公开(公告)号：CN116397195A

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN202310476452.6

申请日：2023-04-27

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 周鑫 ,  顾德恩 ,  包翔 ,  胡盼盼 ,  李东旭 ,  王洋 ,  袁柳 ,  蒋亚东

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/35 ,  C23C14/00

Abstract: 本发明涉及透明导电薄膜技术领域，具体涉及一种低温磁控溅射ITO透明导电薄膜及制备方法。本发明的制备的ITO透明导电薄膜包含In、O、Sn三种元素，薄膜厚度为80‑100nm，薄膜成分为In2O3和SnO2的微晶结构，薄膜中In2O3摩尔含量为85％‑95％，SnO2摩尔含量为5％‑15％，制备ITO薄膜的工艺温度低于100℃，而且可以室温溅射；通过本发明制备的ITO薄膜具有光滑的表面，其表面均方根粗糙度小于5nm，兼顾了高透过率和低电阻率；依据本发明方法制备的ITO薄膜材料及其制备工艺方法与有机材料、柔性衬底兼容，适用于与CMOS电路互联集成的高性能有机光电器件的工艺体系。