基于两级放大器的STT-RAM读取电路及其控制方法

    公开(公告)号:CN104795094A

    公开(公告)日:2015-07-22

    申请号:CN201510189871.7

    申请日:2015-04-21

    Applicant: 福州大学

    CPC classification number: G11C11/161 G11C11/1673 G11C11/1693

    Abstract: 本发明涉及一种基于两级放大器的STT-RAM读取电路及其控制方法。所述读取电路包括一开环放大器及与该开环放大器连接的并行磁隧道结、控制逻辑电路和第一反相器,所述第一反相器还连接有第一D触发器和第二D触发器,所述第一D触发器和第二D触发器的时钟控制输入端分别连接至第一时钟输出模块的第一时钟信号输出端和第二时钟信号输出端,所述第一D触发器和第二D触发器的反相输出端分别输出并行磁隧道结中存储的高位数据和低位数据,所述控制逻辑电路还连接有一用于提供参考电压的外部电压输出电路。本发明提供的读取电路可以有效的提高读取速度,节省了功耗,增大了输出摆幅和增益,提高了与数字系统对接时整个读取电路的可靠性。

    应用于三维霍尔传感器的霍尔器件及其失调消除方法

    公开(公告)号:CN108535669A

    公开(公告)日:2018-09-14

    申请号:CN201810599942.4

    申请日:2018-06-12

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明涉及一种应用于三维霍尔传感器的霍尔器件及其失调消除方法。可集成于一芯片上,实现单片集成三维霍尔传感器,所述霍尔器件包括水平型霍尔器件和垂直型霍尔器件;且还提出了一种正交耦合旋转电流技术。本发明通过对水平型霍尔器件和垂直型霍尔器件的结构进行改进创新,提高其性能,使其能够应用于单片集成的三维霍尔传感器;且本发明方法,能够实现对失调电压的消除,从而可以通过单个芯片实现对磁场的三维检测,对磁场检测方面的应用有着巨大的帮助。

    一种高二阶级联结构Sigma-Delta调制器系统

    公开(公告)号:CN104901701A

    公开(公告)日:2015-09-09

    申请号:CN201510298475.8

    申请日:2015-06-04

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明涉及一种高二阶级联结构Sigma-Delta调制器系统,通过在传统MASH?1-1调制器结构的基础上,增加了一条级间路径,该路径包含一个传递函数为2z-1-z-2的模块,实现了4阶噪声整形功能。本发明结构显著减少了积分器的使用,降低了有源加法器的复杂度,实现了高二阶噪声整形的功能。

    基于折叠式比较器的STT-RAM读取电路

    公开(公告)号:CN204558028U

    公开(公告)日:2015-08-12

    申请号:CN201520242592.8

    申请日:2015-04-21

    Applicant: 福州大学

    CPC classification number: G11C11/1673 G11C11/1693

    Abstract: 本实用新型涉及一种基于折叠式比较器的STT-RAM读取电路,包括一折叠式共源共栅比较器及与该折叠式共源共栅比较器连接的并行磁隧道结、控制逻辑电路和反相器,所述反相器还连接有第一D触发器和第二D触发器,所述第一D触发器和第二D触发器的时钟控制输入端分别连接至时钟输出模块的第一时钟信号输出端和第二时钟信号输出端,所述第一D触发器和第二D触发器的反相输出端分别输出并行磁隧道结中存储的高位数据和低位数据。本实用新型提供的读取电路可以有效的提高读取速度,节省了功耗,增大了输出摆幅和增益,提高了与数字系统对接时整个读取电路的可靠性。

    一种高二阶级联结构Sigma-Delta调制器系统

    公开(公告)号:CN204559547U

    公开(公告)日:2015-08-12

    申请号:CN201520376267.0

    申请日:2015-06-04

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本实用新型涉及一种高二阶级联结构Sigma-Delta调制器系统,通过在传统MASH 1-1调制器结构的基础上,增加了一条级间路径,该路径包含一个传递函数为2z-1-z-2的模块,实现了4阶噪声整形功能。本实用新型结构显著减少了积分器的使用,降低了有源加法器的复杂度,实现了高二阶噪声整形的功能。

    应用于三维霍尔传感器的霍尔器件

    公开(公告)号:CN208297701U

    公开(公告)日:2018-12-28

    申请号:CN201820901880.3

    申请日:2018-06-12

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本实用新型涉及一种应用于三维霍尔传感器的霍尔器件。可集成于一芯片上,实现单片集成三维霍尔传感器,所述霍尔器件包括水平型霍尔器件和垂直型霍尔器件。本实用新型通过对水平型霍尔器件和垂直型霍尔器件的结构进行改进创新,提高其性能,使其能够应用于单片集成的三维霍尔传感器。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

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