公开(公告)号：CN1692301A

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：CN200380100218.4

申请日：2003-12-04

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 山本健二 ,  木岛公一朗

IPC: G02F1/1333 ,  G02F1/13

CPC classification number: G11B7/0948 ,  G02F1/133371 ,  G02F2203/50 ,  G11B7/0956 ,  G11B7/1369 ,  G11B7/13927 ,  G11B2007/0013

Abstract: 一种液晶器件，不需要进行复杂的计算，就能向透射光提供所期望的相位分布，其结果，能容易地进行液晶器件的制造和其装置评价。被密封在玻璃基片(100)、(110)之间的液晶层(120)，由于设置在玻璃基片(110)的内侧的辅助基片(111)的凹凸，而具有一定的厚度分布。另外，被配置在该液晶层(120)的两侧的电极(130)、(140)是平面状，并被平行配置。从而，两个电极(130)、(140)的间隔总是一样的，加到液晶层(120)上的电场分布是均匀的。因此，透过液晶的光所接受的相位分布的形状只由液晶层的厚度分布来决定，其大小则由外加到电极上的外加电压值来决定。从而，由于加到液晶层上的电场分布均匀，所以，用液晶层的厚度分布则能容易并且准确地算出透射光的相位分布。

公开(公告)号：CN101158731B

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN200710153201.5

申请日：2007-09-29

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 木岛公一朗

IPC: G02B6/10 ,  G02B6/13

CPC classification number: G02B6/122 ,  G02B6/125 ,  G02F1/025

Abstract: 本发明提供一种光半导体装置。一般，脊型光波导路由于光的封入不强，故与条型的光波导路相比，使光波导路弯曲时的光的波导损失变大，因此，能够降低在光波导路的弯曲部的光的波导损失。该光半导体装置包括：半导体区域(16)；光波导路(21)，其被夹在所述半导体区域(16)内形成的第一光封入层(12)和第二光封入层(14)之间；绝缘膜区域(22)，其相对于所述光波导路(21)的弯曲部的曲率半径方向、在该弯曲部的外侧及内侧的至少一侧上的所述半导体区域(16)形成。

公开(公告)号：CN101493556A

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200910005258.X

申请日：2009-01-21

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 木岛公一朗

IPC: G02B6/43 ,  H04B10/10

CPC classification number: G02B6/43 ,  G02B6/4204 ,  H01S5/02248 ,  H01S5/02284 ,  H05K1/0274 ,  H05K1/181 ,  H05K2201/10098 ,  H05K2201/10121 ,  H05K2201/10515 ,  Y02P70/611

Abstract: 本发明公开了光通信装置及其制造方法，其中，该光通信装置包括执行无线通信的半导体芯片和安置该半导体芯片的无线信号和光信号转换芯片基板。半导体芯片包括第一无线通信电路元件和第一天线元件。第一无线通信电路元件连接至第一天线元件。无线信号和光信号转换芯片基板包括第二无线通信电路元件、第二天线元件和光通信元件。第二无线通信电路元件连接至第二天线元件。光通信元件连接至第二无线通信电路元件。无线信号和光信号转换芯片基板安置该半导体芯片，使半导体芯片的第一天线元件与无线信号和光信号转换芯片基板的第二天线元件彼此相对。通过本发明，能够增加产品的设计自由度。

公开(公告)号：CN101357065A

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200810131179.9

申请日：2008-07-30

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 木岛公一朗

IPC: A61B5/117 ,  A61B5/1455 ,  A61B5/00 ,  G06K9/20 ,  G03B15/02

CPC classification number: G07C9/00158 ,  G06K9/00013 ,  G06K9/2018 ,  G06K2009/00932

Abstract: 本发明提供一种生物特征图像拾取设备，该生物特征图像拾取设备包括：光源部分，其选择性地在第一波长区域的光和第二波长区域的光之间切换，以将该第一波长区域的光和该第二波长区域的光施加到生物有机体，该第一波长区域的光穿过该生物有机体的透射率高，该第二波长区域的光穿过该生物有机体的透射率比该第一波长区域的光穿过该生物有机体的透射率低；图像拾取透镜部分，其使来自该生物有机体的光会聚；图像拾取装置，其基于通过该图像拾取透镜部分会聚的光中的该第一波长区域的光获得该生物有机体的第一图像拾取数据，并基于通过该图像拾取透镜部分会聚的光中的该第二波长区域的光获得该生物有机体的第二图像拾取数据；以及图像处理部分，其获得由该图像拾取装置获得的该第一图像拾取数据和该第二图像拾取数据之间的差分图像数据。

公开(公告)号：CN101158731A

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200710153201.5

申请日：2007-09-29

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 木岛公一朗

IPC: G02B6/10 ,  G02B6/13

CPC classification number: G02B6/122 ,  G02B6/125 ,  G02F1/025

Abstract: 本发明提供一种光半导体装置。一般，脊型光波导路由于光的封入不强，故与条型的光波导路相比，使光波导路弯曲时的光的波导损失变大，因此，能够降低在光波导路的弯曲部的光的波导损失。该光半导体装置包括：半导体区域(16)；光波导路(21)，其被夹在所述半导体区域(16)内形成的第一光封入层(12)和第二光封入层(14)之间；绝缘膜区域(22)，其相对于所述光波导路(21)的弯曲部的曲率半径方向、在该弯曲部的外侧及内侧的至少一侧上的所述半导体区域(16)形成。

公开(公告)号：CN101317257B

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN200680044083.8

申请日：2006-11-17

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 木岛公一朗

IPC: H01L21/762 ,  G02B6/122 ,  G02B6/13 ,  H01L21/02 ,  H01L27/08 ,  H01L27/12 ,  H01L27/15

CPC classification number: G02B6/1223 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/76243 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203

Abstract: 当在夹在两个绝缘体层之间的半导体层中形成厚部(例如光波导)时，可以很容易地设计在半导体层表面侧上形成的电子器件。双结构SOI衬底(10)从表面侧开始依次包括硅层(15)、绝缘膜(氧化硅膜)(14)、硅层(13)和绝缘膜(12)。形成的上层绝缘膜(14)具有均匀的深度分布，而形成的下层绝缘膜(12)具有不均匀的深度分布，因而沿预定路线在硅层(13)中形成厚部。Si的折射指数为3.5，SiO2的折射指数为1.5，硅层(13)的厚部提供了核芯，并且对应于该厚部的绝缘膜(12)和(14)提供了包层，从而沿预定路线形成了光波导(16)。由于硅层(15)在表面侧具有均匀的厚度，因此容易使在硅层(15)的各个部分上制造的MOS器件的特性实现平衡，而且便于对电子器件进行整体设计。

公开(公告)号：CN101352345B

公开(公告)日：2010-07-21

申请号：CN200810133472.9

申请日：2008-07-25

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 木岛公一朗

IPC: A61B5/117 ,  G06K9/20

CPC classification number: A61B5/1172 ,  A61B5/0062 ,  A61B5/489 ,  G06K9/0004 ,  G06K9/00906 ,  G06K2009/0006 ,  G06K2009/00932

Abstract: 生物认证系统包括：检测部分；光源部分，包含能够互相独立地照明的多个单位光源；图像拾取装置，相对于所述检测部分被安排在安排所述光源部分的一侧的同侧；驱动部分，驱动所述光源部分，以便所述单位光源按照时分方式周期性照明，并且驱动所述图像拾取装置，以便在位于每个照明的单位光源附近的第一图像拾取单元组的图像拾取操作被停止时，执行比所述第一图像拾取单元组远离每个照明的单位光源的第二图像拾取单元组的图像拾取操作；图像处理部分；以及认证部分。

公开(公告)号：CN101317257A

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200680044083.8

申请日：2006-11-17

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 木岛公一朗

IPC: H01L21/762 ,  G02B6/122 ,  G02B6/13 ,  H01L21/02 ,  H01L27/08 ,  H01L27/12 ,  H01L27/15

CPC classification number: G02B6/1223 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/76243 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203

Abstract: 当在夹在两个绝缘体层之间的半导体层中形成厚部(例如光波导)时，可以很容易地设计在半导体层表面侧上形成的电子器件。双结构SOI衬底(10)从表面侧开始依次包括硅层(15)、绝缘膜(氧化硅膜)(14)、硅层(13)和绝缘膜(12)。形成的上层绝缘膜(14)具有均匀的深度分布，而形成的下层绝缘膜(12)具有不均匀的深度分布，因而沿预定路线在硅层(13)中形成厚部。Si的折射指数为3.5，SiO2的折射指数为1.5，硅层(13)的厚部提供了核芯，并且对应于该厚部的绝缘膜(12)和(14)提供了包层，从而沿预定路线形成了光波导(16)。由于硅层(15)在表面侧具有均匀的厚度，因此容易使在硅层(13)的各个部分上制造的MOS器件的特性实现平衡，而且便于对电子器件进行整体设计。