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公开(公告)号:CN1677613A
公开(公告)日:2005-10-05
申请号:CN200510055479.X
申请日:2005-03-18
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/336 , G02F1/1368 , H05B33/10
CPC classification number: H01L29/78621 , H01L29/66757 , H01L2029/7863
Abstract: 本发明提供可自我整合地形成LDD构造,可控制掺杂区的长度,同时,可抑制过饱和地氢原子的注入所伴有的特性不稳定化的半导体器件的制造方法、半导体器件、电光装置用基板、电光装置和电子设备。其解决方案的特征在于包括:在半导体层(11)的上方形成电极(13)的工序;在该电极(13)的上边形成含氮的绝缘膜(12、14)的绝缘膜形成工序;在含有水蒸气、氧或氢的气氛中施行热处理,在上述绝缘膜(12、14)中形成氮浓度分布的热处理工序。
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公开(公告)号:CN1662109A
公开(公告)日:2005-08-31
申请号:CN200410104662.X
申请日:2004-12-27
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L27/3246 , H01L51/0003 , H01L51/5206
Abstract: 本发明提供可以实现降低配线电阻、达到低消耗功率化、抑制发热及亮度均匀化的有机电致发光装置、有机电致发光装置的制造方法及电子机器。本发明的方法,是在第1电极(41a)上具备以第1隔壁(42a)及第2隔壁(45)围绕的发光功能层(47)的有机电致发光装置(1)的制造方法,其特征在于,具备:在层间绝缘膜(30)上使第1电极材料(41)和第1隔壁材料(42)顺序成膜的工序;用相同形状的掩模(PR)使上述第1电极材料(41)及上述第1隔壁材料(42)图案形成而形成上述第1电极(41a)和上述第1隔壁(42a)的工序;和在上述层间绝缘膜(30)上及上述第1隔壁材料(42)上形成上述第2隔壁(45)的工序。
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公开(公告)号:CN107795700B
公开(公告)日:2021-01-12
申请号:CN201710750225.2
申请日:2017-08-28
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: F16K1/36 , F16K1/32 , F16K31/122 , B41J2/175
Abstract: 本发明提供一种阀机构以及阀机构的制造方法。该阀机构的特征在于,具备:阀座,其具有成为液体的流道的孔;阀体,其通过与所述阀座之间的相对移动,从而对所述流道进行开闭;开口部件,其具有被固定于所述阀座以及所述阀体的一方上的第一面、与所述阀座以及所述阀体的另一方分离或抵接的第二面、与所述第一面以及所述第二面交叉的第三面、和贯穿所述第一面以及所述第二面的开口;固定部件,其对所述一方和所述第一面进行固定;倾斜部,其在从所述开口朝向所述第三面的方向上使所述一方与所述第一面之间的间隔加长。
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公开(公告)号:CN100521072C
公开(公告)日:2009-07-29
申请号:CN200510055479.X
申请日:2005-03-18
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/336 , G02F1/1368 , H05B33/10
CPC classification number: H01L29/78621 , H01L29/66757 , H01L2029/7863
Abstract: 本发明提供可自我整合地形成LDD构造,可控制掺杂区的长度,同时,可抑制过饱和地氢原子的注入所伴有的特性不稳定化的半导体器件的制造方法、半导体器件、电光装置用基板、电光装置和电子设备。其解决方案的特征在于包括:在半导体层(11)的上方形成电极(13)的工序;在该电极(13)的上边形成含氮的绝缘膜(12、14)的绝缘膜形成工序;在含有水蒸气、氧或氢的气氛中施行热处理,在上述绝缘膜(12、14)中形成氮浓度分布的热处理工序。
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公开(公告)号:CN100489629C
公开(公告)日:2009-05-20
申请号:CN03157090.9
申请日:2003-09-12
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor: 石田幸政
IPC: G02F1/1345 , G02F1/1341 , G02F1/133 , H01L21/00
CPC classification number: G02F1/133555 , G02F1/1345
Abstract: 本发明的目的是在半透射反射型的液晶装置等的电光装置中提供可靠性高的布线和连接端子。因为数据线6a的侧壁和上表面的一部分被反射膜44覆盖,故在对反射膜44进行构图时中央层62不被刻蚀剂侵蚀。此外,由于透明导电膜45经接触孔44a与数据线6a的上层63连接,故可降低连接端子90的电阻值,可确保良好的导通。
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