公开(公告)号：CN109743881A

公开(公告)日：2019-05-10

申请号：CN201780055585.9

申请日：2017-09-29

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 爱泽和人 ,  前田淳

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/304 ,  C09J4/02 ,  C09J133/00 ,  C09J201/00

Abstract: 本发明提供一种即便使用于DBG、特别是LDBG，也能够抑制芯片的龟裂的半导体加工用粘着胶带。所述半导体加工用粘着胶带为具有在23℃下的杨氏模量为1000MPa以上的基材与设置于基材的至少一面侧的粘着剂层的粘着胶带，将所述粘着剂层的厚度设为(N)[μm]、蠕变量设为(C)[μm]时，(N)与(C)的乘积(N)×(C)在30℃下为500以上、且在60℃下为9000以下。

公开(公告)号：CN106024109A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610190000.1

申请日：2016-03-30

Applicant: 琳得科株式会社 ,  美思菲林股份有限公司

Inventor： 爱泽和人 ,  荒添铁也 ,  大类知生 ,  所司悟

IPC: H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  G02B1/11 ,  G06F3/041

Abstract: 本发明提供低折射率层的耐蚀刻性优异、可稳定地将透明导电层的图案形状不可见化、并且与透明导电层等之间的粘附性优异的透明导电层形成用层合体和使用该层合体的透明导电性膜。所述透明导电层形成用层合体等在基材膜的至少一侧的表面具有光学调整层，其中，光学调整层是从基材膜侧将折射率为1.6以上的值的高折射率层和折射率为1.45以下的值的低折射率层依次进行层合而成的，而且，低折射率层含有二氧化硅微粒，并且将低折射率层的露出面侧的不存在二氧化硅微粒的空隙的比例设为15%以上的值。

公开(公告)号：CN106009813A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610189995.X

申请日：2016-03-30

Applicant: 琳得科株式会社 ,  美思菲林股份有限公司

Inventor： 爱泽和人 ,  荒添铁也 ,  大类知生 ,  所司悟

IPC: C09D4/02 ,  C09D4/06 ,  C09D7/12 ,  B32B27/06

CPC classification number: C09D4/00 ,  B32B27/06 ,  B32B2255/10 ,  B32B2255/20 ,  B32B2255/26 ,  C09D4/06 ,  C09D7/61 ,  C08F265/06

Abstract: 本发明提供硬质涂层的耐蚀刻性优异、可稳定地将透明导电层的图案形状不可见化、并且所得透明导电性膜的抗粘连性优异的透明导电层形成用层合体和使用该层合体的透明导电性膜。所述透明导电层形成用层合体等是将硬质涂层、基材膜和光学调整层依次进行层合而成的，其中，硬质涂层是将含有下列(A)~(B)成分的硬质涂层形成用组合物进行光固化而成的：(A)活性能量射线固化性树脂100重量份，(B)二氧化硅微粒15~100重量份。