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公开(公告)号：CN119363046A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411365640.2
申请日：2024-09-29
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 一种微波/毫米波B/J类功率放大器，包括驱动放大及谐波生成电路和放大电路，其中射频输入信号RFin通过驱动放大及谐波生成电路的信号输入端输入，驱动放大及谐波生成电路的信号输出端与放大电路的信号输入端相连接，放大电路输出放大后的射频信号；本发明利用多级功率放大器的前级驱动放大器同时进行基波信号放大、谐波生成、谐波相位和幅度控制，并将基波和谐波同时输入主放大器，实现波形控制以提高功率放大器效率；通过驱动放大器控制二次谐波和基波的相位差及幅度比例，能够实现B/J类功率放大器的效率提升，效率最大可达到95.2％，且归一化电压峰值相比传统B/J类功率放大器下降，具有结构简单，效率极大提高，提升电路可靠性，面积小、低成本的特点。
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公开(公告)号：CN119254173A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411317550.6
申请日：2024-09-20
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种平衡式功率合成单元，平衡式功率合成单元包括：第Mn层金属和第Mn+1层金属；第Mn层金属上集成有主级线圈，第Mn+1层金属上集成有次级线圈，主级线圈的第一侧两端分别接入第一信号和第二信号，主级线圈的第二侧两端接入第三信号和第四信号；第一信号和第二信号为一对差分信号，第三信号和第四信号为一对差分信号。上述技术方案利用对称的平衡式功率合成单元结构设计减少了不同输入端口阻抗不平衡的问题，具有较小的面积，可实现多路输入信号差分转单端及多路串并混合式功率合成，基于该平衡式功率合成单元可实现高效率高功率F类、逆F类、J类等硅基功率放大器，并实现谐波抑制。
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公开(公告)号：CN115173018B
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202210677498.X
申请日：2022-06-15
Applicant: 电子科技大学(深圳)高等研究院
Abstract: 优点。本发明公开了一种适用于毫米波段无源滤波器的谐振器结构及集成结构，包括馈线层，包括第一馈线和第二馈线；谐振层，设置在馈线层下，且所述谐振层包括与所述第一馈线耦合的第一谐振器、与所述第二馈线耦合的第二谐振器；所述第一谐振器和所述第二谐振器之间设置有第三谐振器，且所述第三谐振器分别与所述第一谐振器和所述第二谐振器耦合；其中，所述第三谐振器具有与所述第一谐振器和第二谐振器不同的高次谐波；衬底层，设置在所述谐振层下，包
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公开(公告)号：CN114826206A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210264506.8
申请日：2022-03-17
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种移相器相位校准电路及其校准方法，主要解决现有移相器电路相位控制系统复杂，导致系统额外开销大的问题。该校准电路包括移相器电路，对移相器电路输出端口进行信号采样并对相位进行检测判断并生成反馈信号的相位检测电路，以及用于接收相位检测电路的反馈信号并用于调整控制编码至移相器电路的控制编码生成电路。本发明相较于数字预失真方案，无需对移相器电路进行测试，也不需要查找表等复杂的存储电路；相较于相位补偿性方案，片上实现了信号反馈与相位检测，也不需要额外的相位补偿电路。因此，本发明适宜推广应用。
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公开(公告)号：CN111342178B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202010185029.7
申请日：2020-03-17
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本申请实施例公开了一种介质集成缺陷地结构器件、滤波器及通信系统，所述介质集成缺陷地结构器件为多层结构，所述多层结构包括第一介质层、第一金属层和第二金属层，所述第一介质层位于所述第一金属层和第二金属层之间，所述第一金属层部分区域镂空，形成缺陷区域，所述第二金属层为完整的金属层结构。采用本申请实施例所提供的技术方案，可以在尽量保证滤波器小型化的基础上实现超宽阻带和高抑制度；另外，将滤波器的辐射降低到非常低的程度。由于该滤波器辐射低和具有完整金属层的地(即介质集成的特性)，保证滤波器具有易于集成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113114289A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110359996.5
申请日：2021-04-02
Applicant: 电子科技大学
IPC: H04B1/10
Abstract: 本发明公开了一种减小信号接收端交调失真信号的方法，可以在不显著增加电路复杂度的情况下抑制多阶交调产物的产生，提高信道质量。包括混频器以及连接于混频器的输入、输出、本振端口的吸收性电路。需要注意的是，混频器的各端口信号可以是差分的，也可以是全正交差分的。其中，根据混频信号的特性，所述吸收性电路可采用高通响应吸收性电路、低通响应吸收性电路、带通响应吸收性电路中的任意一种。通过上述设计，本发明使用吸收性电路接混频器的各端口以实现各端口无反射，从而降低因带外反射引入的多阶交调失真信号对带内信号的干扰，并利用阻性负载吸收和耗散带外信号，而不影响通带信号的传输，提高信道质量。因此，适宜推广应用。
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公开(公告)号：CN110739135B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201911038863.7
申请日：2019-10-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本申请公开了一种基于电感可调的变压器，包括初级电感和次级电感，所述初级电感和所述次级电感耦合连接，对应所述初级电感和所述次级电感分别设置有耦合电感，所述初级电感和所述次级电感分别与对应的耦合电感耦合连接，每个所述耦合电感均对应设置有可调电容，所述可调电容与所述耦合电感电连接。通过对初级电感和所述次级电感分别引入额外的耦合电感，并在耦合电感上串联设置可调电容，通过耦合电感和可调电容来改变整个电路的等效感值，通过改变变压器的等效电感，来改变变压器的端口阻抗，实现匹配电路的调谐和优化。而且可调电容没有直接加在变压器的初级和次级电感上，因此可调电容的开关带来的损耗比常规的电路小。
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公开(公告)号：CN111276462A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010105118.6
申请日：2020-02-20
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L23/522 , H01L49/02
Abstract: 本申请实施例公开了一种片上电容器及通信系统，所述片上电容器包括外圈堆叠金属组件和内圈堆叠金属组件，所述外圈堆叠金属组件和内圈堆叠金属组件互不相连，所述外圈堆叠金属组件用于将所述内圈堆叠金属组件屏蔽，所述外圈堆叠金属组件和内圈堆叠金属组件分别为所述片上电容器的两个电极。采用本申请实施例所提供的技术方案，可以在常规集成电路生产工艺下实现高品质因数的片上电容器，且降低相邻电容器之间的耦合干扰。
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公开(公告)号：CN112953399B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202110108881.9
申请日：2021-01-27
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本申请公开了一种高回退效率功率放大器，包括：多个功率放大器子单元，所述功率放大器子单元包括第一电容，每个所述第一电容的第一端均与输出端电连接，所述第一电容的第二端连接一堆叠式反相器电路，所述堆叠式反相器电路在所述功率放大器子单元关闭时，控制所述第一电容的第二端浮空。当堆叠式反相器电路中包含PMOS管和NMOS管，功率放大器子单元工作时，堆叠式反相器电路导通，控制第一电容的第二端在VDD和GND之间切换。当功率放大器子单元关闭时，堆叠式反相器电路截止，呈现高阻状态，使得第一电容的第二端浮空，进而提高了回退效率。
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公开(公告)号：CN112152579B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202011036651.8
申请日：2020-09-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03F3/45
Abstract: 本申请实施例公开了一种无反射放大器，其特征在于，所述无反射放大器为单端或差分无反射放大器，所述无反射放大器包括高频信号吸收网络、低频信号吸收网络和通带信号放大器；所述通带信号为放大器依设计所需放大的信号；所述高频信号吸收网络用于吸收输入信号中的高频信号，所述高频信号为信号频率高于所述通带信号的输入信号；所述低频信号吸收网络用于吸收输入信号中的低频信号，所述低频输入信号为信号频率低于所述通带信号的输入信号。采用本申请实施例提供的方案可以实现放大器的宽频无反射设计，以及无反射放大器的小型化设计。
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