-
公开(公告)号：CN114908412A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210501070.X
申请日：2022-05-09
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种高效生长三硫化二锡单晶热电材料的方法，包括以下步骤：S1、将Sn、S两种高纯单质按比例进行称量；S2、将称量好的Sn、S两种单质装在石英管里，再将石英管抽至真空后，并用氢氧焰枪密封；S3、将密封后的石英管放在管式炉中进行热反应，反应结束后，得到Sn2S3大块体单晶；本发明采用的合成方法是以高纯Sn和S作为原料，通过在管式炉加热使其发生反应，反应结束后即可得到大块体单晶，合成方法简单，生产效率高，可以大批量制备大块体Sn2S3单晶；本发明制备得到的Sn2S3对环境友好，具有本征低热导率，是一种非常有前景的热电材料。
Search Results
11
records
(took 0.014 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
