

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN200410103689.7

申请日：2004-12-24

Applicant: 花王株式会社

Inventor： 田村敦司 ,  土井康广

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/027 ,  H01L21/321 ,  C11D7/34 ,  G03F7/26

CPC classification number: G03F7/423 ,  C11D3/042 ,  C11D3/2082 ,  C11D3/361 ,  C11D7/08 ,  C11D7/265 ,  C11D7/36 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02071

Abstract: 本发明提供一种用于清洗具有铝布线的半导体元件的含硫清洗剂组合物，其可以在保护膜形成试验中，在铝膜的表面上形成含有硫原子的保护膜。另外，本发明提供一种在铝布线的表面上具有含有硫原子的保护膜的半导体元件，其在自该保护膜的表面沿其厚度的方向至少5nm以内的区域中含有硫原子。而且，本发明还提供一种半导体元件的制造方法，其具有使半导体元件的铝布线同该含硫清洗剂组合物相接触，从而在该铝布线的表面上形成含硫保护膜的工序。本发明的半导体元件适用于在LCD、存储器、CPU等电子部件的制造中。其中，特别适合制造细微化发展的高集成半导体。