公开(公告)号：CN118508090A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410672800.1

申请日：2024-05-28

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 杨德强 ,  陈爽爽 ,  王晓慧 ,  潘锦 ,  刘思豪 ,  刘贤峰 ,  连川翔

IPC: H01Q15/00 ,  H01Q15/02

Abstract: 本发明提供一种宽带高效率惠更斯超表面透镜，包括若干个按照方阵形式排列而成的透镜单元，所述透镜单元具有高透射性能和360°的透射相位调控，其结构从上至下依次包括：第一金属层、介质基板层、第二金属层；第一金属层位于介质基板的上表面，包括最外层C形圆环、次外层C形圆环、中间层间断分布的4个圆弧和内层去除十字缝隙结构的圆形贴片。第二金属层位于介质基板的下表面，包括与第一、二金属层外层成中心对称的C形圆环和与第一金属层中间层与内层结构成镜像对称的中间层与内层结构；本发明所述惠更斯超表面透镜解决了传统平面口径剖面高、需要多层结构实现全周期相位补偿的缺点，并具有高增益、高效率和较宽的工作带宽。

公开(公告)号：CN118472651A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202410662617.3

申请日：2024-05-27

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 刘思豪 ,  连川翔 ,  陈爽爽 ,  潘锦 ,  杨德强 ,  刘贤峰 ,  王晓慧

IPC: H01Q15/00

Abstract: 本发明提供一种高通型双谐振能量选择表面，该能量选择表面单元从上至下依次包括：能量选择结构、介质基板层1、底层金属4。能量选择结构位于介质基板层1的上表面，包括两个中心对称的树枝型金属结构以及安装在对称中心的PIN二极管3；底层金属位于介质基层板的下表面，包括两个完全相同的矩形金属贴片结构以及之间的缝隙。本发明通过对高通型双谐振能量选择表面等效电路的研究，设计了一款高通型双谐振能量选择表面。传统的能量选择表面都是低功率透射、高功率反射的低通型表面，无法应用在抛物面等反射面天线上，而本发明所设计的能量选择表面则可为反射面天线提供电磁防护，并且具有低功率下强反射、高功率下高透射的优势。