公开(公告)号：CN102751316A

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201210271058.0

申请日：2012-07-31

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 罗小蓉 ,  蒋永恒 ,  罗尹春 ,  范远航 ,  范叶 ,  王骁玮 ,  蔡金勇 ,  张波

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L27/088

Abstract: 本发明公开了一种横向SOI功率器件，包括半导体衬底，绝缘介质层和半导体有源层，在半导体有源层表面具有体区和漏区，体区和漏区之间有间距，形成器件的漂移区，在体区表面依次形成体接触区和源区，在绝缘介质层上设置有硅窗口，体区的底部在硅窗口中或通过硅窗口进入半导体衬底，体接触区的底部进入硅窗口；源区和体接触区的共同引出端为源电极。本发明有效的将体区引出，消除了Kink效应、寄生三极管效应、记忆效应等浮体效应，提高关态耐压，提高栅控制能力，同时提高开态时的击穿电压，改善了SOI器件的特性，也消除了T型栅结构和BTS结构出现局部附体效应的可能性。