公开(公告)号：CN115097559A

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN202210862953.3

申请日：2019-01-03

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 摩根·艾文斯 ,  鲁格·迈尔提摩曼提森 ,  约瑟·欧尔森 ,  彼得·F·库鲁尼西 ,  罗伯特·马斯

IPC: G02B5/18

Abstract: 公开用于形成光学组件的系统及方法。更具体而言，公开产生成角光栅的系统及具可变光栅衍射光学元件形成方法。所述方法可包括在等离子体源与工件之间提供多个接近式掩模，所述工件包括多个与其固定的衬底。多个衬底中的每一者可包括第一目标区域以及第二目标区域。所述方法还可包括自所述等离子体源朝向所述工件递送成角离子束，其中然后在所述多个掩模中的一者处接收所述成角离子束。第一接近式掩模可包括第一组开口，所述第一组开口容许所述成角离子束由此穿过仅到达所述多个衬底中的每一者的所述第一目标区域。第二接近式掩模可包括第二组开口，所述第二组开口容许所述成角离子束由此穿过仅到达所述多个衬底中的每一者的所述第二目标区域。

公开(公告)号：CN111788684A

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN201880078139.4

申请日：2018-11-27

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 索尼·瓦吉斯 ,  安东尼·雷诺 ,  摩根·艾文斯 ,  约翰·哈塔拉 ,  约瑟·欧尔森

IPC: H01L27/108

Abstract: 一种存储器元件可包括至少部分地设置在第一水平中的有源元件区。存储器元件可包括至少部分地设置在高于第一水平的第二水平中的存储电容器，其中第一水平及第二水平平行于衬底平面。存储器元件还可包括接触通孔，接触通孔在存储电容器与有源元件区之间延伸，且相对于衬底平面的垂线界定非零度的倾斜角。